学习目 标
1. 说明 5 种不同类型的净化间污染，并讨论与每种 污染相关的问题； 2. 列举净化间的 7 种沾污源，并描述每一种是怎样 影响硅片的洁净； 3. 解释并使用净化级别来表征净化间的空气质量； 4. 说明两种湿法清洗的化学原理，解释每一种分别 去除那种污染。
表面污染
嵌入的颗粒
Figure 5.1 硅片污染
净化间的概念持续不断地被重新评估，主要是 因为更严格控制沾污的需要以及建设净化间需要的 巨大成本。在工作台所处的具体位置控制沾污，采 用微环境来加工硅片，已经引起越来越大的兴趣。 微环境是指在硅片和净化间环境不位于同一工 艺室时，通过一个屏蔽来隔离开它们所创造出来的 局部环境 ( 见图 6.25) 。这一概念也被称为硅片隔离 技术。微环境净化区域可以包括用来支撑硅片的片 架、硅片工艺室、装载通道和储藏区域。 微环境通常被控制到极端洁净的净化级别 (0.1mm 的0.1级)，而净化间本身可以是一个较高的 级别，如10级。
硅上有源区
Figure 5.6
钨塞
氧化层隔离 接触
静电释放 静电释放(ESD)也是一种形式的沾污， 因为它是静电荷从一个物体向另一个物体未经控制 地转移，可能损坏微芯片。 ESD产生于两种不同静电势的材料接触或摩 察。带过剩负电荷的原子被相邻的带正电荷的原子 吸引。这种由吸引产生的电流泄放电压可以高达几 万伏。 微芯片制造中特别容易静电释放，因为芯片 加工通常保持在较低的湿度(典型条件为40％±10 ％)中，这种条件容易使较高级别的静电荷生成。 虽然增加相对湿度可以减少静电荷生成，但也会增 加浸湿带来的污染，因而这种方法并不实用。
通常采用反渗透和离子交换系统去除水 中的离子。去除离子后的水通常称为去离子水。 去离子水在 25℃时的电阻是 18 000 000Ω·cm， 也就是一般称为 18MΩ。在 VLSI 制造中，工艺 水的目标是 18MΩ。水中的细菌是通过紫外线 去除。超纯去离子水中不允许的沾污有：
溶解离子 有机材料 细菌 硅土
污染源与控制
硅片生产厂房地7种污染源为: 空气 人 厂房 水 工艺用的化学品 工艺用的气体 生产设备
Table 6.1
空

气


净化间最基本的概念是硅片加工厂空气中颗粒的 控制。我们通常所呼吸的空气是不能用于半导体 制造的，因为它包含了太多的漂浮沾污。这些微 小的浮质在空气中漂浮并停留很长时间，淀积在 硅片表面引起沾污并带来致命缺陷。 净化级别标定了净化间的空气质量级别，由净化 室空气中的颗粒尺寸和密度来表征。这一数字描 绘了要怎样控制颗粒以减小颗粒污染。 净化级别起源于美国联邦标准209，经过多次修改 形成了最终的209E版本。表6.2展示了不同净化级 别每立方英尺可以接受的颗粒数和颗粒尺寸。
Process Tool 硅片进入工艺设备前 的初始颗粒数. 硅片通过工艺设备侯 的，硅片表面的颗粒数
Figure 5.4 每硅片每通道看来数
金属杂质
硅片加工厂的污染也可能来 自金属化合物。危害半导体工艺的典型金 属杂质是减金属，它们在普通化学品和工 艺中都很常见(如下表所示)。
Heavy Metals Iron (Fe) Copper (Cu) Aluminum (Al) Chromium (Cr) Tungsten (W) Titanium (Ti) Alkali Metals Sodium (Na) Potassium (K) Lithium (Li)
90 mm = 500 0.18 mm 较大集成电 路 的一小部分
人体毛发的剖面
Figure 5.3 人类头发对 0.18 mm颗粒的相对尺寸
硅片表面的颗粒密度代表了特定面积内的颗粒 数，颗粒密度越大，产生致命缺陷的机会就越大。 一道工序引入到硅片中超过某一关键尺寸的颗粒数， 用术语可表示为每步每片上的颗粒数(PWP)。 颗粒的检测最简单的方法是通过显微镜观察， 先进的检查已经被激光束扫描硅片表面所取代。
静电释放带来的问题
尽管ESD发生时转移的静电总量通常很小(钠库 伦级别)，然而放电的能量积累在芯片上很小的一个 区域内。发生在几钠秒内的静电释放能产生超过 1A 的峰值电流，从而达到蒸发金属连线和穿透氧化层， 成为栅氧化层击穿的原因。下图是带电硅片吸引颗 粒的一个例子。
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - Figure 5.7
颗粒 溶解氧
离子颗粒
胶体 病毒
悬浮物
细菌
热原
胶状硅土 黏土、残渣
0.0001
泡沫
0.001

