The HMC307QS16G & HMC307QS16GE are broadband 5-bit GaAs IC digital attenuators in 16 lead QSOP grounded base surface mount plastic packages. Covering DC to 4 GHz, the insertion loss is less then 2 dB typical. The attenuator bit values are 1 (LSB), 2, 4, 8, and 16 dB for a total attenuation of 31 dB. Attenuation accuracy is excellent at ± 0.5 dB typical with an IIP3 of up to +44 dBm. Five bit control voltage inputs, toggled between 0 and -5V, are used to select each attenuation state at less than 50 uA each. A single Vee bias of -5V allows operation down to DC. This product is an excellent alternative to the HMC235QS16G.
混频器HMC422技术参数Vdd＝3V 参数 IF=100MHz LO=0dBm 单位
1 频率RF、LO
2 IF 3 转换损失 4 噪声系数 5 RF-LO隔离 6 LO-IF隔离
1.2～2.5
DC~ 1.0 8～10.5 8～10.5 30 15～20
GHz
GHz dB dB dB dB
7 IP3
HMC462LP5 / 462LP5E放大器
HMC462LP5 / 462LP5E放大器
HMC273MS10G / 273MS10GE数字衰减器
HMC273MS10G是宽带5位正电压控制的GaAsIC数字衰减器，覆盖0.7~3.7GHz，插 入损耗为2dB,衰减器的离散值为1，2，4，8，16 dB，总衰减量为31 dB。精确值为 ±0.5 dB，5位控制电压为触发电压为0和3～5伏，来选择每一个衰减状态，通过5K 欧姆外接电阻提供单电压3～5伏。
射频微电子学第 次课 Nhomakorabea卫星通信系微波通信教研室
2012.09.01
理工大学通信工程学院
一、放 大 器 二、衰 减 器 三、倍 频 器 四、混 频 器 五、VCO和分频器 六、开 关 FREQUENCY DIVIDERS (PRESCALERS) & PHASE / FREQUENCY DETECTORS FREQUENCY MULTIPLIERS - ACTIVE MODULATORS - BI-PHASE MODULATORS - DIRECT QUADRATURE MODULATORS - VECTOR PHASE SHIFTERS - Analog POWER DETECTORS VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATORS* PHASE LOCKED OSCILLATOR I/Q MIXERS PHASE SHIFTERS
dBc
dB dB dBc/Hz mA
四倍频芯片HMC443LP4/443LP4E
集成芯片HMC443是采用InGaP GaAs HBT 技术的宽带倍频器，当输入电压为+5V 时，倍频器能提供4dBm左右的输出功率，并且对温度、输入电压、输入功率的变化等 具有比较高的稳定性。与输出信号电平相比，倍频器对信号中出现的基波和不需要的奇 次谐波的抑制效果很好，大于25dBc。同时HMC443芯片具有良好的系统相位噪声性能， 单边带相位噪声低，约为-142dBc/Hz在100kHz 处。与传统的本振链路的设计制作相比， 四倍频器芯片HMC443的使用能有效的减少毫米波本振倍频链路中器件的数量，极大的 简化了工程设计与制作。
8 1dB压缩点输入
15
8
dB
dBm
HMC422MS8混频器
HMC422MS8混频器
压控振荡器HMC513LP5
压控振荡器采用HITTITE公司的HMC513LP5芯片，集成了谐振器、负阻器件、变容 二极管、除二和四分频器，其输出功率为7dBm，输出频率10.43～11.46GHz相位噪 声为-110dBc/Hz@100KHz，输出为5.21～5.73GHz，输出为2.6～2.86GHz，调谐 电压为2～13V，电流270mA,由于VCO的输出功率较低，故为保证有足够的功率， 在VCO输出加一级放大器。输出频率和调谐电压的关系如图3，调谐灵敏度和调谐电 压的关系如图4，不需要外部匹配器匹配, 压控振荡器是无引脚QFN5X5mm表贴器件。 HMC513LP5
C2
C3 5V
C1 RFIN
1 2 3 4 5 6
NC NC NC NC NC V CC
24 23 22 21 20 19
NC NC RFIN GND NC NC
NC NC RFOUT GND HMC443 NC NC
X4
18 17 16 15 14 13
RFOUT C4
图4-4 倍频器HMC443外围电路图
HMC619LP5 / 619LP5E放大器
