IND AH AC SC HP IND
5
涂胶前处理（Priming）
HMDS 处理
去水烘烤
6
HMDS
• 目的：增加圆片衬底与光刻胶的粘附性 • 原理：将圆片表面状态由亲水性转变为疏水性(亲油性) • 化学试剂：HMDS (六甲基二硅胺) • 气相涂布方法：高温低真空下的HMDS单片处理模块 • 确认HMDS的效果用接触角计测量，一般要求大于65度 • 前处理注意事项：
涂胶去边规范：AL、CP层次2-3mm 其他层次1-2mm
8
涂胶（Coating）
☆涂胶的关键在于控制膜厚及其均匀性
影响光刻胶厚度和均匀性的主要参数：[括号内的值为 实际工艺参数设置] • 环境温度（23°C) • 环境湿度(40%) • 排风净压力(5 mmaq) • 光刻胶温度(23°C+/-0.5） • 光刻胶量（1.2-1.5cc) • 旋转马达的精度和重复性 • 回吸量 • 预旋转速度 预旋转时间 最终旋转速度 最终旋转时间 最终旋转加速度
HP/HP HP/HP AH/AC AH/AC
SC
IND4
TR
IND3 IND2
SC
IND1
软烘（SB）
HP：HOT PLATE IND：INDEXER AC：ADHESION CHAMBER WITH CP
AH：ADHESION CHAMBER WITH HP
SC：SPIN COATER
TR：TRANSFER UNIT
9
涂胶——均匀性的影响因素(1)
10
涂胶——均匀性的影响因素(2)
11
软烘（Soft Bake）
软烘目的： • 去除光刻胶中的溶剂 • 增加粘附性 • 提高E0的稳定性 • 减少表面张力 软烘方法： • 热对流烘箱 • 红外线辐射 • 接触式（接近式）热板 软烘的关键控制点是温度和时间(90℃/60s)
光刻工艺介绍1
1
General Photolithography
前工序
Process
涂胶
(Coating)
HMDS
Resist coating
Soft bake
Soft bake
TARC coating
曝光
(Exposure)
显影
(Developing)
套刻
(Overlay)
Post exposure bake
– 来片衬底必须是干净和干燥的 – HMDS处理后应及时涂胶 – HMDS处理不能过度 – 安全使用HMDS
7
涂胶（Coating）
• 涂胶就是采用旋转涂敷的方法，在圆片衬底上均 匀的涂上一层一定厚度的光刻胶。
• 旋转涂敷主要受到以下几个因素的影响，它们彼 此作用，或相互增强或相互减弱结果
– 光刻胶的流动性 – 光刻胶中树脂成份中分子间的束缚力 – 旋转离心力 – 光刻胶溶剂的挥发力
IND HP CP SDP HP IND
13
显影菜单（DNS 5#）介绍
FLOW DATA：
F-STEP
BASIC FLOW
NO.
STNO.U-NO. U-NAME
1
S1
1
INDEX-A
2
1
5
HP
3
1
7
CP
4
1
3
POSI-DEV
5
1
8
HP
6
E1
1
INDEX-A
J-NO.
6 9 4 10
PARALLEL FLOW U-NAME J-NO. U-NAME
目的： • 去除残余的显影液、水、有机溶剂 • 提高粘附性 • 预防刻蚀时胶形貌变形 方法：接近式热板 控制关键点是温度和时间
的工艺条件为：112 °C/60s
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PR/HMDS影响
❖ PR厚度，粘性系数；HMDS 处理是否恰当、温度设置、 HMDS原料等，都是影响显影缺陷的因素
20
解决PR/HMDS造成的显影缺陷的措施：
✓检查HMDS的流量是否正常，温度是否设置恰当，必要时，可以考虑试用不同厂家的 HMDS
17
显影（Develop）
目的： • 简单的说就是去除已曝光部分的光刻胶 显影方法： • 浸润显影（TANK） • 喷雾显影（SPRAY） • 静态显影（PUDDLE） 影响显影的因素： • 显影液成份、显影液温度 • 环境温度、环境湿度 • 显影液量、显影方式、程序
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坚膜（Hard Bake）
DI Water
Develop
Hard bake
显检
(Inspect)
条宽
(Critical Dimension)
后工序
2
材料 设备
涂胶/显影概况
光刻胶 显影液 其他
SPR6812 IX925G-14CP XHRIC-11 SPR513 Durimide7510 MIR701-29CP MIR701-49CP AZ 6130 SPR660-1.0 AZ AQUATAR AR3-600 UV135 CD26: 5 MF503: 10 HRD-2: 7
HMDS EBR 7030
DNS
TEL
DUV
3
涂胶菜单
4
注：⑴.关键层指：TO、GT、PC、BN+、ROM、W1、VIA、METAL、TU、BC、SGE、SN（MG）、GW（MG）。 ⑵.非关键层指：除关键层次和PAD之外的其他层次。
涂胶基本流 程
DNS 涂胶系统图：
前处理（PRIMING） 涂胶（APPLY）
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显影基本流 程
DNS 显影系统图：
Post Exposure Bake Developer
HP/HP HP/CP HP/CP HP/HP
SDP
IND4
TR
IND3 IND2
SDP
IND1
Hard Bake
HP：HOT PLATE CP：COOLING PLATE IND：INDEXER SDP：SPIN DEVELPER TR：TRANSFER UNIT
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驻波效应（Standing Wave）
驻波效应原理： • 由于入射光与反射光产生干
涉使沿胶厚的方向的光强形 成波峰和波谷产生的
降低或消除驻波效应的方法： • PEB • 加抗反射层：用有机(TARC/BARC)&无机材料(TIN) • 染色剂
NO PEB
PEB
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Footing and Undercut
HP CP POSI-DEV HP
J-NO. U-NAME
1
5/6HP
ห้องสมุดไป่ตู้
7/9CP
2
3
8/10HP
3/4 DEV
4
14
显影前烘焙（Post Exposure Bake）
• 目的：降低或消除驻波效应 • PEB温度一般要求比软烘高15-20°C • PEB一般采接近式热板烘焙 • PEB的关键控制点是温度与时间 • 的工艺条件为：112℃/60s