第1章常用半导体器件1. N型半导体的多数载流子是电子,因此它应( )。
A.带负电B.带正电C.不带电答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:C问题解析:2.将PN结加适当的反向电压,则空间电荷区将( )。
A.变窄B.变宽C.不变答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:B问题解析:3.二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。
A.增大B.不变C.减小答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:C问题解析:4.电路如图所示,设全部二极管均为理想元件,当输入电压ui=10sin tV 时,输出电压最大值为10V的电路是( )。
答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:C问题解析:5.电路如图所示,D1,D2均为理想二极管,设U1=10V,ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。
A.最大值为40V,最小值为0VB.最大值为40V,最小值为+10VC.最大值为10V,最小值为-40VD.最大值为10V,最小值为0V答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:D问题解析:6.稳压管的动态电阻rZ是指( )。
A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:B问题解析:7.在放大电路中的晶体管,其电位最高的一个电极是( )。
A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:B问题解析:8.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V,VB=-1.4V,VC=5V,则该管类型为( )。
A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:A第2章基本放大电路1.如果改变晶体管基极电压的极性,使发射结由正偏导通改为反偏,则集电极电流( )。
A.反向B.近似等于零C.不变D.增大答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:B问题解析:2.晶体管处于饱和状态时,集电结和发射结的偏置情况为( )。
A.发射结反偏,集电结正偏B.发射结、集电结均反偏C.发射结、集电结均正偏D.发射结正偏、集电结反偏答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:C问题解析:3.晶体管的电流放大系数是指( )。
A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:B问题解析:4.低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于( )。
A. B.C.答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:B问题解析:5.某电路如下图所示,晶体管集电极接有电阻RC,根据图中的数据判断该管处在( )。
A.截止状态B.放大状态C.饱和状态答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:B问题解析:6.某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则该场效应管为( )。
A.P沟道耗尽型MOS管B.N沟道增强型MOS管C.P沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:B问题解析:7.已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则此管子的夹断电压约为( )。
A.0VB.+2VC.-2VD.-1V答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:C问题解析:8.已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则在UDS=10V,UGS=0V处的跨导gm约为( )。
A.1mA./VB.0.5mA./VC.-1mA./VD.-0.5mA./V答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:A问题解析:9.如图示放大电路中接线有错误的元件是( )。
A.RLB.RBC.C1D.C2答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:B问题解析:10.放大电路如图所示,由于RB1,和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真,为了改善失真,正确的做法是( )。
A.适当增加RB2,减小RB1B.保持RB1不变,适当增加RB2C.适当增加RB1,减小RB2D.保持RB2不变,适当减小RB1答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:C11.图示电路,已知晶体管,,忽略UBE,如要将集电极电流IC调整到1.5mA.,RB应取( )。
A.480kWB.120kWC.240kWD.360kW答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:A问题解析:12.电路如图所示,若晶体管的发射结被烧坏而形成开路,那么集电极电位UC 应等于( )。
A.6VB.0VC.0.6VD.5.3V答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:A问题解析:13.某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如图所示,欲使工作点移至Q'需使( )。
A.偏置电阻RB增大B.集电极电阻RC减小C.偏置电阻RB减小答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:C问题解析:14.单管放大电路如图所示,其交直流负载的正确画法是图2中的( )。
答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:A问题解析:15.对放大电路进行动态分析的主要任务是( )。
