第五章FET三极管及其放大管
一、判断题
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。

（）。

√
场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。

（）×
开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。

（）×
I DSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在u GS=0时的漏极电流。

（）
×
若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。

（）前往
×
互补输出级应采用共集或共漏接法。

( )
√
开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。

( )
×
I DSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在u GS=0时的漏极电流。

( )
×
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。

( )
√
与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳
定性好等优点。

（）
√
场效应管放大电路的偏置电路可以采用自给偏压电路。

（）
×
二、填空题
场效应管放大电路中，共＿＿极电路具有电压放大能力，输出电压与输入电压反
相；共＿＿极电路输出电阻较小，输出电压与输入电压同相。

源，栅
场效应管是利用＿＿电压来控制＿＿电流大小的半导体器件。

V GS（栅源电压），I D（漏极）
场效应管是＿＿＿＿控制半导体器件，参与导电的载流子有＿＿＿＿种。

电压，1
当u gs=0时，漏源间存在导电沟道的称为＿＿＿＿型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为＿＿＿＿型场效应管。

耗尽型，增强型
场效应管具有输入电阻很＿＿＿＿、抗干扰能力＿＿＿＿等特点。

大，强
输出电压与输入电压反相的单管半导体三极管放大电路是＿＿＿＿。

共射（共源）
共源极放大电路的性能与半导体三极管的＿＿＿＿电路相似。

共射
共漏极放大电路的性能与半导体三极管的＿＿＿＿电路相似。

共集
图所示场效应管的转移特性曲线，由图可知，该管的类型是＿＿＿＿沟道＿＿＿＿MOS管。

耗尽型,N沟道
下图中的FET管处于＿＿＿＿工作状态。

截止
下图中的FET管工作于＿＿＿＿状态。

可变电阻区
下图中的FET管工作于＿＿＿＿状态。

饱和
三、单项选择题
U GS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有。

A、结型管
B、增强型MOS管
C、耗尽型MOS管
D、NEMOS B
U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。

A、PEMOS
B、增强型MOS管
C、耗尽型MOS管
D、NEMOS C
U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。

A、PEMOS
B、增强型MOS管
C、JFET
D、NEMOS
C
场效应管用于放大时，应工作在（）区。

A、可变电阻
B、夹断
C、击穿
D、恒流（饱和）
D
已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（）。

A. 增强型PMOS
B. 增强型NMOS
C. 耗尽型PMOS
D. 耗尽型NMOS
B
下面的电路符号代表（）管。

A、耗尽型PMOS
B、耗尽型NMOS
C、增强型PMOS
D、增强型NMOS
D
下图为（）管的转移曲线图。

A、耗尽型PMOS
B、耗尽型NMOS
C、增强型PMOS
D、增强型NMOS
B
当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将（）。

A、增大
B、不变
C、减小
D、增大或者减小
A
U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管是（）。

A、结型管
B、增强型MOS管
C、耗尽型MOS管
D、耗尽型FET都可能D
四、计算分析题
改正下图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。

要求保留电路的共漏接法。

解：（a）源极加电阻R S。

（b）漏极加电阻R D。

（c）输入端加耦合电容。

（d）在R g支路加－V GG，＋V D D改为－V DD
改正电路如下图所示。

未画完的场效应管放大电路如图T1所示，试将合适的场效应管接入电路，使之能够正常放大。

要求给出两种方案。

解：
分析下图中电路是否有放大作用？并且提出改进方案。

a)可以放大。

直流状态和交流状态均正常。

b)无放大作用。

因N 沟通MOS 管的漏极电流应为DD V +,将DD V -改为DD V +
c ）无放大作用。

因
=BEQ U ,直流工作状态不正常，应将B R 接在b 极与cc V +端
d ）无放大作用。

因对交流而言输入短路，i U 加不到
e 结上。

应在b 极和cc
V +间加电阻B R .
已知共源极电路如图所示。

其中，管子的m g ＝0.7ms,
Ω=K R 2001，
Ω=Ω=Ω=Ω=Ω=K R K R K R M R K R L S D G 5,2,5,1,512。

（1）求i r 和0r ；
（2）求u A ＝i U U 0。

解：
（1）由等效电路图可得
21R // R R r G i += =1000+5120051
200+⨯Ω≈K 1000=1M Ω
根据等效电路，利用求输出电阻的方法可得 Ω==K R r D 50
（2）因 /
L R =L //R D R =5//5=2.5K Ω 所以 /
L m u R g A -==5.27.0⨯-=75.1-
10、场效应管电路如图所示，已知)m V (sin 20i t u ω=，场效应管的m S 58.0m =g 试求该电路的交流输出电压u o 的大小。

解：
D m gs
gs
D m i
o R g v v R g v v -=-=
•
•
••
（3分）
=-0.58mS*12k (1分) v 0=-0.58mS*12k*)mV (sin 20t ω=-139.2mV (2分)
电路如图所示，设R =0.75k Ω，R g1 = R g2 = 240k Ω，R s =4k Ω，场效应管的g m =11.3mS ，r ds =50k Ω，试求源极跟随器的源电压增益A vs 、输人电阻R i 和输出电阻R o 。

（2分）
（4分）
（2分）
电路如图所示，设场效应管的参数为g m1=0.8mS，λ1 = λ2 = 0.01V-1。

场效应管的静态工作电流I D = 0.2mA。

试求该共源放大电路的电压增益。

如图为场效应管放大电路的等效图，
（3分）
（2分）
（1分）
电路如图所示，已知场效应管的低频跨导为g m ，试写出u
A 、R i 和R o 的表达式。

解：u
A 、R i 和R o 的表达式分别为 D
o 2
13i L
D )(R R R R R R R R g A m u =+=-=∥∥
场效应管放大电路如图所示。

O U i o
（1）画出电路的交流通路；
（2）画出电路的交流等效电路；
（3）若静态点处的跨导m g =2mA/V ，
试计算u A 、i r 、0r 。

（4）2.2M Ω电阻影响静态点吗？其作用是什么？
解：（1）
i
（2）
i
（3）()1010//102'-=⨯-=-=L m u R g A
()Ω=22i r
()Ω=k r 100
（4）ΩM 2.2电阻不影响静态工作点。

因栅极电流为0，其作用是为提高输入电阻。

电路如图所示，已知场效应管的低频跨导为g m ，试写出u
A 、R i 和R o 的表达式。

解：u A 、R i 和R o 的表达式分别为 D o 213i L D )(R R R R R R R R g A m u =+=-=∥∥
五、设计题。