模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章 半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载流子应是 空穴 。

2、 在N 型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度。

3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。

4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。

5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__绝缘栅场效应管_______。

6、PN 结外加反向电压，即电源的正极接N 区，电源的负极接P 区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。

7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 ____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。

8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。

9、PN 结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的___漂移_____运动。

10、硅二极管的死区电压约为__0.5____V ，锗二极管的死区电压约为__0.1____V 。

11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的___1+β_______倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量___小_______。

12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_m g ______。

13、PN 结具有__单向导电_______特性。

14、双极型三极管有两个PN 结，分别是___集电结____和_发射结______。

15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_____正向________偏置，集电路______反向_______偏置。

16、场效应管是____电压______控制型元件，而双极型三极管是____电流_______控制型元件。

17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是空穴，少数载流子应是电子。

18、P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。

19、PN结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区,这种接法称为正向接法或_正向偏置______。

20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极______、___发射极____和__基极______。

21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正____________向电压；（2）集电结外加___反________向电压。

22、N型半导体可用___正________离子和等量的___负电子________来简化表示。

23、PN结正向偏置时，空间电荷区将变___窄________。

24、二极管的两个电极分别称为__阳____极和__阴____极，二极管的符号是________。

25、当温度升高时，三极管的输入特性曲线会__左___移，输出特性曲线会上________移，而且输出特性曲线之间的间隔将__增大_________。

26、影响双极型三极管参数变化的主要因素是___温度__________。

27、P型半导体可用_负______离子和等量的___空穴_____来简化表示。

28、主要半导体材料是_硅_____和__锗____；两种载流子是__空穴_______和__电子_______；两种杂质半导体是_P型________和___N型________。

29、二极管外加正向电压导通，外加反向电压截止。

I会增加30、当温度升高时，三极管的参数β会变大________，CBO________，导通电压会变小_________ 。

31、双极型三极管有两种载流子导电，即____多数载流子_________和_少数载流子____________导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即__多数载流子___________导电。

32、N 型半导体的多数载流子是 电子 ，少数载流子是___空穴_____。

33、某晶体管的极限参数mW P CM 150=，mA I CM 100=，V U CEO BR 30)(=。

若它的工作电压V U CE 10=，则工作电流不得超过__15_____mA ；若工作电压V U CE 1=，则工作电流不得超过____100___mA ；若工作电流mA I C 1=，则工作电压不得超过___30____V 。

34、放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为A V =－9V ， B V =－6.2V ，C V=－6V ，则该三极管是______PNP_______型三极管，A 为_______集电______极，B 为_____基________极，C 为______发射_______极。

35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是__β___。

36、场效应管输出特性的三个区域分别是_______恒流______区、____可变电阻_________区、___夹断__________区。

37、纯净的、不含其他杂质的半导体称为_____本征半导体_____。

38、场效应管与晶体管比较， 场效应 管的热稳定好，输入电阻高， 晶体 管的放大能力强。

39、双极型三极管内部有三个掺杂区域，分别是__发射区_______、___基区_______和___集电区_______。

二、选择题1、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ B ）时处于正偏导通状态。

A ．0B ．死区电压C ．反向击穿电压D ．正向压降2、杂质半导体中（ A ）的浓度对温度敏感。

A ．少子B ．多子C ．杂质离子D ．空穴3、晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（ B ），若集电结和发射结都反向偏置，它的工作状态是（ A ），若集电结和发射结均正向偏置，则它的工作状态是（ C ）。

A ．截止B ．放大C ．饱和D ．损毁4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为( B )。

A ．前者反偏、后者也反偏B ．前者正偏、后者反偏C ．前者正偏、后者也正偏D ．前者反偏、后者也正偏5、双极型晶体管工作时有（ A ）和（ B ）两种载流子参与导电,而场效应管所导电过程仅仅取决于（ A ）的流动。

A ．多子B ．少子C ．自由电子 D.空穴6、当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为C U （A ）B U （A ）E U 。

