LED照明能够应用到高亮度领域归功于LED芯片生产技术的不断提高，包括单颗晶片的功率和亮度的提高。LED上游生产技术是LED行业的核心技术，目前在该技术领先的国家主要日本、美国、韩国，还有我国台湾，而我国大陆在LED上游生
产技术的发展比较靠后。下图为上游外延片的微结构示意图。
图2.2蓝光外延片微结构
§
流程站别
使用设备及工具
作业条件
备注
固晶
1.储存银胶冰箱
2.银胶搅拌机
3.扩晶机
4.固晶机(如存。2．银胶退冰：室温4小时3．扩晶机温度：50℃±10℃4．点银胶高度为晶片厚度的1/4 5．作业时静电环必须做测试记录6．固晶时须使用离子风扇， 离子风扇 正面与晶片距离为20cm～140cm之间。
点胶
1.电子称
2.烤箱
3.抽真空机
4.点胶机
1．抽气时间：１个大气压/5mins。
2．荧光胶烘烤条件﹕120℃±10℃/2Hrs。
荧光胶配比参考实验 数据。
套盖
1.镊子
1.在套Lens前材料要用150℃±10℃烘烤15分钟﹐然而lens也要烘烤80℃±10℃/20min﹐然后套Lens。
2.夹起Lens，判别双耳朵位置后，放置于支架上白壳配合孔内﹐并压到位。
测试和分选，就可以得到所需的LED芯片了。
图2.3LED生产流程
§3大功率LED生产工艺
作为LED节能灯光源的大功率LED，它是LED节能灯的核心部分。大功率LED的生产工艺如何直接影响LED的性能，进而影响LED灯具的性能，如光衰、光效等。
§3.1LED封装工艺流程
以大功率
图2.4大功率LED封装制 程
注意不要压塌金线， 否则送到返修站，并 记录事故率。
灌胶
1.电子称
2.烤箱
3.抽真空机
4.点胶机
5.镊子
6.棉花棒
7.不锈钢盘
1.以Silicone乔越OE-6250(A):乔 越OE-6250(B)=1:1进行配胶。
2.抽气:１个大气压/5mins。
3.以镊子压制lens上方，再将针头插 至lens耳朵孔位进行灌胶， 在点胶 时点胶机气压先调至0.15MPA﹐然 后根椐胶的粘度来做调整﹐直至胶由对面孔位少量溢出。
7．晶片固于支架杯子正中央， 偏移量 小于1/4晶片宽度， 具体参考固晶 图。
8．烤银胶条件：150℃±10℃/2小时。
焊线
1. 339EG焊线机
2. 1.2mil的瓷嘴
3.大功率打线制具
1．339EG焊线机热板温度﹕150℃±10℃，焊线方式参固晶焊线图。
2．瓷嘴42K更换一次。注﹕焊线时第二焊点一定要按照固晶焊线图上第二焊点位置(打斜线区域)焊线。
MOCVD是利用气相反应物（前驱物）及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉积在衬底表面。 通过控制温度、 压力、反应物浓度和种类 比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。MOCVD外延炉是制作LED外延片最常用的设备
然后是对LED PN结的两个电极进行加工，电极加工也是制作LED芯片的关键工序，包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨；然后对LED毛片进行划片、
LED
§
LED
图2.1LED制造流程图
上游
晶片：单晶棒（砷化镓、磷化镓） 单晶片衬底 在衬底上生 长外延层 外延片
成品：单晶片、外延片
中游
制程：金属蒸镀 光罩腐蚀 热处理（正负电极制作） 切割 测试分选
成品：芯片
下游
封装：固晶 焊线 树脂封装 切脚 测试分选 成品：LED灯珠、LED贴片和组件
§2LED芯片生产工艺
4.将整片支架倒置水平后， 用力压实。
5.用棉花棒将多胶部分擦拭干净。
6.灌好胶后不用烘烤﹐在常温下将支架水平倒置整齐存放在不锈钢盘内24小时即可。
配好的胶要在30分钟 内用完，且一次不宜 配太多胶。
图
P型GaN
负极
P型AlGaN
InGaN量子阱（well）
N型InGaN
N型AlGaN
N型GaN
P型GaN
GaN缓冲层（buffer）
蓝宝石衬底（subatrate）
正极
生产出高亮度LED芯片，一直是世界各国全力投入研制的目标，也是LED发的方向。目前，利用大功率芯片生产出来的白光1WL ED流明值已经达能到150lm之高。LED上游技术的发展将使LED灯具的生产成本越来越低，更显LED照明的优势。以下以蓝光LED为例介绍其外延片生产工艺如下：首先在衬低上制作氮化鎵（GaN）基的外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉（MOCVD中）完成的。准备 好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,以及GaAs、AlN、ZnO等材料。