单级功率因数校正电路的发展
图 1 单级 P C电路结构图 F
PC F级
ACI DC
离式 P C变换器电路 F
电路拓扑如图 5 所示 ,, S 为主开关 , 为有源钳 岛 位辅助开关, 电路可看为 B ot os单元与反激单元的串 联组合。两个单元共用一个主开关 So 代表开关 , , C S 和 S 的总寄生电容;k , : L 代表变压器的漏感 ,: C和 L 形成串联谐振电路, k 实现 S 的软开关 ;。 S 构 , C和 z
图3 os型 P C电路与单开关反激变换 是由B ot F 器组合而成的最基本的单级隔离式 P C变换器拓补。 F
与普通的 D / C变换器相 比, CD 有电压应力大 , 损耗较 多的缺点。因此, 人们研制出应用各种软开关技术, 减
VV下丁k}D Lr,c {L 一 T D牛牛c a s . R Z D V 0 L C ,
单级功率因数校正 电路的发展
摘要: 传统的开关电源均存在功率因数低的问题, 改善开关电源的功率因数始终是学术界的热点。文章阐述了单级 功率因数校正电路的发展历史, 了两级 P C与单级 P C电路的结构, 比较 F F 列举 了几种常用的单级功率因数校正电路 , 并 对单级隔离式 P C变 F 换器的控制方案做了简单探讨。 关键词 : 功率因数校正江 庄〔变换; 兀 反激 中图分类号: P 1 T 27 文献标识码 : A
力较大, 不是零电压下关断。
C ,
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VDa
图 4 带有再生钳位的 b ot os 反激型单级 P C变换 器 F
() 有源 2带 钳位和 关的Bo 反激塾 软开 ot s 单级隔
以 达到09-1 单级 P C变换技术将朝电路简单 .9 。 F
化, 集成化发展, 必将得到进一步地深人研究, 并在小 功率开关电源领域得到广泛的应用。 11 单级隔离式 P C变换器的结构 . F 单级隔离式 F P C变换器的结构如图 1 所示, 而传 统的两级变换的隔离式 P C电路的结构如图 2 F 所示。
作, 造成元件过热, 烧毁等。国外在 2 世纪 9 年代开 0 0 始了改善开关电源功率因数的工作, 主要是功率因数 校正电路和诸多的控制 I 。功率因数校正电路(F C PC
Cru s主要分为无源 P C和有源 P C两 P C o g P C 和单级 F F ( w Sae ) T t F P C S g S g P C 两种。两级 P C主要由P C F (i l t e ) n e a F F F
图 5 带有源钳位和软开关的 B ot os反激型单级 P C F
少开关损耗以及开关应力的各类新型单级 P C变换 F
器, 其效率高且电路拓扑也十分简单。
() 3单级充电激励型 P C变换器 F 一 『 一 - i M一I 几_ i , U o 这种变换器没有用 B ot os或其他变换器作为 P C F 困 D V C R . 0宁 o L 3 甲 单元, 仅用两个电容来实现 P C F 。充电激励式 P C单 F 元由谐振电感 L 、 , 充电电容 C 和 C 、 。 , 输出整流管 V x D 和钳位二极管 V s D 组成 , 如图 6 所示。 简单工作原理如下: S 开关 闭合, C 上的能量 电容 b 图 3 基本 B o 单级隔离式 P C变换器 os t F 传递给变压器的初级绕组,D 由于加反压而截止, Vx 几、 () 1带有再生钳位 的 B ot os 反激型单级隔离式 C 和 C 形成串联谐振, a S 从电源上吸收能量。这期间, 开 P C变换器 F 关不仅承受 P C级的电流, F 而且还承受 D 江X 级的电 C 与最基本的单级隔离式 P C F 变换器相比, 只增加 流。当U 达到电容 C 上的电压 U , V x m b c 时 D 开始导 了再生钳位电容 C 和二极管 V 两个元件来构成钳 。 玖 通, L上储存的能量传递给 瓜。开关断开,y C 放 C及 S 位电路 , 如图 4 所示 ,。 C 用来钳位开关上电压 , D 用 V d 电,a C 全部放电时, D 导通,y C 储存的能量送给 Vs C和 S V「 磁场能量传送给负载, 磁化电 来阻止 L , C L和 C 在开关 S关断时的谐振。 磁化电感,D 开始导通, k L, - 。 d 流降为零后,D 截止, V‘ 反向电压 U 、 c加到 V x V f D 上,D 钳位电路虽然简单 , 但它可有效地减小开关应力( 钳位
致命的弱点: 功率因数低, 一般为04-07, .5 .5而且其
无功分量基本上为高次谐波 , 其中三次谐波幅度约为
基波幅度的 9 0, 50五次谐波约为基波幅度的 7%, 0 七 次谐波约为基波幅度的4 0, 5 o九次谐波约为基波幅度 的20。高次谐波会对系统 自 50 身以及同一系统的其
他电子设备产生恶劣的影响, 如引起 电子设备 的误操
在U 十 U 上)通过 C 与漏感 L 的谐振再生储存 。 no , 。 k 在变压器漏感中的能量, 免去了损耗能量的缓冲电路。 变换器的功率因数可高于09, .9而普通的单级 P C变 F 换器在相同条件中仅为09左右。T D比加缓冲电 .8 H 路时降低 9 %左右。但这种变换器的开关在关断时应