A ． >B ． <C ． =D ． ≤7、对二极管正向电阻Z r 和反向电阻F r 的要求是（ C ）A ．Z r 、F r 都大B ．Z r 、F r 都小C ．Z r 很小，F r 很大D ．Z r 大，F r 小8、稳压二极管动态电阻Z r （ B ），稳压性能愈好。

A ．愈大B ． 愈小C ．为任意值9、 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ C ）状态。

A ． 放大B ． 截止C ． 饱和D ． 无法确定10．结型场效应管放大电路的偏置方式是（ A 、D ）A ．自给偏压电路B ．外加偏压电路C ．无须偏置电路D ．栅极分压与源极自偏结合11、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ A ），而少数载流子的浓度与（ B ）有很大关系。

A ．温度B ．掺杂工艺C ．杂质浓度D ．晶体管缺陷12、场效应管属于（ B ）控制型器件，而晶体管若用简化h 参数来分析，则可认为是（ C ）控制型器件。

A ．电荷B ．电压C ．电流13、当PN 节外加反向电压时，扩散电流（ B ）漂移电流，耗尽层（D ）。

A ．大于B ．小于C ．等于D ．变宽E ．变窄F ．不变14、当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ D ）。

A ．左移，下移B ．右移，上移C ．左移，上移D ．右移，下移15、PN 结加正向电压时导通，此时空间电荷区将（ A ）。

A ．变窄B ．基本不变C ．变宽D.先变窄，后变宽16、 在25ºC 时，某二极管的死区电压Uth ≈0.5V ，反向饱和电流Is ≈0.1pA ，则在35ºC 时，下列哪组数据可能正确：（ D ）。

A Uth ≈0.575V ，Is ≈0.05pAB Uth ≈0.575V ，Is ≈0.2pAC Uth ≈0.475V ，Is ≈0.05pAD Uth ≈0.475V ，Is ≈0.2pA17、用万用表判断放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（NPN 或PNP ）与三个电极时，最为方便的测试方法为（ B ）。

A ．测试各极间电阻B ．测试各极间、对地电压C ．测试各极电流三、判断题1、 三极管在工作频率大于最高工作频率M f 时会损坏。

（ ╳ ）2、 稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。

（ ╳ ）3、与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。

（ √ ）4、P 型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。

（ ╳ ）5、有人测得晶体管在BE U =0.6V 时，B I =5A μ，因此认为在此工作点上的be r 大约为26 5.2Bmv K I =Ω。

（ √ ） 6、通常结型场效应管JFET 在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。

（ √ ）7、通常的双极型晶体管BJT 在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。

（ ╳ ）8、在N 型半导体中，掺入高浓度的三阶杂质可以改型为P 型半导体。

（√ ）9、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

（ ╳ ）10、PN 结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。

（ ╳ ）11、漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。

（ √ ）12、由于PN 结交界面两边存在电位差，所以当把PN 结两端短路时，就有电流流过。

（ ╳ ）13、PN 结方程可以描述PN 结的正向特性和反向特性，也可以描述PN 结的反向击穿特性。

（ ╳ ）14、场效应管的突出优点是具有特别高的输出电阻（ ╳ ）15、有人测试晶体管的be r ，方法是通过测得晶体管的7.0=BE U ，mA I B 20=，推算出Ω===K mA V I U r B BE be 3520/7.0/ 。

（ ╳ ）四、综合题1、放大电路中测得晶体管各电极电位如下表所示，试将表格填写完整。

（10分）2、判断下列管子的工作状态（a.饱和；b.放大；c.截止；d.损坏）（共8分）3、如下图，试确定二极管D 是正偏还是反偏？设二极管正偏时的正向压降为0.7V,试计算U X 和U Y 的值（共9分）U YU XU Y U X （a ）（b ） 答案：（a ）D 正偏导通I=R37.010- =x U 2RI=37.010-=6.2V V Uy 9.67.02.6=+= （b ）D 仅偏截止I=0X U =0y U =10V4、如下图，设硅稳压管1DZ V 、2DZ V 的稳压值分别为6V 和9V ， 求Uo 为多少？（共3分）1K..20V答：0U =9-6=3V5、（3分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u 0。