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常用电子元器件的使用

B
输出特性曲线上一般可分为三个区:
饱和区。当发射结和 集电结均为正向偏置 时,三极管处于饱和 状态。此时集电极电 流IC与基极电流IB之 间不再成比例关系, IB的变化对IC的影响
IC /mA
4
3
2.3 2 1.5 1
很小。
放 大

IB=100 A 80 60 A A 40 A 20 IA B=0
此三角形表 示电流方向 电流方向 正极,电流从 正极流向负极
负极
二极管电路符号识图信息
二极管只有两个引脚:电路符号中已表示出了这两个引脚; 电路符号中表示出二极管的正负极性:三角形底边这端为正极, 另一端为负极。
电路符号




新电路符号
电路符号中表示出两根引脚,通过三角 形表示正极、负极引脚.
比较新旧两种符号的不同之处是,三角 形老符号要涂黑,新符号不涂黑. 在普通二极管符号的基础上,用箭头形 象的表示了这种二极管能够发光。 它的电路符号与普通二极管电路符号不 同之处在于负极表示方式不同。
三极管的主要参数
1. 直流参数 (1) 共射直流电流放大系数 (2) 共基直流电流放大系数 (3) 级间反向电流 (a)集电极基极间反向饱和电流ICBO (b)集电极发射极间的穿透电流ICEO ICEO和ICBO有如下关系
旧电路符号 发光二极管 符号 稳压二极管 符号
二极管导通和截止工作状态判断方法
电压极性及状态
工作状态
+ 正向偏置电压足够大 二极管正向导通,两引脚间电阻很小. -
正向偏置电压不够大
二极管不足以正向导通,两引脚间内阻 还比较大.
-
反向偏置电压不太大 二极管截止,两个引脚间的内阻很大. 二极管反向击穿,两引脚之间内阻很小, 二极管无单向导电性,二极管损坏.
2.2 三极管
半导体三极管是最重要的半导体器件,是电子电路中 的核心器件,被广泛应用到了各种电子线路中,是电子线路 的灵魂。
双极型三极管的基本结构类型和符号
双极型晶体管分有NPN型和PNP型,虽然它们外形各异, 品种繁多,但它们的共同特征相同:都有三个分区、两个PN 结和三个向外引出的电极:
发射区
常用电子元器件使用
2.1二极管
2.2三极管 2.3晶闸管 2.4场效应管
2.1 二极管
划分方法及种类 普通二极管 整流二极管 解 说 常见的二极管 专门用于整流的二极管 专用于指示信号的二极管,能发出可见光
按功能 发光二极管 划分 稳压二极管
光敏二极管 按照材 硅二极管 料划分 锗二极管 按外部 塑封二极管 封装材 金属封装二极管 料划分 玻璃封装二极管
基区
集电区
P
N
P
发射极e N
发射结
P
N
集电结
PNP型
基极b NPN型
根据制造工艺和材料的不同,三极管分有双极型和单极型 两种类型。若三极管内部的自由电子载流子和空穴载流子同 时参与导电,就是所谓的双极型。如果只有一种载流子参与 导电,即为单极型。
大功率低频三极管 c b e
中功率低频三极管 c b
专门用于稳压的二极管
对光有敏感作用的二极管 硅材料二极管,常用的二极管 锗材料二极管 大量使用的二极管使用这种封装材料 大功率整流二极管采用这种封装材料 检波二极管采用这种封装材料

二极管外形特征和电路符号
二极管外形特征: 1)二极管共有两个引脚, 两个引脚轴向伸出; 2)二极管的体积不大,比 一般电阻要小些; 3)部分二极管的外壳上 标有二极管电路符号.
输出特性三个区域的特点:
(1) 放大区:发射结正偏,集电结反偏。 即: IC=IB , 且 IC = IB (2) 饱和区:发射结正偏,集电结正偏。 即:UCEUBE , IB>IC, UCE0.3V=UCES
(3) 截止区: UBE< 死区电压, IB=0 , IC=ICEO 0
截止区。当基极 电流IB等于0时 ,晶体管处于截 止状态。实际上 当发射结电压处 在正向死区范围 时,晶体管就已 经截止,为让其 可靠截止,常使 UBE小于和等于零 。
I CS
VCC VCES VCC / RC RC
0
UCE / V
临近饱和基极电流 I BS I CS /
晶体管工作在放大状态时,发射结正 偏,集电结反偏。在放大区,集电极电 流与基极电流之间成β倍的数量关系, 即晶体管在放大区时具有电流放大作用。
+ 反向偏置电压很大
二极管主要参数
参数名称 符号 解 说
最大整流电流 Im
是指二极管长时间正常工作下, 允许通过二极管的最大正向电流 值。 是指二极管加上规定的反向偏置 电压情况下,同过二极管的反向 电流值。
反向电流
Ico
二极管工作时承受最大的反向电 最大反向工作 Urm 压值,它约等于反向击穿电压的 电压 一半。
小功率高频三极管
NPN型三极管图 符号
PNP型三极管图 符号
e
晶体管实现电流放大作用的外部条件 (1)发射结必须“正向偏置”,以利于发射区电子的扩散, 扩散 电流即发射极电流ie,扩散电子的少数与基区空穴复合,形 成基极电流ib,多数继续向集电结边缘扩散。 (2)集电结必须“反向偏置”,以利于收集扩散到集电结边缘 的 多数扩散电子,收集到集电区的电子形成集电极电流ic。 整个过程中, IE 发射区向基区发 + IC N P N 射的电子数等于 - 基区复合掉的电 子与集电区收集 + - 的电子数之和, 即: IE=IB+IC I
最高工作频率 Fm
二极管保持良好的工作特性的最 高频率。
常见二极管
二极管正负引脚表示方法
银色环表示 负极引脚 负极引脚 正极引脚 负极 正极
常见的标注形式
正极
色点标注
负极
外壳上标出 电路符号 正极 负极
电路符号极性标注
外形特征识别二 极管极性方法
二极管正反向特性
以O为坐标原点,以加在 二极管两端的电压U为横轴、流过 二极管的电流为纵轴建立直角坐 标系,各轴的方向表示施与二极 管的电压和电流方向。第一象限 曲线反映了二极管的正向特性; 第三象限曲线反映其反向特性。
反向击 穿电压 UZ I1 O U1 U 正向导 通电压
I
正向 特性 曲线
反向特 性曲线
给二极管加的正向电压小于某一定值U1 (硅:0.6V,锗: 0.2)时,正向电流很小,且小于I1 。当正向电压大与U1后, 正向电流I随U的微小增大而剧增。将U1称为起始电压。 给二极管加的反向电压小于某一定值UZ (Urm)时,反向电 流很小,当反向电压大与等于UZ后,反向电流I迅速增大而处 于电击穿状态。将UZ 称为反向击穿电压。
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