深圳市恒丰德电子有限公司
SHENZHEN HIGHFOUND CO., LTD
摘要
恒丰德公司 WINSEMI 产品线 产品特性 抗冲击特性比较 导通压降特性比较 SCR特性比较 MCR温度特性曲线 BJT的开关时间比较 可靠性测试标准
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WINSEMI产品线
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WINSEMI产品
Power BJT 分离式 功率器件产品线
漏极电流ID
漏源极电压VDS
VV X10= VDS
注：其中有几颗常规料沿袭了IR公司的编码如：640(18N20); 730(6N40); 740(10N40); 830(5N50); 840(8N50); 3710(59N10)
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POWER MOSFET-功率场效应管（1）
11
POWER MOSFET-功率场效应管（2）
TO202-3
TO126 TO252
TO220Insulated
Z0405MF
TO220
WTPA12A60TW STPB12A60TW
TO220Insulated TO220
BTA12-600TW BTB12-600TW MAC12-8FP BTA212-600E
注： ST尾缀 S<5mA; T<10mA; B<35mA; C<50mA PHI尾缀 D<5mA; E<10mA; F<25mA; 空<35mA; G<50mA
It gives : a narrow current gain to minimize asymmetry switching which induce device to destruct. 较小的电流增益使开关电源的不对称减到最小。 a wide forward biased SOA and reverse biased SOA. a enhanced switching speed and low dynamic Vce(sat) which makes system efficiency high. 更快的交换速度以及稳定的集电极-发射极电压，使系统效率更高，更稳定
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BJT Package
TO92 -ECB
TO126-ECB
TO126-BCE
TO220-BCE
TO220F-BCE
TO3P-BCE
7
BJT-双极型晶体管（1）
8
BJT-双极型晶体管（2）
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Power MOSFET命名规则
SF X AA N VV
封装型号代码
P: TO220; F: TO220F W:TO3P U: TO251/IPAK D: TO252/DPAK I : TO262/I2PAK B: TO263/D2PAK
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WINSEMI产品应用领域
TRIAC
AC
Diode SCR
AC
BJT MOSFET IGBT/IPM FRD/SBD
DC
WINSEMI's all power semiconductor makes power electronics to be well
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产品特性
Power Transistor for Ballast and S.M.P.S
集电极电流I A： 1=0.5A； 2=1.25A； 3=1.5A; 5=4A; 7=8A; 9=12A
C
注：1）对于TO126封装的SBR13003的尾缀字母A表示管脚顺序ECB，而 字 母B表示BCE.(印记面向上，从左至右） 2）若有尾缀D字母或数字，则D表示对应的BJT内带二极管；而数字表示 芯片的大小。
4
8
3
3 2 1
13
2
3
6
Current (A)
Current(A)
2
4
1
2
0 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
0 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
VTM(V)
VTM(V)
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SCR特性比较
MCR100-6 test result
项目 规格 最小值 VDRM 400V VRRM VTM IGT VGT IL IH
Voltage Package Code
P: TO220 F: TO220F R: TO126 N: TO92 W: TO3P U: TO251/IPAK D: TO252/DPAK I： TO262/IPAK B: TO263/D2PAK H: TO202 M: SOT223 K: SOT89
80: 80 X10=800V
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对应物料
WINSEMI STN1A60 PKG TO92 ST Z00607MA ON MAC97A6 NXP（PHI） BT131-600 BT134-600D/E T810-600B BTA08-600T BTB08-600T BT137-600E BT137S-600E
STH4A60S
STR4A60S WTD8A60T WTPA8A60T WTPB8A60T
Triac/SCR
Improved Technology gives : a various package including surface mounted.包括贴片的封装形式 : a low forward voltage drop。更低的正向压降 . : an higher avalanche ruggedness.更高的电压/时间斜率 : better commutation di/dt & dv/dt 更好的 di/dt & dv/dt 转换 27
最大值
典型值 WINSEMI 最小值 最大值 典型值
856.8V 844.8V 860.0V 763.7V
-400V
-873.3V -950.9V -789.1V -739.3V
1.7V
1.21V 1.20V 1.22V 1.51V
200μA
36μA 34μA 38μA 44μA
0.8V
0.599V 0.595V 0.609V 0.636V
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SCR命名规则
SC X AA C VV S
封装型号代码
P: TO220; F: TO220F W:TO3P U: TO251/IPAK D: TO252/DPAK M: SOT223 H: TO202 N: TO92
耐压VDRM
VV X10= VDRM 平均电流IT(RMS)或IT(AV)
属性代码
PKG TO92 TO202-3
ST X00605MA X0405MF
ON MCR100-6/8
NXP（PHI） BT169D/E
SCP12C60
SCP20C60
注：MCR100-6
TO220
TO220
TYN612
2N6404
BT151-600
BT152-600
IGT分档 B=20-40uA; C=30-50uA; D=50-70uA; E=70-90uA
: :
Power MOSFET
Improved Technology gives 改进的工艺使之具备： : an excellent figure of merit (rds(on)*Qg). : a better thermal resistance.更灵敏的热阻效应。 : a higher avalanche dv/dt characteristic. 更高的电压/时间比
属性代码
S：sensitive 灵敏型 4Q 对于4A以上 空：标准型 3Q 对于4A以下 空：4Q
注：此命名是芯片采用MIT方案，FSC框架
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TRIAC命名规则（2）
WT X AA T VV GQ
封装型号代码 PA: TO220Insulated
PB: TO220 F: TO220F W:TO3P U: TO251/IPAK D: TO252/DPAK M: SOT223 H: TO202 N: TO92
5mA
0.235mA 0.210mA 0.258mA 0.447mA
5mA
0.21mA 0.18mA 0.24mA 0.429mA
S：sensitive 灵敏型 4Q 对于4A以上 空：标准型
注：对于个别通用物料采用国际惯例，如MCR100-6，MCR100-8是应 用MOT（现在的ONSEMI）的命名。
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SCR-单向可控硅（1）
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SCR-单向可控硅（2）
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对应物料
WINSEMI MCR100-6/8 SCH4C60S
Type code marking
A: Applied to TRIAC N: N-channel MOSFET C: Applied to SCR S: Single Diode D: Dual Diode
Currernt
8: 8A
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BJT命名规则
SB X 1300 A
封装型号 X：
P=TO220; R=TO126; N=TO92; F=TO220F; W=TO3P
Triac/SCR
Power MOSFET FRD/SBD
IGBT/IPM
WINSEMI产品都通ROHS和REACH检测，其中可控硅的SVHC报告是按新30项来检测的
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产品命名规则
S T F 8 A 80
Semiconductor
Type Code:
B:BJT双极型晶体管 F:MOSFET MOS管 T:TRIAC双向可控硅 C:SCR单向可控硅 D:FRD超快恢复二极管 S:SBD肖特基二极管
FAIL
2.4ms Fail ( IRF830A)
IRF830A(FS), 5A/DIV 1ms/DIV