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2018年桂林电子科技大学考博真题207半导体物理博士研究生考试试题

桂林电子科技大学
2018年硕士研究生入学考试复试试题
科目代码
207
科目名称半导体物理
A卷
适用学院
信息与通信学院
请注意:答案必须写在答题册上(写在试题上无效)。答题纸请注明页码与总页数。
一、解释什么是扩散运动。(10分)
二、解释什么是PN结内建电场?(10分)
三、解释受主杂质的电离过程(10分)
四、解释N型半导体的简并化条件(10分)
五、解释基区宽度调变效应(10分)
六、作出正向偏压下PN结能带图,并简要说明形成过程(15分)
七、作出半导体、导体、金属的能带图并解释(15分)
八、(20分)已知突变结两边的杂质浓度为NA=1E16cm-3,ND=1E20cm-3,1)求势垒高度和势垒宽度;2)画出电
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