集成电路分析与设计
课程实验1（2010-03-18）
熟悉Cadence设计软件中的Schematic Editing进行原理图编辑，并使用Spectre工具进行仿真验证。

要求及说明：
1. NMOS和PMOS晶体管的1级模型参数参考教材(拉扎维，P32)中表
2.1，相应的Spectre 模型为hquicmodel_v1.0.scs。

2. 假设VDD=3V，NMOS和PMOS器件的衬底端子（B，除非另有说明）分别接地和VDD （或最正的电压节点），（W/L）=50/2（即W=50u，L=2u）。

3. 采用直流扫描（DC Sweep，改变VX），画出IX和晶体管的跨导关于VX的函数曲线图。

4. 解释分析结果，比较仿真分析结果与你的手工计算结果。

5. 报告截止提交日期为2008年3月25日。

题目：
（参考拉扎维的模拟CMOS集成电路设计P34-35）
2.5 对图2.42的每个电路，画出I
X 和晶体管跨导(g
m
)关于V
X
的函数曲线。

V
X
从0变化到V
DD。

+1.9V
x
V
(b)
1V
x
V 2.42
图
2.6 对图2.43的每个电路，画出I
X 和晶体管跨导(g
m
)关于V
X
的函数曲线。

V
X
从0变化到V
DD。

I 原理图绘制篇
1.右键open Terminal
2.输入icfb&
3.回车启动Cadence
4.Tools – Library Manager…
5.File-Library新建项目
6.输入建立的项目的名称-OK
7.选择Don’t need a Techfile-OK
8. File-Cell View新建项目
9.输入建立的子项目名称-OK
10.输入器件按快捷键I
11.选择Browse – analoglib-nmos4-symbol输入nmos器件
12.在属性框里填写器件的模型和参数：模型名称：nmos、参数W=50u L=2u 点Hide完成
13.修改器件参数如果想修改器件参数，选择该器件后按快捷键q，可以在属性框里修改
14.输入直流电源：快捷键I – analoglib – vdc – symbol
15.放置直流电压源，如果放置位置不满意可以按快捷键m移动位置，移动到指定位置后按ESC 退出
16.修改电压源参数：按q,然后逐一修改
17.输入接地符号GND
18. 按W进行连线
19.Check and Save
请确认保存，不保存仿真无法正常进行
II 仿真验证篇
1.Tools – Analog Environment启动模拟电路仿真环境ADE
2.在ADE中选择Setup-Model Libraries
3.按浏览Browse选择我们需要的模型：hquicmodel_v1.0.scs-OK
4.Add - OK
5.Analyses-Choose…
6.选择DC – Component Parameter
7.通过选择Select Component，选择需要进行参数扫描的电压源，然后在弹出页选DC项，OK
或者自己手动在Choosing Analyses中填写也行
8.填写DC扫描的起止值Start = 0 Stop = 3 OK
9.选择输出节点波形OUTPUTS-To Be Plotted – Select on Schhematic
10.在原理图上选择输出节点波形，电压选连线电流选器件的节点，我们需要器件电流，所以我们选择NMOS的漏端。

11.设置完成后选择netlist and Run运行
12.输出结果。