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光电检测技术作业答案

光电检测技术作业2
光电导灵敏度S g=0.5 X10-6 S / 1. 设某只C dS 光敏电阻的最大功耗为30mW,
lx ,暗电导 g
=0 。

试求当 CdS 光敏电阻上的偏置电压为 20V 时的极限照度。

2. 在如图所示的照明灯控制电路中,将上题所给的CdS 光敏电阻用作光电传
感器,若已知继电器绕组的电阻为 5 K,继电器的吸合电流为 2mA,电阻R 1K。

求为使继电器吸合所需要的照度。

要使继电器在3lx 时吸合,问应如何调整电阻器R?
3. 在如图所示的电路中,已知R
b 820,R
e
3.3k,U
w
4V ,光
敏电阻为R
p
,当光照度为40lx 时输出电压为6V,80lx 时为9V。

设该光敏电阻在30~100lx 之间的值不变。

试求:
(1)输出电压为8V 时的照度。

(2)若R e 增加到6k,输出电压仍然为8V,求此时的照度。

(3)若光敏面上的照度为70lx,求R e 3.3k与R e 6k时输出的电压。

(4)求该电路在输出电压为 8V 时的电压灵敏度。

4. 影响光生伏特器件频率响应特性的主要因素有哪些?为什么PN结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于107 Hz?
5 为什么在光照度增大到一定程度后,硅光电池的开路电压不再随入射照度的增大而增大?硅光电池的最大开路电压为多少?为什么硅光电池的有载输出电压总小于相同照度下的开路电压?
6 硅光电池的内阻与哪些因素有关?在什么条件下硅光电池的输出功
率最大?
答:(1)极电容,串接电阻,串接电阻越小越好。

(2)显然,存在着最佳负载电阻Ropt,在最佳负载电阻情况下负载可以
获得最大的输出功率Pmax
7 光生伏特器件有几种偏置电路?各有什么特点?
8. 选择最适当的答案填入括号中(只有一个答案正确)
(1)用光电法测量某高速转轴(15000r / min )的转速时,最好选用(D)为光电接收器件。

A PMT
B CdS 光敏电阻
C 2CR42 硅光电池
D 3DU 型光电三极管
(2)若要检测脉宽为107 s 的光脉冲,应选用(A)为光电变换器件。

A PIN 型光电二极管
B 3DU 型光电三极管
硅光电池
C PN 结型光电二极管D2 CR
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(3)硅光电池在(D)偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且动态范围较大。

A 恒流
B 自偏置
C 零伏偏置
D 反向偏置
(4)硅光电池在(B)情况下有最大的功率输出。

A 开路
B 自偏置
C 零伏偏置
D 反向偏置
9. 假设调制波是频率为500Hz,振幅为5V,初相位为0 的正弦波,载波频率为10kHz,振幅为50V,求调幅波的表达式、带宽及调制度。

10. 利用 2CU22 光电二极管和 3DG40 三极管构成如下图所示的探测电路。

已知光电二极管的电流灵敏度 Si =0.4 A / W ,其暗电流I D =0.2 A ,三极管 3DG40 的电流放大倍数 =50 ,最高入射辐射功率为 400 W 时的拐点电压 UZ = 1.0V 。

求入射辐射功率最大时,电阻 Re 的值与输出信号Uo 的幅值。

入射辐射变化 50W 时的输出电压变换量为多少?利用2CU22 光电二极管和3DG40 三极管构成如图3-46 所示的探测电路。

已知光电二极管的电流灵敏
度S
i 0.4 A / W ,其暗电流I
D
0.2 A ,三极管3DG40 的电流放大倍数50 ,最高入射辐射功率为 400 W 时的拐点电压U Z 1.0V 。

求入射辐
射功率最大时,电阻R
e 的值与输出信号U
o

幅值。

入射辐射变化50W 时的输出电压变换
量为多少?
11. 真空光电倍增管的倍增极有哪几种结构?各有什么特点?
12 何谓光电倍增管的增益特性?光电倍增管各倍增极的发射系数δ与哪些因素有关?最主要的因素是什么?
13 光电倍增管产生暗电流的原因有哪些?如何降低暗电流?
14. 怎样理解光电倍增管的阴极灵敏度和阳极灵敏度?二者的区别是什么?二者有什么关系?
15. 光电倍增管G DB44F 的阴极光照灵敏度为0.5μA/lm,阳极灵敏度为50A/lm,要求长期
使用时阳极允许电流限制在2μA 以内。

求:
(1)阴极面上允许的最大光通量。

(2)当阳极电阻为75KΩ时,最大的输出电压。

(3)若已知该光电倍增管为12 级的C s3Sb 倍增极,其倍增系数0.2(U DD)0.7 ,实计算它的供电电压。

(4)当要求输出信号的稳定度为1%时,求高压电源电压的稳定度。

16. 为什么说发光二极管的发光区在P N 结的P区?这与电子、空穴的迁移率有关吗?
17 为什么发光二极管必须在正向电压下才能发光?反向偏置的发光二极管能发光吗?
18. 产生激光的三个必要条件是什么?粒子数反转分布的条件是什么?为什么 LD 必须有谐振腔?
19. 半导体激光器有什么特点?LD 与L ED 发光机理的根本区别是什么?为什么L D 光的相干性要好于L ED 光?
20. 假设两块光栅的节距为0.2mm,两光栅的栅线夹角为1°,求所形成的莫尔条纹的间隔。

若光电器件测出莫尔条纹走过10 个,求两光栅相互移动的距离。

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