1.2.6 半导体二极管的模型 1） 理想二极管模型
特性
iD uD
符号及 等效模型
S
S
正偏导通， uD = 0；
反偏截止 iD = 0 UBR =
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2 ）二极管的恒压源模型
iD/mA
+ Uon
0
Uon uD/V
uD = UD(on)
0.7 V (Si) 0.3V (Ge)
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3）二极管的折线模型
iD/mA
ΔU
rD
=
ΔU ΔI
ΔI
+ Uon rD
0 Uon
uD/V
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4） 二极管的交流小信号模型
iD/mA ΔiD IDQ
Q点处的切线
+ ΔuD
ΔiD rd
0
uD/V
ΔuD
UDQ
1 iD diD I SeuD UT I DQ
rd uD Q duD Q
UT Q U T
C
R 500Ω
ui
VD
uo
2V
图1-19（a）
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1.3 半导体二极管的应用
二极管在电路中有着广泛的应用，利用它的单向 导电性，可组成整流、限幅、检波电路，还可做 元件保护以及在数字电路中作为开关元件等。
1.3.1 二极管在限幅电路中的应用
限幅电路分为串联限幅电路、并联限幅电路、 和双向限幅电路三种 。
当VDD=10V时
采用理想二极管模型分析
UO=VDD =10V IO=UO/R=10V/2k=5mA
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【例 1- 2】电路如图1-19（ a） 所示。R 500， 设二极管为硅管， 工作于常温下。 电容阻抗 Z 0， 输入信号ui 10sin(ωt)mV, 试计算流过二极管上的工作点电流和 交流分量。
rd
UT I DQ
图解法
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【例1-1】 电路如图1-15所示，VD为硅二极管，R=2k，
求出VDD=2V和VDD=10V时IO和UO的值。
解: 当VDD=2V时
采用恒压源模型进行分析
IO VD
+
VDD
R
UO
UO=VDD﹣Uon=2V﹣0.7V=1.3V
IO=UO/R=1.3V/2k=0.65mA
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1.2.4 二极管的主要参数
iD IF
U (BR) URM O
Байду номын сангаас
uD
1. IF — 最大整流电流(最大正向平均电流) 2. URM — 最高反向工作电压，为 U(BR) / 2 3. IR — 反向电流(越小单向导电性越好)
4. fM — 最高工作频率(超过时单向导电性变差)
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影响工作频率的原因 — PN 结的电容效应
结论： 1. 低频时，因结电容很小，对 PN 结影响很小。
高频时，因容抗增大，使结电容分流，导致单向 导电性变差。 2. 结面积小时结电容小，工作频率高。
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1.2.5 半导体二极管型号及选择
国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：
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