HMC619LP5 / 619LP5E GaAs PHEMT MMIC POWER AMPLIFIER, DC - 10 GHz P1dB Output Power: +27 dBm Gain: 11 dB Output IP3: +37 dBm Supply Voltage: +12V @ 300 mA 50 Ohm Matched Input/Output 32 Lead 5x5mm Lead SMT Package: 25mm2
dB
dB dB dB dBm ns ns
HMC273MS10G / 273MS10GE数字衰减器
控制电压输入 V1 16dB 高 高 高 高 高 低 低 V2 8dB 高 高 高 高 低 高 低 V3 4dB 高 高 高 低 高 高 低 V4 2dB 高 高 低 高 高 高 低 V5 1dB 高 低 高 高 高 高 低
dB
dB dB
衰减范围
0.7~3.7GHz
0.7~1.4GHz
回波损耗 1.4~2.7GHz 2.7~3.7GHz 衰减精度 输入功率0.1dB压缩点 三阶交解点 开关特性 0.7~3.7GHz 0.7~3.7GHz 0.7~3.7GHz
11
14 10
17
20 14 ±0.35+3%衰减量 24 48 560
图3 输出频率和调谐电压的关系
图4 调谐灵敏度和调谐电压的关系
压控振荡器HMC513LP5
混频器HMC513技术参数Vdd＝5V 1 频率范围 F0 2 4 5
F0 ／2输出频率范围
10.43～11.46 5.215～5.73 5～10 5～11 -10～-4 2～13 275 15 28 2 25
倍频器HMC443的技术参数(Vdd=5V)
输入频率 输出频率 输入功率 输出功率
典型值 2.45 ~ 2.8 9.8 ~ 11.2 -15 ~ +5 4
单位 GHz GHz dBm dBm
谐波抑制
输入回波损耗 输出回波损耗 单边带相位噪声 (偏移100KHz处，输入为0dBm) 供电电流
25
15 8 -142 52
7 8 9 10 11 12
NC NC NC NC NC NC
四倍频芯片HMC443LP4/443LP4E
图4-5
倍频器的PCB版图
图4-6
倍频器模块实物图
二倍频器HMC448LC3B HMC448是GaAs PHEMT技术宽带倍频器，当输入 0dBm时，在20～22 GHz范围内，倍频器提供11dBm 的输出电平，比较低的相位噪声-135 dBc/Hz在 100KHz处，帮助系统提供了良好的相位噪声性能，该 器件消除了跳金线可以使用表贴技术安装，
HMC273MS10G / 273MS10GE数字衰减器
电气特性Vdd＝5V＆Vctl＝0／Vdd 参数 频率 0.7~1.4GHz 插入损耗 1.4~2.3GHz 最小 典型 1.8 2.1 最大 2.4 2.7 单位 dB dB
2.3~2.7GHz
2.7~3.7GHz
2.4
2.8 31
3
3.5
HMC307QS16G / 307QS16GE数字衰减器
HMC307QS16G / 307QS16GE
PAmodule
收发芯片
四倍频芯片HMC443LP4/443LP4E
采用的是HITTITE 公司生产的集成四倍频芯片HMC443LP4/443LP4E 利用基于该芯 片所构成的倍频模块，可将频率合成器产生的点频2.4GHz信号倍频到9.6GHz，以作 为转发器系统中上变频器的本振信号源。
HMC619LP5 / 619LP5E放大器
HMC619LP5 / 619LP5E放大器
GSM_PHS双模手机射频前端的关键技术研究与性能的优化
PAmodule
收发芯片
HMC462LP5 / 462LP5E放大器
Noise Figure: 2.5 dB @ 10 GHz Gain: 13 dB P1dB Output Power: +14.5 dBm @ 10 GHz Self-Biased: +5.0V @ 66 mA 50 Ohm Matched Input/Output 25 mm2 Leadless SMT Package The HMC462LP5 & HMC462LP5E are GaAs MMIC PHEMT Low Noise Distributed Amplifi ers in leadless 5 x 5 mm surface mount packages which operate between 2 and 20 GHz. The self-biased amplifi er provides 13 dB of gain, 2.5 to 3.5 dB noise fi gure and +14.5 dBm of output power at 1 dB gain compression while requiring only 66 mA from a single +5V supply. Gain fl atness is excellent from 6 - 18 GHz making the HMC462LP5 & HMC462LP5E ideal for EW, ECM RADAR and test equipment applications. The wideband amplifi er I/Os are internally matched to 50 Ohms and are internally DC blocked.