0.01
0.1
1
10
100
微米
Figure 5.14
水中的各种颗粒的相对尺寸
Clean Clean Clean 颗粒数 清洗
工艺步骤数
Figure 5.21 硅片表面的颗粒数与工艺步骤数之间的函数关系
微 环 境
HEPA filters
Minienvironment chamber Class 1 Process equipmen t SMIF load/unload interface Production Bay Class 1,000
SMIF pod (Class 1 or better)
硅片湿法清洗
Micrograph courtesy of AMD, particle underneath photoresist pattern
Photo 5.2 微粒引起的缺陷
人体毛发的相对尺寸大约是 集成电路上最小特征尺寸的 500倍 集成电路最小的特征尺寸 = 0.18 mm ~90 mm
线 间距 接触孔 宽
Figure 5.5 可动离子沾污改变阈值电压
有机物沾污 有机物沾污是指那些包含碳的物 质，几乎总是同碳自身及氢结合在一起，有时也 和其它元素结合在一起。有机物沾污的一些来源 包括细菌、润滑剂、蒸汽、清洁剂、溶剂和潮气 等。现在用于硅片加工的设备使用不需要润滑剂 的组件来设计。 在特定工艺条件下，微量有机物沾污能降低 栅氧化层材料的致密性。工艺过程中有机材料给 半导体表面带来的另一个问题是表面的清洗不彻 底，这种情况使得诸如金属杂质之类的沾污在清 洗之后仍完整保留在硅片表面。
污染的类型
沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片 的任何危害微芯片成品率及电学性能的不希望有 的物质。这里将主要集中于芯片制造工序中引入 的各种类型的表面沾污。 沾污经常导致有缺陷的芯片，而致命缺陷又 是导致硅片上的芯片无法通过电学测试的原因。 据估计80％的芯片电学失效是由沾污带来的缺陷 引起的。净化间沾污分为五类： 颗粒 金属杂质 有机物沾污 自然氧化层 静电释放（ESD）
第五章
硅片制造中的沾 污控制
引

言


随着器件关键尺寸越来越小，对沾污的控制要求变 的越来越严格。本章中将介绍硅片制造中各种类型 的沾污、它们的来源以及怎样有效控制沾污等内容， 以制造包含最小沾污诱生缺陷的高性能产品。 为了控制制造过程中不能接受的沾污，半导体产业 开发了净化间。净化间以超净空气把芯片制造与外 界的沾污环境隔离开来，包括化学品、人员和常规 的工作环境。 一个硅片表面有多少个芯片，每个芯片差不多有数 以百万计的器件和互联线路，它们对沾污非常敏感。 随着芯片的特征尺寸为适应更高性能和更高集成度 的要求而缩小，控制表面沾污变得越来越关键。
尽管整个工艺过程严格控制硅片的沾污，但 沾污总是不可避免的。一旦硅片表面被沾污，沾 污物就必须通过清洗而去除。 硅片清洗的目标是去除所有表面沾污：包括 颗粒、有机物、金属和自然氧化层。因为每一个 工艺步骤都会在硅片上造成沾污，所以通过清洗 去除新的沾污是非常必要的。 占统治地位的硅片清洗方法是湿法化学清洗， 尽管20世纪80年代出现了干法清洗，但它仍然没 有完全取代湿法清洗，湿法清洗正在改进以期获 得更有效的表面清洗。
美国联邦标准 209E中各净化间 级别 对空气漂浮颗粒的限制
颗粒/立方英尺 级别 1 10 100 1,000 10,000 100,000 0.1 mm
3.50 x 10 3.50 x 102
0.2 mm
7.70 7.50 x 10 7.50 x 102
0.3 mm
3.00 3.00 x 10 3.00 x 102
超净服
超净服系统的目标是 满足以下职能标准：

对身体产生的颗粒和浮质 的总体抑制； 超净服系统颗粒零释放； 对 ESD的零静电积累； 无化学和生物残余物的释 放。
Photo 5.3 穿超净服的技术人员
硅片制造厂中的水
在芯片生产整个过程中，要经过多次的化学 刻蚀与清洗，每步刻蚀与清洗后都要经过清水冲 洗。由于半导体器件非常容易受到污染，所以所 有工艺用水必须经过严格处理，达到非常严格洁 净度的要求。 普通城市用的水中包含大量洁净室不能接受 的污染物，主要有： 溶解的矿物 颗粒 细菌 溶解氧 二氧化碳 有机物 普通水中的矿物来自盐分，盐分在水中分解 为离子。例如食盐会分解为钠离子和氯离子。每 个离子都是污染物。
有机物
金属 (不含铜)
Table5.5
RCA清洗
RCA 清洗 ( 工业标准湿法清洗工艺，由美国无 线电公司“RCA”于20世纪60年代提出)由一系列有 序的浸入两种不同的化学溶液组成： 1号标准清洗液 (SC-1) 2号标准清洗液 (SC-2) SC-1清洗液是碱性溶液，通过氧化或电学排斥 起作用去除颗粒和有机物质。 SC-2清洗液用于去除硅片表面的金属，去除机 理是用高氧化能力和低 PH 值的溶液。在这种溶液 中金属成为离子并容于具有强氧化效应的酸液中。 清洗液就能从金属和有机沾污中俘获电子并氧化它 们。电离的金属溶于溶液中，而有机杂质被分解。