A s a : h l o ef t a e b m x tia see t ni nl ci - d pw r p t T e pw r o vl pol ieis lot y d i as ih g oe espl, bt c rt o w a r r e s n c u s m vr r t a o wt n m o u y h e pw r o ipoe et wt i - oe e spl ia as t ht o o a dma T e e epud t o e f t m rvm n o s ih g d pw r p s y b h o pt c e i h ppr ons a r c f c n m o u y l w e e s f a . a x h e dvl et oy s g s g P C cm a s t o t e s ut e h g s g P C d m r e s - ee m n h t o i l t e , pr te - a P C c r wt s l t e a eu e t e o i r f e s n a F o e h w s g F t u i i e r n a F n n a s v e l ls g P C ciicm o ue Im ks rf us n te t l o s g s g i u t P C r s g t e c u n m n . ae a e d cso o h cn o p n i l t e le F a i e n a F i t o r s t bi i i n o r l f e n a d s a n a s
元器件 , 节约成本, 提高效率和简化控制等。与传统的 两级电路 比较, 省略了一个 MO F T但增加了一个 SE 二极管, 另外其控制是一般的 P WM 方式, 故相当简 单。为保证高输人功率因数, 输人电感的电流应该采 用 D M 方式。19 , i ad d 等人提出了一 C 94年 Rc r R l h e 系列新型单级隔离式功率因数校正变换器, 具有快速 调节输出电压、 只需一个或共同控制的两个开关 、 一个 P WM 控制电路和 自动整定线 电流的优点。在 Rc- i h ad d之后, nR l e 许多研究者在此基础上研究出了各种 更完善的单级隔离式 P C变换器, F 在降低储能电容电 压、 减少谐波失真和快速调节输出响应等方面有很大 的改善。功率因数的高低、 谐波 电流 的高低与电感 Ln i 的大小以及拓扑结构等密切相关, 这就是近几年 来研究单级 P C结构的真正出发点。 F
成 钳位电 限 关 谐振电 有源 路, 制开 上的 压。
这种电路可再生变压器漏感中的能量, 减少电压 应力, 与前面提到的再生钳位电路类似, 但它又增加了 一个辅助开关, 实现了零电压开关, 而主开关和辅助开 关用同一个控制/ 驱动电路。控制电路与没有有源钳 位电路的控制电路相同, 能够采用常用的 P WM 控制 芯片来设计。目前带有源钳位和软开关的单级隔离式 P C变换器广泛应用于各种小功率场合。 F
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通 愧 电冻 ? ,术
20 年 5 2 第 2 卷第 3 06 月 5日 3 期
孙绮敏 等: 单级功率因数校正电路的发展
T l o P w r cnl i e cm e T ho g s e o e oe
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近年来, 出现了高功率因数校正集成控制电路芯 片, U 35 , 35 , 188 功率因数可 如 C 84U C 88T A 68 等, C D
缓电 冲路曰 DD欣 CC /
图 2 两级 P℃电路结构图 P
比较图 1 和图 2单级隔离式变换器通过控制开 , 关的通断, 电路同时满足了输人侧高功率因数和输出 侧电压的稳定与快速调节。P C单元与 D / C变换 F CD 单元的开关由同一个 P WM 控制信号控制, 而双级变
换器的控制电路相互独立。 12 单级隔离式 P C变换器的分类 . F 单级隔离式 F P C变换器大体上分为串联式和并 联式两种 。 121 串联式单级隔离式 P C变换器 .. F
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K y rs P C D / C netbcw r e w d : ; D c vr; od o F C o ak
0 引言
开关电源有体积小、 效率高、 功率密度大等优点, 在电源领域占主导地位。但传统的开关电源存在一个
置级 Bot os 电路和后随 Fyak 反激) l c( b 变换器或者 Fr a ( ow r 正激) d 变换器的 MO F T共用, SE 提出所谓的 单级 P C变换器。 F 研究单级 P C技术的目的是减少 F