A.确定静态工作点QB.确定集电结和发射结的偏置电压C.确定电压放大倍数和输入,输出电阻ri,r0。
答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:C问题解析:16.某一固定偏置NPN管共射放大电路如图1所示,其输入和输出电压波形如图2所示,造成这种失真的原因是( )。
A.管子的值太小B.电路电源电压太高C.偏置电阻太小D.偏置电阻太大答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:C问题解析:17.如图所示的放大电路( )。
A.不能稳定静态工作点。
B.能稳定静态工作点,但比无二极管D的电路效果要差。
C.能稳定静态工作点且效果比无二极管D的电路更好答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:C问题解析:18.与共射单管放大电路相比,射极输出器电路的特点是( )。
A.输入电阻高,输出电阻低B.输入电阻低,输出电阻高C.输入,输出电阻都很高D.输入,输出电阻都很低答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:A问题解析:19. 27场效应管放大电路如下图所示,该电路的电压放大倍数( )。
A.小于但近似等于1B.约几十倍C.为答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:A问题解析:20.某两级阻容耦合共射放大电路,不接第二级时第一级的电压放大倍数为100倍,接上第二级后第一级电压放大倍数降为50倍,第二级的电压放大倍数为50倍,则该电路总电压放大倍数为( )。
A.5000倍B.2500倍C.150倍D. 1000倍答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:B21.两级阻容耦合放大电路中,第一级的输出电阻是第二级的( )。
A.输入电阻B.信号源内阻C.负载电阻答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:B问题解析:22.两级阻容耦合放大电路中,若改变第一级静态基极电流IB1,则( )。
A.第二级的基极电流随之而改变B.第二级的静态值(,,)均不改变C.第二级的静态电流不改变,但要改变答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:B问题解析:23.直流放大器中的级间耦合通常采用()A.阻容耦合(b)变压器耦合(c)直接耦合(d)电感抽头耦合答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:C第3章多级放大电路1.差分放大电路的作用是()A.放大差模信号,抑制共模信号B.放大共模信号,抑制差模信号C.放大差模信号和共模信号D.差模信号和共模信号都不放大答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:A问题解析:2.集成运放输入级一般采用的电路是()。
A.差分放大电路(b)射极输出电路(c)共基极电路(d)电流串联负反馈电路答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:A问题解析:3.集成运放的电压传输特性之中的线性运行部分的斜率愈陡,则表示集成运放的()。
A.闭环放大倍数越大(b)开环放大倍数越大(c)抑制漂移的能力越强(d)对放大倍数没有影响答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:B问题解析:4.若集成运放的最大输出电压幅度为UOM,则在情况下,集成运放的输出电压为-UOM。
A.同相输入信号电压高于反相输入信号B.同相输入信号电压高于反相输入信号,并引入负反馈C.反相输入信号电压高于同相输入信号,并引入负反馈D.反相输入信号电压高于同相输入信号,并开环答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:D问题解析:5.第一空电路的输入阻抗大,第二空电路的输入阻抗小。
第一空选择为()A.反相比例B.同相比例C.基本积分D.基本微分答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:B问题解析:6.第一空电路的输入阻抗大,第二空电路的输入阻抗小。
第二空选择为()A.反相比例B.同相比例C.基本积分D.基本微分答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:A问题解析:7.在第一空电路中,电容接在集成运放的负反馈支路中,而在第二空电路中,电容接在输入端,负反馈元件是电阻。
第一空选择为()A.反相比B.同相比例C.基本积分D.基本微分答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:C问题解析:8.在第一空电路中,电容接在集成运放的负反馈支路中,而在第二空电路中,电容接在输入端,负反馈元件是电阻。
第二空选择为()A.反相比B.同相比例C.基本积分D.基本微分答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:D问题解析:9.某一理想运算放大器开环工作,其所接电源电压为,当输入对地电压>时的输出电压为( )。
A.-2UB.-UC.+2UD.+U答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:D问题解析:10.理想运算放大器的共模抑制比为( )。
A.零B.约120dBC.无穷大答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:C11.理想运算放大器的开环电压放大倍数是( )。
A.无穷大B.零C.约120dB答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:A问题解析:12.理想运算放大器的开环差模输入电阻rid是( )。
A.无穷大B.零C.约几百千欧D.约几十欧姆答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:A第4章集成运算放大电路1.电路如下图所示,R1、R2支路引入的反馈为( )。
A.串联电压负反馈B.正反馈C.并联电压负反馈答题: A. B. C. D. (已提交)参考答案:B问题解析:2.在运算放大器电路中,引入深度负反馈的目的之一是使运放( )。