作用的方式
吸附－污染物與吸附體間的物理作用力。 活性碳、Silica Gel、活性鋁（氧化鋁）
反應－污染物與吸附體間產生化學反應 產生不揮發性物質。活性碳、活性鋁為 基質化學吸附劑-改質活性碳
改質活性碳
一些小分子化學物質如HF、NH4+ 等活性 碳幾乎沒有辦法處理必須使用改質碳
改質活性碳是一種反應型
壓損50 1“
fpm/1ft bed
1.7
1.8
1.7
不織布包覆型
853
147
875
基種g/m2 600
使用
臭氧
揮發性有 機物
600
氨 有機胺類
600
酸 揮發性有 機物
濾網的種類
鐵、鋁、紙框不織布 Carbon Tray (V- Bank) Box type
評估-污染
污染源在何處-外氣、製程產生 何種污染：溶劑、酸、鹼或其他 製程產生可否局部外排（以排氣櫃） 目前濃度為何？數據（自己檢測或請人
過錳酸鉀－約含 4% KMNO4-屬於萬用型， 但對含硫物質較佳
酸性－約含 10%磷酸，醋酸 鹼性－約含 5 – 10% 氫氧化鈉
一些影響活性碳的因子
活性碳的顆粒大小 溫度 溼度 污染物本身的化學性質 影響吸附型的因子不一定會影響反應型
比較
揮發性有機物 臭氧 二氧化氮 酸 HCl, HF, 氯 硫化氫 二氧化硫 有機硫 硝酸
尺寸
AMC 3nm
Particle 100nm
數量
3x 1013/m3
29 /m3
質量
5ng/m3
1pg/m3
分子性污染 - I
化學性污染 – 非粒子 – 氣相污染 把分子視為比細塵小數十倍至數百倍數
千倍的粒子 物理性質：數量大、重量輕、擴散 化學性質：有能力與他種化學物質反應
產生不同的東西
•Etch rate shifts and corrosion
ETCH
•SiC formation following pre-oxidation clean DF
•Threshold voltage shifts
QA
•Nucleation irregularities (CVD)
TF
•High-efficiency particulate air (HEPA) filter degradation FE
Carbon KMNO4 KOH
8
2
6
10
2
10
6
4
9
0
0
8
1
8
10
7
8
9
5
8
9
6
6
9
濾材的種類
顆粒型 植入不織布型 不織布包覆型
粒形
載體
MM1000 MM3000 MM7000 MM9000来自4%過錳 活性碳 酸鉀
活性鋁
10%磷 酸
活性碳
5-10%氫 氧化鉀
活性碳
密度 0.8
0.5
0.8
0.55
Contaminant Concentration Range (ppt)
Ammonia NMP
10k
200k
20k
300k
CONDENSABLE
一沸點高於室溫的物質（非水）於大氣 壓力下可凝結於清潔表面
Hydrocarbons VOC、 DOP
無塵室濃度 - CONDENSABLE
Contaminant Concentration Range (ppt)
Acetone
20k
250k
Toluene
10k
200k
DOPANT
一化學元素會改變半導體原料的電性 Boron（硼）、Phosphours（磷）
Arsenic（砷）
無塵室濃度 - Dopant
Contaminant Concentration Range (ppt)
Boric Acid
ND
•Wafer and stepper optics hazing
PHOTO
•High contact resistance
QA
不能解答的問題
那一個製程的風險最大 晶片在這個製程的那一個步驟有風險 需要多長時間影響污染的風險 那一個濃度AMC會影響何製程的何步驟
比較AMC 與Particle(class 1)
檢測） 需要處理到何種程度
評估-空調系統
目前是否有使用Carbon filter or Chemical Filter，但還不能解決問題
hydrophobization Corrosion Decreased metal pad adhesion Silicon Carbide formation
AMC之影響 - I
Deep ultraviolet (DUV) photoresist T-topping PHOTO
•Uncontrolled boron or phosphorus doping DF
Phosphorous
ND
Arsine
ND
200k 5k
<50k
AMC之影響
T-topping of resist by organic bases
Forms crusty surface on resist - ammonia
Defective epitaxial growth Unintentional doping Uneven oxide growth Changes in surface properties, wettability,
CARBON FILTER
內容
AMC的來源與分類 AMC之影響 濾材種類與形式 濾網種類 考慮事項 檢測與監測
AMC : Airborne Molecular Contamination
無塵室的AMC：來源
製程化學品、反應副產物
溶劑 酸 鹼
清淨室物質的outgasing 人員：氨、硫化物 災害：溢出的化學物質 外部空氣： 循環空氣：
無塵室濃度 - ACID
Contaminant HF HNO3 H3PO4 H2SO4
Concentration Range (ppt)
40k
250k
20k
250k
10k
400k
10k
300k
BASE
一種腐蝕性物質其化學反應性質為電子 提供者
Ammonia、NMP、Methylamine
無塵室濃度 - BASE
SEMI F21-95 分類
Acid Base Condensable Dopant
ACID
一種腐蝕性物質其化學反應性質為電子 接受者
HF(Hydroflouric Acid)氫氟酸、 HNO3 （ Nitric Acid ）硝酸、H3PO4 （Phosphoric Acid）磷酸…