1.电子空穴对的产生以及复合：太阳能电池通过吸收光子提供一电子-空穴对的最小的激发能量Eg，把电子从价带碰撞进入导带，这样就产生了电子-空穴对。

电子-空穴对能够在半导体中产生，也可以复合在半导体中消失。

辐射复合是电子-空穴对产生的反过程（即一个电子从导带到价带中未被占领的状态跃迁，同时释放能量。

2.P_N结伏安特性曲线：
3.异质结：在电子和空穴的分离过程中，电子流向左方N型半导体，空穴流向右方P型半导体。

此时，电子的电化学势能以及电子的费米能级朝右方衰减，此时，也存在着向错误方向的传输，即电子流向右方p型层，和空穴流向左方n 行层，于总电流相关的电科电流减少。

而要解决这一问题需要一种结构。

吸收半
导体位于中间，两侧分别拥有大的能隙，并且具有不同的电子亲和能。

这种结构
叫做异质结。

4.非晶硅薄膜太阳能电池：一.优点：制作工艺简单，在制备非晶硅薄膜的同时就
能制作pin结构。

可连续大面积自动化批量生产。

非晶硅太阳能电池衬底材料可
以是玻璃，不锈钢等，因而成本低。

可以设计成各种形式，利用集成型结构，可
获得更高的输出电压和光电转换效率。

薄膜材料是用硅烷SiH4等的辉光放电分
解得到的，原材料价格低。

缺点：初始光电转换效率较低，稳定性较差。

二.a-Si
太阳能电池效率低的原因：1）a-Si材料的带隙较宽，实际可利用主要光谱域是
0.35-0.7Um波长，相对的较窄。

2）电池开路电压与预期相差较大。

迁移边存
在高密度的尾态。

材料多缺陷，载流子扩散长度很短。

3）a-Si材料隙态密度较高，载流子复合几率较大，二级管理向因子通常大于二，与n=1的理想情况相差较大。

4）电池P区和N区的电阻率较高。

TCO/p-a-si或者n-a-si接触电阻较高，甚至存在界面壁垒，带来附加的能量损失。

结构：非晶硅太阳能电池是以玻璃，不锈钢及特种塑料为衬底的电池，结构如图所示。

为了焦山串联电阻，通常用激光器将TCO膜，非晶硅（a-Si）和铝电极膜分别切割成条状。

非晶硅薄膜的制备：把硅烷(SiH4)等原料气体导入真空度保持在10～1000P 的反应室中，由于射频(RF) 电场的作用，产生辉光放电，原料气体被分解，在玻璃或者不锈钢等衬底上形成非晶硅薄膜材料。

5.影响太阳能转化效率的因素：能隙——半导体能隙在1eV到1.5eV之间对太阳能电池是适合的
6.光生伏打效应：当太阳光或其他光照射到太阳电池上的时候，电池吸收光能，产生电子-空穴对，在电池内建电场的作用下光生电子和空穴被分离，电池两端出现异号电荷的累积，即产生光生电压，这就是光生伏打效应。