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半导体存储器原理实验报告

_管理_学院__信息管理与信息系统_专业_2_班______组、学号
3109005713___姓名_吴兴平_ ___协作者_林敬然__________
教师评定_____________

半导体存储器原理实验
1. 实验目的与要求

实验目的:(1)掌握静态存储器的工作特性及使用方法。(2)掌握半导体随机存储器如何存储
和读取数据。

实验要求:按练习一和练习二的要求完成相应的操作,并填写表2.1各控制端的状态及记录
表2.2的写入和读出操作过程。

2. 实验方案:
(1)使用了一片6116静态RAM(2048×8位),但地址端A8-A10脚接地,因此实际上存储
容量为256字节。存储器的数据线D7-D0接至数据总线。

(2)使用一片8位的74LS273作为地址寄存器(AR),地址寄存器的输出端接存储器6116
的地址线A7-A0,所以存储单元的地址由地址存储器AR提供。

(3)数据开关(INPUT DEVICE)用来设置地址和数据,它经过一个三态门74LS245与数据
总线相连,分别给出地址和数据。

(4)地址显示灯A D7-AD0与6116地址线相连,用来显示存储单元的地址,数据总线上的显
示灯B7-B0用来显示写入存储单元的数据或从存储单元读出的数据。

(5)存储器有三个控制信号:CE片选信号、OE读命令信号、WE写信号。当片选信号CE=
0时,RAM被选中,可以进行读/写操作;当CE=1时,RAM未被选中,不能进行读/写操作。
读命令信号OE在本实验中已固定接地,在此情况下,当CE=0,WE=1时,存储器进行写
操作,当CE=0,WE=0时,存储器进行读操作。
(6)LDAR是地址存储器AR存数控制信号。
(7)按图连接好实验电路,检查无误后通电。
(8)将表2.2的地址和内容转化为二进制。
(9)参考以上操作,向存储器单元里先写第一个单元的地址、然后向第一个地址,再写第二
个地址,然后向第二个地址单元写内容,就这样不断循环操作,直到做完。

3. 实验结果和数据处理:
(1)填写表2.1各控制端的状态。如下图所示:
表2.1

(2)记录表2.2的写入和读出操作过程。
向存储器的00H,01H,02H,03H,04H,05H,06H地址单元分别写入数据AAH,55H,
33H,44H,66H,08H,F0H(十六进制),如表所示:

地址(十六进制) 内容(十六进制)
00 AA

控制信号 写地址 写内容 读内容
SW-B 0 0 1
LDAR 1 0 0
CE 1 0 0
WE 0/1 1 0
01 55
02 33
03 44
04 66
05 08
06 F0
1)设置输入控制端的开关状态:将实验仪左下方“INPUTDEVICE”中的8位数据开关D7—D0
设置为00000000。

2) 写地址操作。SW-B=0, LDAR=1, CE=1, WE=0/1, 设置好各类数据后,按一下微动开关
START即可。最后,关闭AR地址寄存器的存数控制信号:LDAR=0。完成写地址操作。

3) 写内容操作。SW-B=0, LDAR=0, CE=0, WE=1, 输入好各项数据后,按一下微动开关
START即可。最后,关闭片选信号和写命令信号:CE=1, WE=0。存储器写命令操作完毕。

4) 读内容操作。首先完成写地址操作(参照(2)),再做读内容操作。读内容操作:SW-B=1,
LDAR=0, CE=0, WE=0。不需要脉冲,即不要按微动开关START。此时地址的内容通过”BUS
UNIT”中数据显示灯B7-B0显示出来。

5)注意先写第一个地址,然后读出第一个地址单元的内容。再写第二个地址,然后读出第
二个地址单元的内容,就这样不断循环操作即可读出各地址单元的内容。

6) 依次读出表中各地址单元的内容,观察各单元中的内容与写入内容是否一致。
7) 结果一致,读写操作顺利完成。
4. 结论:
存储器的工作特性及使用方法是先做写地址操作,将数据写入地址寄存器AR里,再对存储
器的地址单元进行写内容操作写入相关数据,最后再读出地址单元的内容。半导体随机存储
器是用来存取和读取数据的,6116型RAM存储器是可写和可读的,每次把数据存入地址,
可做相应的操作把数据读出。但是断电时会把数据清空的,即不具有断电保护性。

5. 问题与讨论及实验总结:
问题讨论:
(1)向存储器存数时,先存一个地址,接着是存在该地址存储的内容。然后才是第二个地
址,第二个地址的内容。在读出存储器的内容时,要先输入要读取内容的地址,才可以读取
该地址的内容。只有先完成写地址操作才知道数据存在哪里,即不能先连续输入所有的地址,
再连续输入所有的内容或连续读出所有的内容。因为一个地址要对应一个内容,如果先连续
输入所有地址再输入数据内容,会造成数据混乱,造成实验失败。若连续输入地址数据要输
入正确则要每次输入完数据后读出下一个正确的地址再输入数据。(2)SW-B、CE为低电
平有效(SW-B=0,CE=0时有效),LDAR、WE为高电平有效(LDAR=1,WE=1时有效)。
(3)做写地址和写内容时都要脉冲信号。(4)写地址操作完成后,要关闭LDAR。因为
LDAR是AR地址寄存器的存数控制信号,若不关闭LDAR,输入的数据会把原来AR地址
寄存器的数据冲刷掉,导致数据错误。

实验总结:
上次做实验时是临时看书的,做实验过程中出现很多错误。这次实验前弄清了实验原理,做
起实验来就得心应手,很快就把实验做好了。

6. 思考选择题:(单选题)
1、( A ) 2、( B ) 3、( A )
4、( B ) 5、( B ) 6 、( B )

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