Compatible with
Existing Ics
1997
Flip Chip
Technolory
(FCT)
Ultra CSP
經由兩層高分子(BCB)介電層與一層金屬層，使得I/O重新佈局。然後再印上錫膏形成凸塊
Flash,
DRAM,
SRAM
1998
Fujitsu
Super CSP
(SCSP)
先將I/O重新佈局後再將整片晶片(正面)進行模壓(Molding)，然後再進行植球(Ball Mount)、切割等步驟
各種晶圓級製程的封裝技術比較表
公司名稱
產品名稱
封裝技術特點
應用產品
發表時間
Chipscale
Micro SMT
(MSMT)
晶片正面封膠並加蓋(cap)，只適用於四週引腳銲墊(pad)及低腳數的產品。
Microwave Diode,
TransLeabharlann stor,RFIC1994
EPIC
在晶片上再製作兩層積層(built-up)電路，使得I／O重新佈局(Redistribution)，再製作銅凸塊(bump)並鍍上Ni/Au
Flash
SRAM
Other Memory
1998
National Semicondustor
(NS)
ΜSMD
晶片的背面以封膠保護，正面再以Polyimide保護，接點處製作錫鉛凸塊
Low-pin-count
Application
1998
Sandia
MBGA
經由兩層高分子(Polyimide)介電層與兩層金屬導電層，使得I/O重新佈局，然後製作金屬凸塊(金或錫鉛凸塊)
1996
ASICs
Memory
DSPs
Microcontroller
1995
ShellCase
Shell-PACK
Shell-BGA
晶粒上下均有玻璃保護的三明治結構，金屬導線由package的側面引至玻璃上再重新佈局，再於玻璃表面製作外接引腳或印上錫膏形成凸塊
ASICS
EEPROM
Memory
Optical Devices