第四章半导体中载流子的输运现象在前几章我们研究了热平衡状态下，半导体导带和价带中的电子浓度和空穴浓度。

我们知道电子和空穴的净流动将会产生电流，载流子的运动过程称谓输运。

半导体中的载流子存在两种基本的输运现象：一种是载流子的漂移，另一种是载流子的扩散。

由电场引起的载流子运动称谓载流子的漂移运动；由载流子浓度梯度引起的运动称谓载流子扩散运动。

其后我们会将会看到，漂移运动是由多数载流子（简称多子）参与的运动；扩散运动是有少数载流子（简称少子）参与的运动。

载流子的漂移运动和扩散运动都会在半导体內形成电流。

此外，温度梯度也会引起载流子的运动，但由于温度梯度小或半导体的特征尺寸变得越来越小，这一效应通常可以忽略。

载流子运动形成电流的机制最终会决定半导体器件的电流一电压特性。

因此，研究半导体中载流子的输运现象非常必要。

4.1漂移电流密度如果导带和价带都有未被电子填满的能量状态，那么在外加作用下使载流子产生的运动称为“漂移运动”。

载流子电荷的净如果电荷密度为P的正方体以速度4运动，则它形成的电流密度为^drf = P U d（°」）其中°的单伎为C»cm~3, J drf的单位是Acm~2或C/cnr»s。

若体电荷是带正电荷的空穴，则电荷密度p = ep , e为电荷电量^=1.6X10-,9C（^仑），〃为载流子空穴浓度，单位为⑵尸。

则空穴的漂移电流密度打场可以写成：丿"爾=⑷）％（4.2）%表示空穴的漂移速度。

空穴的漂移速度跟那些因素有关呢？在电场力的作用下，描述空穴的运动方程为F = ma = eE（4.3）p£代表电荷电量，d代表在电场力F作用下空穴的加速度，加;代表空穴的有效质量。

如果电场恒定，则空穴的加速度恒定，其漂移速度会线性增加。

但半导体中的载流子会与电离杂质原子和热振动的晶格原子发生碰撞或散射，这种碰撞或散射改变了带电粒子的速度特性。

在电场的作用下，晶体中的空穴获得加速度，速度增加。

当载流子同晶体中的原子相碰撞后，载流子会损失大部分或全部能量，使粒子的速度减慢。

然后粒子又会获得能量并重新被加速，直到下一次受到碰撞或散射，这一过程不断重复。

因此，在整个过程粒子将会有一个平均漂移速度。

在弱电场的情况下，平均漂移速度与电场強度成正比（言外之意，在强电场的情况下，平均漂移速度与电场强度不会成正比）。

S—E（4.4）其中竹咼空穴迁移率，载流子迁移率是一个重要的参数，它描述了粒子在电场作用下的运动情况，迁移率的单位为cnr/V.s.将式(4.4)带入(4.2),可得出空穴漂移电流密度的表达式：空穴的漂移电流密度方向与施加的电场方向相同。

同理可知电子的漂移电流为J 啊(46)弱电场时，电子的漂移电流也与电场成正比。

但由于电子带负电,电子的运动方向与电场方向相反，所以%=-咔(4.7)其中％代表电子的平均漂移速度，儿代表电子的迁移率，为正值。

所以电子的漂移电流密度为虽然电子的运动方向与电场方向相反，但电子的漂移电流密度方向仍与电场方向相同。

表4.17 = 300KH寸，低掺杂浓度下的典型迁移率值电子迁移率和空穴迁移率都与温度和掺杂浓度有关。

表4.1 给出了T = 300K时低掺杂浓度下的一些典型迁移率值。

总的漂移电流是电子的漂移电流与空穴的漂移电流的和：即丿时=e(“/ + “pP)E(4.9)例题：给定电场强度时，计算半导体中产生的漂移电流密度。

考虑硅半导体在T = 300/r,掺杂浓度Nd=10"c 〃^，M=0。

假定电子与空穴 的迁移率由表4.1给出，计算给定电场强度E = 35V/dM 产生的漂移电流密度。

解：由于Nd>N”所以是N 型半导体。

假定室温下杂质完全电离， 因此电子浓度：n q 耳=10”c 〃厂彳，、 n 2 (1.5xlO lo )~空穴浓度卩=丄= - --- 厂丄=2.25xlO 4c/zr 3H 1016由于n » /7,所以漂移电流为J drf = e(np n += (1.6X 10-,9)(10,6)(1350)(35)= 15.6 A/cm 2=756mA / mm 2 这个例子说明，漂移电流密度是由多数载流子产生的；很小的电 场就会产生较犬的漂移电流密度；也意味着产生毫安级的电流占 用较小的器件面积。

练习题：1. T = 300K 时，硅的掺杂浓度为^rf =10,4cw-3,^=1015c/?r\电子与空穴 的迁移率见表4.1。

若外加电场为E = 35Vcm~l ,求漂移电流密度°(6.8Ac 〃厂')2. T = 300CTJ,某P 型半导体器件的外加电场E = 20Vcnr\求漂移电流 密度为仏=120加〃严时的杂质浓度O (P 0 = ^=7.81X 1016C /H -3)4.2迁移率载流子迁移率反映的是载流子的平均漂移速度与施加电场 的关系，定义为“=半。

E对空穴而言%=吋。

空穴的加速度与电场力的关系F = eE = ma =加；—=加； " "dt " 。

表示载流子在电场作用下沿电场方向的平均速度；「表示两次碰 撞的时间间隔。

根据上式得u 二*E ,所以载流子迁移率eEtK （4」0）A = —（4.H）叫如果将上式的f用空穴的平均碰撞时间％代替，则空穴的迁移率为同理，电子的迁移率为(4.13)其中唁表示电子受到碰撞的平均时间间隔。

