半导体三极管
称来源和它们在三极管操作时的功能有关。

图中也显示出 npn
与pnp三极管的电路符号，发射极特别被标出，箭号所指的极为
n型半导体，和二极体的符号一致。

在没接外加偏压时，两个
pn接面都会形成耗尽区，将中性的p型区和n型区隔开。

pnp和npn三极管的结构及其示意图
三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关，工作区间也依
偏压方式来分类，这里我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”（forward active），在此区EB极间的pn接面维持在正向偏压，而BC极间的pn接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管都以此方式偏压。

图2(a）为一pnp三极管在此偏压区的示意图。

EB接面的空乏区由于正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，
射极的空穴会注入到基极，基极的电子也会注入到射极；而BC
接面的耗尽区则会变
宽，载体看到的位障变大，故本身是不导通的。

图2(b）画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形下，空穴和电子的电位能的分布图。

三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢？其间最大的不同部分就在于三极管的两个接面相当接近。

以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例，射极的空穴注入
基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极方向扩散，同时也被电子复合。

当没有被复合的空穴到达BC
接面的耗尽区时，会被此区内的电场加速扫入集电极，空穴在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。

IC的大小和BC间反向偏压的大小关系不大。

基极外部仅需提供与注入空穴复合部分的电子流IBrec，与
由基极注入射极的电子流InBE（这部分是三极管作用不需要的
部分）。

InB E在射极与与电洞复合，即InB E=IErec。

pnp三
极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地在图3(a）中看出。