晶硅太阳电池表面钝化 孙振华
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晶硅太阳电池表面钝化的必要性 晶硅阳电池表面钝化的必要性
悬挂键
表面态能级的位置 与表面态密度有关。 表面态密度越大， 能级越趋于深能级， 复合能力越大。
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晶硅太阳电池表面钝化的必要性
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晶硅太阳电池表面钝化的类型 氧化层钝化 非晶SiNx钝化 SiO2/SiNx叠层钝化 背场钝化
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氧化层钝化
CTO(经典热氧化)：1050 ℃+38min=105nm氧化层 RTO(快速热氧化)：1050 ℃+2min=12nm氧化层 氧化层厚度越厚，钝化效果越好。 SiO2对n型硅的钝化效果要比p型硅好。 SiO2钝化层需要高温长时间热处理，容易造成材料污染，材料体质量 的恶化。 由于SiO2的绝缘性，使用时需要设计特殊的接触结构。
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非晶SiNx钝化 SiH4+NH3=SiNx+H2
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非晶SiNx钝化
SiNx的钝化效果还受热处理温度、热处理气氛等的影响
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SiO2/SiNx叠层钝化
先在硅表面热氧化一层薄氧化层，然后PECVD一层SiNx。
钝化效果好 仍需要设计特 殊的背接触结 构
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各种钝化方法间的比较
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背场钝化
B背场需要用离子注入，或者高温热扩散，成本高。 铝背场容易实现，生产效率高，处理温度较低。
铝背场的钝化效果与烧结温度、印刷重量和铝背场形成的 均匀性有关。
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