晶体中影响载流子迁移率大小的主要因素是两种散射机制：即晶格散射（声子散射）与电离杂质散射。

固体的理想周期性势场允许电子在整个晶体中自由运动，不会对电子产生散射。

当温度升高时，半导体晶体中的原子具有一定的热能，在其晶格位置附近做无规则的振动，晶格振动破坏了理想周期势场，导致载流子电子、空穴与振动的晶格原子发生相互作用。

这就是所谓的晶格散射机制。

因为晶格散射与原子的热运动有关，所以出现散射的几率一定是温度的函数。

如呆定义血代表存在晶格散射的迁移率，根据散射理论，在一阶近似的情况下有炖="加（4.13）当温度下降时，晶格原子的热振动减弱，受到晶格散射的几率降低，使迁移率增大。

在高温下，轻掺杂半导体中晶格散射是迁移率降低的主要机制。

另一种影响载流子迁移率的机制称谓电离杂质散射。

掺入半 导体的杂质原子可以控制或改变半导体的特性。

室温下杂质已完 全电离，电子和空穴与电离杂质之间存在库仑作用，库仑作用引 起的散射也会改变载流子的速度特性。

如呆定义M 表示只有电离 杂质散射存在的迁移率，则在一阶近似下有7*3/2=oc — (414)其中N 严+ 表示半导体总电离杂质浓度。

温度升高，载流子 的随机运动速度增加，减小了位于电离杂质散射中心附近的时 间，这相当于库仑作用时间短，受到散射的影响就小，电离散射 迁移率"就大；如果电离杂质散射中心数量M 增加，那么载流子 与电离杂质散射中心碰撞或散射几率相应增加，电离散射迁移率 旳就小。

低温或常温下，半导体中电离杂质散射是迁移率降低的 主要机制。

如果6表示晶格散射的平均时间间隔，那么刃心就表示在dt 时间内受到晶格散射的几率。

同理，如呆巧表示电离杂质散射的 平均时间间隔，那么dt/T,就表示在力时间内受到电离杂质散射的 几率。

若同时存在两种散射机制且两种散射机制相互独立，则在 dt 时间内受到的散射的几率为两者之和其中&为任意两次散射的平均时间间隔。

根据迁移率的定义(4.12)或(4.13)式，上式可以写成dt dt dt —=—+ — (415)（4-16） 其中M 代表仅有电离杂质散射时的迁移率；血代表仅有晶格原 子散射时的迁移率；“代表总的迁移率。

4.3电导率4.2节的（4.9）式给出了漂移电流密度的表达式，可以写成：J 血+ = （4.17）其中"代表半导体材料的电导率，单位是电导率是载流 子浓度及迁移率的函数。

而迁移率又是掺杂浓度的函数 （N 严+ （主要指电离杂质散射迁移率）。

因此，电导率是掺 杂浓度的复杂函数。

电导率的倒数是电阻率。

记为p ,单位是6协。

Q=£= ―1 ------------ ? （418） 图5.5表示条形半导体材料电阻，电阻条的长度为厶，高度为耳，宽度为W,则电阻条的截面积为AT %.。

如果在条形1 1 1 —= ------- 1 -- “ P L半导体材料的两端施加电压y,产生流过电阻的电流为/。

我们 有电流密度加在半导体电阻上的电场式（4.1%）是半导体中的欧姆定律。

其中-彳是方块电阻，它是电阻率与结深的比值。

所以电阻既是电 阻率的函数又是半导体几何形状和图形尺寸的函数。

考虑具有受主掺杂浓度为M （R=0）的P 型半导体，由于 N a » n,,假定电子与空穴的迁移率为同一数量级，则电导率为 b = &P ）宀呱］）（4.21） 假定杂质完全电离上式可改写为非本征半导体的电导率或电阻率的大小由多数载流子浓度 决定。

这验证了漂移电流密度由多数载流子贡献的结论。

载流子 迁移率的值应根据掺杂浓度和对应的温度下的实际测量曲线求得。

既然载流子迁移率的大小跟温度有关，那么非本征半导体的 电导(4.19^) (4.19/?) R = ^ = （ 、 P_ £ =R （L 、 W Xj X ； \ J 7 u（4.20）(4.22)E = -L PL1%(4.19J)率或电阻率也与温度有关，其半导体材料制成的电阻器也是温度的函数。

对本征半导体而言，电导率为6 （4.23）一般来说，电子和空穴的迁移率并不相等，所以本征半导体的电导率中含有电子迁移率和空穴迁移率两个参数。

4.4载流子速度饱和在前面的讨论中，我们假设了迁移率不受电场影响，也就是说，漂移速度与电场的比值“ =土保持不变。

这种假设只有在弱E电场情况下才有效。

在强电场的情况下，载流子的漂移速度严重偏离了弱电场区线性关系。

例如，硅中的电子漂移速度在外加电场为3kVcm~｝速度达到饱和，饱和速度为lO7^-1 o如果载流子的漂移速度达到饱和，那么漂移电流密度也会达到饱和，不再随外加电场变化。

载流子迁移率饱和的机理是强电场下引起的载流子有效质量变大的缘故。

cm（饱和迁移率“迦= ---- 3 ----- r = 3.3 x 102加2 / U.S ,这是体饱和内3x10 Vcm迁移率的值，并不是表面饱和迁移率的值。

以后会看到表面迁移率要远小于“⑷。

主要原因是半导体的表面有较多的缺陷。

）另外一个结论是外加电场不会显著改变电子的随机热运动速度。

外加电场后，在不考虑其它因素的情况下（这里指其后讨论的载流子扩散)，半导体内存在两种运动，一种是电子的随机热运动；另一种是载流子在电场作用下沿电场方向的漂移运动。