• 反应特点：１.自身催化反应２.一定时间
•
内沉积一定厚度的铜层
• 工艺控制：温度３０-3５°C
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时间１４-１６ min
化学沉铜介绍
化学沉铜（Ｅlectroless Copper)
• 主要副反应：
• Cu2++HCHO+OH-Cu２O+ HCOO-+H20 • Cu２O+ H20 Cu+ Cu2++ OH• HCHO+ OH- HCOO-+CH3OH • 解决方法：１.维持鼓气２.加强过滤３.周
化学沉铜介绍
直接电镀
• 特点：１.不含ＥＤＴＡ、ＨＣＨＯ等
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２.反应为物理吸附过程，易控制。
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３.工艺流程简化
•
４.适用于水平或垂直
• 分类：１.Ｐd导电金属薄层
•
２.导电高分子材料
•
３.炭或石墨导电层
化学沉铜介绍
钯系列
• 常见工艺流程： • （去钻污处理） 整孔 预浸 催化
加速 硫化 后处理 微蚀 • 供应商：Shipley、Atotech、Blasberg等 • 适用设备：水平线及垂直线
•
MnO2还原
• 工艺控制：温度40-50°C
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时间4-8 min
化学沉铜介绍
化学沉铜
• 工艺流程： • 调整 微蚀 预浸 催化 加速
沉铜
化学沉铜介绍
调整（Conditioner)
• 目的：调整孔壁电性，利于对胶体钯的
•
吸附
• 工艺控制：温度45-55°C
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时间4-8 min
化学沉铜介绍
• 目的：将钯Ｐd周围的Ｓn沉积物除去
• 工艺控制：温度2０-3０°C
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时间３-５ min
• 反应原理：
• Sn(OH)2+ Sn(OH)4+Ｈ- Sn2++ Sn4++H2O
化学沉铜介绍
化学沉铜（Ｅlectroless Copper)
• 反应原理：Cu2++2HCHO+4OH- Pd Cu+
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2HCOO-+2H20+H2
碳黑系列
• 常见工艺流程： • （去钻污处理） 清洁 整孔 黑孔
化 干燥 微蚀准备 微蚀 水洗 • 供应商：MacDermid、Electro-chemical等 • 适用设备：水平线及垂直线
化学沉铜介绍
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时间1-2 min
化学沉铜介绍
催化（Ｃatalyst）
• 目的：孔壁吸附沉铜反应所需的催化剂
•
钯胶体（Ｐd[SnCL3]n -)
• 工艺控制：温度 40-45°C
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时间 4-6 min
• 钯胶体的水解：Ｐd（SnCL３）－＋Ｈ２ ＯＰd+Sn(OH)2+ Sn(OH)4+CL-
化学沉铜介绍
加速（Ａccelerator)
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期性维护沉铜槽
化学沉铜介绍
品质控制
• １.背光检查：要求８级 • ２.沉铜厚度：０.３－０.５um • ３.去钻污厚度：０.２－０.２５mg/cm2 • ４.层间结合：热冲击实验、金相切片
化学沉铜介绍
问题及设备加工能力
• 问题：１.孔内无金属
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２.孔壁粗糙
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３.层间分离
• 加工能力：１.加工尺寸：２４“*４０”、 板厚０.８－３.２mm、板厚孔径比１０：１２. 最大加工产能３５０００m2/月
• MnO4+C+OH MnO42-+CO2+2H2O
• 副反应: MnO4-+OH-MnO42-+O2+2H2O
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MnO42-+H20 MnO2+O2+2OH-
工艺控制: 温度75-85°C
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时间10-20 min
化学沉铜介绍
中和（Reducing)
• 目的：将残留于孔壁的MnO4-、MnO42-、
化学沉铜介绍
化学沉铜工艺分类
• 催化剂分类：１.胶体钯Ｐd（SnCL３）－
•
２.离子钯Ｐd2+
• 沉铜厚度分类：１.沉薄铜（０.３－０.５um）
•
２.沉厚铜（１.２－２.５um）
化学沉铜介绍
化学沉铜存在的缺点
• １.溶液中含有ＥＤＴＡ，废水处理难． • ２.使用甲醛作还原剂，甲醛是致癌物 • 质不利于健康． • ３.氧化还原反应，过程控制难．
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合良好.
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2. 改善孔壁结构,加强结合力.
• 工艺流程: 溶胀 去钻污 中和
化学沉铜介绍
溶胀(Swelling)
• 目的: 使树脂表面膨胀,降低分子键能,利
•
于去钻污反应的进行.
• 工艺控制: 温度60-80°C
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时间5-10 min
化学沉铜介绍
去钻污(Desmearing)
• 目的:利用KMnO4的强氧化性,将钻污除去 • 反应原理:
化学沉铜介绍
导电性高分子系列
• 常见工艺流程： • （去钻污处理） 整孔 KMnO4氧化
处理 有机单体催化处理 浸酸 • 原理：C+KMnO4 CO2+MnO2 • MnO2+ 吡咯 导电性聚吡咯 + Mn2+ • 供应商：Atotech、Blasberg等 • 适用设备：水平线及垂直线
化学沉铜介绍
微蚀（Micro Etch)
• 目的：1. 清洁板面
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2. 板面形成粗糙结构,保证沉铜层
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与基材铜的结合力.
• 反应原理:Cu+Na2S2O8 CuSO4+Na2SO4 • 工艺控制：温度25-35°C
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时间1-3 min
化学沉铜介绍
预浸(Predip)
• 目的: 防止前工位处理对催化槽的污染
• 工艺控制：温度 常温
• 目的：在基材表面沉积导电层，实现层 间电气连接
• 化学沉铜（Electroless Copper) • ＰＴＨ：Ｐlating Through Holes
化学沉铜介绍
生产流程
• 刷板 去钻污处理 化学沉铜
化学沉铜介绍
刷板
••Leabharlann 目的：1. 去孔口毛刺•
2. 板面清洁
化学沉铜介绍
去钻污处理
• 目的: 1. 去除内层铜箔残留的钻污,保证结