i 饱和区 4 C / mA
a. UCE ≤ UBE
3
b. IC＜βIB
2
c. UCE 增大Байду номын сангаас IC 增大。
1 （2） 截止区
a. UBE＜死区电压
0
b. IB ≈ 0 c. IC ≈ 0
24 截止区
iB= 100 μA
80 60
40 20 0
6 8 uCE / V
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2. 晶体管及放大电路基础
硅管0.7 V 锗管0.3V
（3） 锗管的 ICBO 比硅管大
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2. 晶体管及放大电路基础
2.1 晶体管
2.1.1 晶体管的结构 2.1.2 晶体管的放大状态及工作原理 2.1.3 晶体管共射极接法的伏安特性曲线
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2. 晶体管及放大电路基础
2.1.3 晶体管共射极接法的伏安特性曲线
三极管共射极接法
iB
uBE
iC
iE
uCE
共射极输入特性
iB μA
2. 晶体管及放大电路基础
NPN管与PNP型管的区别
NPN管电路
iB
iC
uBE
iE
uCE
PNP管电路
iB
iC
uBE
iE
uCE
iB、uBE、iC、 iE 、uCE 的极性二者相反
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2. 晶体管及放大电路基础
硅管与锗管的区别: （1） 死区电压约为
硅管0.5 V 锗管0.1V
（2） 导通压降|uBE|
（3） 放大区
i 饱和区 4 C / mA
iB= 100 μA
a. UCE > UBE
3
b. IC = β IB
2 c. IC 与 UCE 无关
80
60
放大区
40
说明晶体管的输出电流 1
IC 只与输入电流 IB 相关，0 2 4
与输出电压 UCE 无关
截止区
20 0
6 8 uCE / V
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uCE 0
uCE 1
1．共射极输入特性 0
iB f (uBE ) UCE一定
uBE V
0.4 0.8
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2. 晶体管及放大电路基础
iB μA
uCE 0
uCE 1
输入特性的特点：
uBE V
0 0.4 0.8
(1) 输入特性是非线性的，有死区。
(2) 当 uCE ≥1V，输入特性曲线几乎 重合在一起，uCE 对输入特性几乎无影响。
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2. 晶体管及放大电路基础
2．共射极输出特性
iC f (uCE )饱IB和一区定
iB
iC
uBE
截止区iE
uCE
输出特性曲线
iC/ mA
4
iB= 100 μA
80
3
60
2
放大区
40
1
20
0
0
2 4 6 8 uCE / V
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2. 晶体管及放大电路基础
各区的特点： （1）饱和区