《半导体物体复习资料》
1、本征半导体是指（A ）的半导体。
A. 不含杂质和晶格缺陷
B. 电阻率最高
C. 电子密度和空穴密度相等
D. 电子密度与本征载流子密度相等
2、如果一半导体的导带中发现电子的几率为零，那么该半导体必定（
D ）。
A. 不含施主杂质
B. 不含受主杂质
C. 不含任何杂质
D. 处于绝对零度
3、对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级E F随温度上升而（
D ）。
A. 单调上升
B. 单调下降
C. 经过一个极小值趋近Ei
D. 经过一个极大值趋近Ei
4、如某材料电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料为（ C ）。
A. 金属
B. 本征半导体
C. 掺杂半导体
D. 高纯化合物半导体
5、公式中的是半导体载流子的（ C ）。
A. 迁移时间
B. 寿命
C. 平均自由时间
D. 扩散时间
6、下面情况下的材料中，室温时功函数最大的是（ A ）
A. 含硼1×1015cm-3的硅
B. 含磷1×1016cm-3的硅
C. 含硼1×1015cm-3，磷1×1016cm-3的硅
D. 纯净的硅
7、室温下，如在半导体Si中，同时掺有1×1014cm-3的硼和1.1×1015cm-3的磷，则电子浓度约为（ B ），空穴浓度为（ D ），费米能级为（ G ）。
将该半导体由室温度升至570K，则多子浓度约为（ F ），少子浓度为（ F ），费米能级为（ I ）。
（已知：室温下，
n i≈1.5×1010cm-3；570K时，n i≈2×1017cm-3）
A、1×1014cm-3
B、1×1015cm-3
C、1.1×1015cm-3
D、2.25×105cm-3
E、1.2×1015cm-3
F、2×1017cm-3
G、高于Ei H、低于Ei I、等于Ei
8、最有效的复合中心能级位置在（ D ）附近；最有利陷阱作用的能级位置在（ C ）附近，常见的是（ E ）陷阱。
A、E A
B、E D
C、E F
D、Ei
E、少子
F、多子
10、对大注入条件下，在一定的温度下，非平衡载流子的寿命与（ D ）。
A、平衡载流子浓度成正比
B、非平衡载流子浓度成正比
C、平衡载流子浓度成反比
D、非平衡载流子浓度成反比
14、简并半导体是指（ A ）的半导体。
A、(EC-EF)或(EF-EV)≤0
B、(E C-E F)或(E F-E V)≥0
C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度
D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子
1、锗的晶格结构和能带结构分别是（ C ）。
A. 金刚石型和直接禁带型
B. 闪锌矿型和直接禁带型
C. 金刚石型和间接禁带型
D. 闪锌矿型和间接禁带型
3、在某半导体掺入硼的浓度为1014cm-3, 磷为1015cm-3，则该半导体为（ B ）半导体；其有效杂质浓度约为（ E ）。
A. 本征，
B. n型，
C. p型，
D. 1.1×1015cm-3,
E. 9×1014cm-3
4、当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（ B ），并且该乘积和（E、F ）有关，而与（ C、D ）无关。
A、变化量；
B、常数；
C、杂质浓度；
D、杂质类型；
E、禁
带宽度； F、温度
5、在一定温度下，对一非简并n型半导体材料，减少掺杂浓度，会使得（ C ）靠近中间能级E i；如果增加掺杂浓度，有可能使得（ C ）进入（ A ），实现重掺杂成为简并半导体。
A、E c；
B、E v；
C、E F；
D、E g；
E、E i。
67、如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（C）。
A、变大，变大
B、变小，变小
C、变小，变大
D、变大，变小
9、一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照
突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（ C ）。
A、1/4
B、1/e
C、1/e2
D、1/2
10、半导体中载流子的扩散系数决定于该材料中的（ A ）。
A、散射机构； B 、复合机构；
C、杂质浓度梯度； C、表面复合速度。
11、下图是金属和n型半导体接触能带图，图中半导体靠近金属的表面
形成了（D ）。
A、n型阻挡层
B、p型阻挡层
C、p型反阻挡层
D、n型反阻挡层
12、欧姆接触是指（ D ）的金属－半导体接触。
A、W ms=0
B、W m s＜0
C、W m s＞0
D、阻值较小并且有对称而线性的伏－安特性
13、MOS器件中SiO2层中的固定表面电荷主要是（ B ），它能引起半导体表面层中的能带（ C ）弯曲,要恢复平带，必须在金属与半导体间加（ F ）。
A．钠离子； B硅离子.；C.向下；D.向上；E. 正电压；F. 负电压
1. 受主是能增加（B）浓度的杂质原子，施主是能增加（A）浓度
的杂质原子，
A、电子
B、空穴
2. 如果杂质在化合物半导体中既能作施主又能作受主的作用，则这
种杂质称为（ B ）。
A、受主
B、两性杂质
C、施主
3. 对于掺杂浓度为N D的非简并半导体，0 K下，其电子浓度=（ D
）；在低温下，其电子浓度=（ B ）；在高温本征温度下，其
电子浓度=（ C ）；
A、N D
B、n D+
C、n i
D、0
4. 对于宽带隙的半导体，激发电子从价带进入导带需要更（ A ）
的能量，本征温度区的起始温度更（高）。
5. 电子是（A），其有效质量为（D）；空穴是（B），其有效质
量为（C）。
A、粒子
B、准粒子
C、负
D、正
E、 0
7. p型半导体中的非平衡载流子特指（ C ），其空穴的准费米能级（
I ）电子的准费米能级。
A、n0
B、p0
C、Δn
D、Δp
E、n
F、p
G、高于 H、等于 I、小于
8. 在室温下，低掺杂Si的载流子散射机制主要是（ B D ）。
A、压电散射
B、电离杂质散射 C. 载流子-载流子散射D.晶格振动散射
9.
适用于（ B ）半导体。
A、简并
B、非简并
10. Ge和Si是（ B ）能隙半导体，（ D）是主要的复合过程。
而GaAs 是（ A）
能隙半导体，（ C ）是主要的复合过程。
A、直接
B、间接
C、直接复合
D、间接复合
11. 在外加电场作用下，载流子的（C）运动是定向的。
在无外加电场时，载流子的（ B）运动是随机的。
A、扩散
B、热
C、漂移
12. p型半导体构成的MIS结构，若W m >W s，假定绝缘层中无电荷时，其
平带电压 ( A )。
A、VFB>0
B、V FB<0
C、V FB=0
14. 金属与n型半导体形成阻挡层，其功函数需满足（ A ），该结构
正向电流的方向是（ D ）。
A、W m>W s
B、W m<W s
C、W m=W s
D、从金属到半导体
E、从半导体到金属。