实验四静态随机存储器实验
一．实验目的
掌握静态随机存储器RAM工作特性及数据的读写方法。

二．实验设备
TDN—CM++计算机组成原理教学实验系统一台，排线若干。

三．实验内容
1．实验原理
实验所用的半导体静态存储器电路原理如图所示，实验中的静态存储器一片6116
（2K﹡8）构成，其数据线接至数据总线，地址线由地址锁存器（74LS273）给出。

地址灯AD0—AD7与地址线相连，显示地址线内容。

数据开关经一三态门（74LS245）连至数据总线，分时给出地址和数据。

因地址寄存器为8位，接入6116的地址A7—A0，而高三位A8—A10接地，所以
其实际容量为256字节。

6116有三个控制线：CE（片选线）OE（读线）WE（写
线）。

当片选有效（CE=0）时，OE=0时进行读操作，WE=0时进行写操作。

本实
验中将OE常接地，在此情况下，当CE=0 WE=0时进行读操作，其写时间与T3
脉冲宽度一致。

实验时将T3脉冲接至实验板上时序电路模块的TS3相应插孔中，其脉冲宽度可调，其它电平控制信号由“SWITCH UNIT”单元的二进制开关模拟，其中SW—B为
低电平有效，LDAR为高电平有效。

2．实验步骤
（1）在时序电路模块中有两个二进制开关“STOP”和“STEP”，将“STOP”
开关置为“RUN”状态，将“STEP”开关置为“STEP”状态。

（2）按“图4 存储器实验连线图”连接实验线路，仔细查向无误后接通电源。

由于存储器模块内部的连线已经接好，因此只需完成电路的形成、控制信
号模拟开关、时钟脉冲信号T3与存储模块的外部连接。

（3）给存储器的00 01 02 03 04地址单元中分别写入数据11 12 13 14 15，具体操作步骤如下：（以向00号单元写入11为例）
依次读出第00 01 02 03 04号单元中的内容，观察上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。

具体操作步骤如下：（以从00号单元读出11为例）
图4 存储器实验接线图。