图六
四．共源型放大电路如图七所示，设 JFET 的厄尔利电压为无穷 大且工作在饱和状态下，其跨导为 gm=0.5ms，等效电容为 Cgs=3pF，Cgd=5pF。电路中其余参数为，Rs=1kΩ，RG1=300kΩ， RG2=100kΩ，RG3=1MΩ，RD=RL=R1=20kΩ。若电容 C1，C2，C3 可被认为交流短路，试：
（2）该电路有几个极点？各极点的频率值为多少？该电路的 上截止频率（fH）为多少？
（3）画波特图 （4）若为该电路加有 负反馈系数 F 为 1 的负反馈，是否会
产生自激？并说明原因 （5）该电路临界自激时的反馈系数 F 为多少。
六．设电路如图九所示，其中运放的供电电压为±20V。 （1）试分别说明运放 A1，A2 所构成的电路的功能，以及全电 路的功能 （2）设 R1=R2=R4=20kΩ，Vz=±15V，C=20μF，且电容两端的 初始电压为 0，求 Vo1 处波形的占空比级重复频率 （3）在图十中画出 Vo1，Vo 点的波形，并标出关键点的时间 及电压。
（3）计算该电路的源电压增益 Avsf=vo/vs。
八．设多级放大电路如图十二所示，设 C1、C2 可被认为交流短路。 试说明为了分别满足以下要求，应该将反馈电阻的两端分别 与图中（a）、（b）、（c）、（d）中的哪些点相连，说明加入该 负反馈之后的反馈类型（取样、相加），同时给出在深负反 馈情况下电路的输入、输出电阻值。 （1）负载电阻变动时，输出电流基本不变，且输入级向信号 源索取的电流较小。 （2）信号源近似为恒流源。
图九
七．图十一所示电路中各元件的参数为：Rs=1kΩ，RB1=68kΩ， RB2=5.1kΩ，RE1=500Ω，RC1=5.1kΩ，Rf=10kΩ，RC3=20kΩ， RC4=2kΩ，RE2=1kΩ，C=10μF。设电路级间引入的为深负反 馈，试： （1）说明电路级间负反馈的类型（包括取样方式、相加方式） （2）计算该电路的输入电阻 Ri
电路的下截止频率 fL 时，电路的增益为中频增益的_______，输入电压与输入电压 之间的相移为_______；反之，当信号频率等于上限截止频率 fH 时，电路增益为中
频增益的_______，输出电压与输入电压之间的相移为_______。
2.欲通过实验电路来观察频率响应，以下测试方法中正确的为_______。 A．保持输入电压频率不变，改变幅度 B．保持输入电压幅度不变，改变频率 C．同时改变输入电压的幅度与频率
事 考场违纪或作弊行为者，按相应规定严肃处理。
项 四、学生必须将答题内容做在试题答卷上，做在草稿纸上一律无效。
五、学生的姓名、班级、学号、班内序号等信息由教材中心统一印制。
题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十
总分
满分
得分
阅卷 教师
一． 选择题
1.设某单管共射放大电路各零、极点的频率间隔差十倍以上，当输入信号频率为放大
图十二
九．试求图十三所示电路输出电压 vo 的表达式。
图十三
十．试求图十四所示电路的闭环增益 Af=Xo/Xi。
图十四
型。
A．N
B．P
C．增强
D．耗尽
图一（I）
图一（II）
5.在三极管负反馈放大电路中，若保持负载不变，欲从信号源获取较小的电流，并能
够在更换放大管时稳定输出电流，可在放大电流中引入_______。
A．电压串联负反馈
B．电压并联负反馈
C．电流串联负反馈
D．电流并联负反馈
6.请说出图二所示电路的名称：_______。
（1）画出电路的高频微变等效电路 （2）求中频时的源电压增益 Avs=Vo/Vs，输入电阻 Ri，输出电
阻 Ro （3）计算该电路源电压增益的上截止频率 fH。
图七
五．设多级放大电路的电压增益函数为 Av（jω）=1012/(jω+105)(jω+106)(jω+107) 试： （1）求该放大器的中频电压增益 Avo
A．反相积分电路
B．反相输入放大电路
C．反相输入滞回比较器 D．方波发生器
图二
7.以下各管中，无需外给偏压只需用自给偏置（自生偏压）方式就可工作的场效应管
是_______。
A．N 沟道效应管都行
B．N 沟道增强型 MOS 管
C．P 沟道耗尽型 MOS 管 D．P 沟道增强型 MOS 管
8.欲将方波电压转换成三角波电压，应选用_______。
北京邮电大学 2008——2009 学年第 1 学期 《电子电路基础》期末考试试题（B）
考 一、学生参加考试须带学生证或学院证明，未带者不准进入考场。学生必须
试 按照监考教师指定座位就坐。
注 二、书本、参考资料、书包等物品一律放到考场指定位置。
意 三、学生不得另行携带、使用稿纸，要遵守《北京邮电大学考场规则》，有
即可）
（3）正常工作时，Vo=_______V （4）若电阻 R1 开路，则 Vo=_______V （5）若电阻 R2 开路，则 Vo=_______V （6）若电路 R4 开路，则 Vo=_______V
2.在单管共射、共集、共基三种基本组态中，电压偏置最大且截止频率最高的为 _______组态；在阻容耦合、直接耦合、变压器耦合三种耦合方式中，下截止频率 最低的是_______耦合。
A．对数运算电路
B．积分运算电路
C．微分运算电路
D．加减运算电路
Hale Waihona Puke 9.设由运放构成的电路如图三（I）所示，且其输入电压如图三（II）所示，则输出电 压波形为_______。
图三
A．
B．
C．
D．
二．填空题
1.已知电路如图四所示，设图中运算放大器均工作在深负反馈条件下，其运放输出电
压的最大幅值为±12V，输入电压 Vi 为 0.1V。试求下列各问题： （1）A1 引入的交流负反馈的组态为_______，A2 引入的交流负反馈的组态为_______ （2）Av1=Vo1/Vi=_______，Av2=Vo2/Vi=_______，Av=Vo/Vi=_______（写出数值
3.以运算放大器为基本放大单元构成的小信号运算电路，可利用“虚短”和“虚断” 的概念求解运算关系，其前提是电路中引入的反馈是_______
4.三种场效应管电路如图五中（a）（b）（c）所示，其中_______图中的场效应管肯定 无法实现对输入信号的线性放大，原因是_______。
三．电路如图六所示，设 MOS 管参数为：IDSS=3mA，VGS（Off）=-3V 且 RG=200kΩ，当 RD 的值分别为 3.9kΩ和 10kΩ时，判断场 效应管是处在饱和区，不变电阻区还是截止区。若管子处于 饱和区，试求相应的工作点电流 IDQ。
3.影响放大电路频率（高）特性的因素有_______，影响其低频特性的因素是_______
A．耦合电容和旁路电容的存在
B．放大电路的静态工作点不合适
C．晶体管极间电容和分布电容的存在 D．晶体管的非线性特性
4.已知场效应管的转移特性分别为图一中（I）、（II）所示，且其中漏极电路 iD 的方向
是它的实际方向，则（I）为_______沟道_______型，（II）为_______沟道_______