1、什么是单极型器件和双极型器件？试举例说明。

(P4第一行)
答：单极型器件是只有一种载流子参与导电的电力电子器件，如功率MOSFET、静电感应晶体管（SIT）
双极型器件是电子和空穴都参与导电的电力电子器件，如PN结整流管、普
通晶闸管（SCR）、电力晶体管（GTR）
2、压控器件和流控器件的特点各是什么？哪些器件属于压控和流控器件，举
例。

(P5)
答:（1）流控器件有GTR,其特点：
①在器件体内有电子和空穴两种载流子导电，由导通转向阻断时，两种载
流子在复合过程中产生热量，使器件结温升高。

过高的结温限制了工作
频率的提高，因此，电流控制型器件比电压控制型器件的工作频率低。

②电流控制型器件具有电导调制效应，使其导通压降很低，导通损耗较小。

③电流控制型器件的控制极输入阻抗低，控制电流和控制功率较大，电路
也比较复杂。

（2）电压控制型器件有MOSFET、IGBT，其特点是：
①输入阻抗高，控制功率小，控制线路简单。

②工作频率高。

②工作温度高，抗辐射能力强。

（4）自身压降大
3、PIN型和PN型快速恢复二极管的开关特性有何不同？(P16)
答：同等容量下PIN型结构具有开通压降低、反向快速恢复性能好，不足之处是PIN型二极管具有硬恢复特性，而PN型结构则具有软的恢复特性。

4、与PN结二极管相比，肖特基势垒二极管（SBD）具有那些特点？（P17）
答：（1）反向恢复时间短，工作频率高
（2）SBD的正向压降小，开启电压低，正向导通损耗小。

（3）SBD的开关时间短，开关损耗远比PN结二极管小。

5、何为GTR的安全工作区？GTR的正向偏置安全区和反向偏置安全区通常各由
哪几个参量确定。

（P28）
答：（1）GTR的安全工作区是指GTR能够安全运行的电流电压的极限范围。

（2）GTR的正向偏置安全区由GTR的最大允许集电极电流I CM、最大允许集电极功耗P CM、集电极耐压BU CEO以及二次击穿功率P S/B参量确定。

GTR反向偏置安全区由反向集电极电流I C和集电极电压U CE确定。

6、何谓GTR的二次击穿现象？
答：GTR的二次击穿现象是指GTR发生一次击穿后，集电极电流继续增加，在某电压电流点产生向低电阻抗区高速移动的富足现象，使GTR耐压降低、特性变差，甚至使集电结和发射结熔通，使GTR受到永久性损坏。

如果VCE继续增加，IC也增加，由于GTR具有负阻特性，当结温上升时，IC更大。

由于整个管芯的导电不可能绝对均匀，大的IC会产生集中热点，从而发生雪崩击穿，IC骤增。

这时候，即使降低VCE也无济于事，高速增长的热量无法散出，在很短时间内（几微秒甚至几纳秒）便使GTR被永远地烧坏。

这就是GTR的二次击穿现象
7、在GTR开关响应特性中，td、tr、ts、tf 存在原因及改善措施？
答：
td:发射结、集电结势垒电容效应，两结接近正向偏置才有Ic。

tr：继续充电，正偏程度不断增大。

ts：去除存储电荷，其减小到一定程度，Ic才开始下降。

tf：基区电荷继续抽走到体内复合时间，结由正偏变反偏，Ic迅速下降8、。