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模电课后(康华光版)习题答案4,5,6,8习题

第四章部分习题解答4.1.3 某 BJT 的极限参数 l cM =100mA P cM =150mW ,V( BRCE O =3OV , 若它的工作电压 V :E =10V,则工作电流l c 不得超过多大?若工作电流 I c =1mA 则工作电压的极限值应为多少?解:BJT 工作时,其电压和电流及功耗不能超过其极限值,否 则将损坏。

当工作电压 V 确定时,应根据P CM 及 I CM 确定工作电流l c , 即应满足 I C V:E W P CM 及 I c W I CM 。

当 V:E =10V 时P CMI C15 mAV CE此值小于I cM=100mA 故此时工作电流不超过15mA 即可。

同理,当工 作电流I c 确定时,应根据I C V:E W P CM 及V CE W V (BR ) CEO 确定工作电压V:E 的 大小。

当I c =1mA 时,为同时满足上述两个条件,则工作电压的极限 值应为30V 。

4. 3. 3若将图题3.3.1所示输出特性的BJT 接成图题3.3.3所示电路,并设 V=12V, R=1k Q ,在基极电路中用 V BB =2.2V 和R=50k Q 串联以代替电流源i B 。

求该电路中的I B 、I C 和 V CE 的值,设V B E =0.7V 。

fc/m A图题3.3.3图题3.3.1解:由题3.3.1已求得p =200,故V BB —V BEI B0.03 mAR bI C = p I B =200X 0.03mA=6mA V C E =V CC -I C R C =6V435 图题3.3.6画出了某固定偏流放大电路中 BJT 的输出特 性及交、直流负载线,试求:(1)电源电压V CC ,静态电流I B 、I C 和管 压降V CE 的值;(2)电阻F b 、R e 的值;(3)输出电压的最大不失真幅 度;(4)要使该电路能不失真地放大,基极正弦电流的最大幅值是多 少?解:(1)由图题3.3.6可知,直流负载线与横坐标轴的交点即 V CC 值的大小,故V cC =6乂由Q 点的位置可知,I B =20卩A, I c =1mAV C E =3V 。

(2)由基极回路得V cc & --------I B由集-射极回路得RC =VC C 「WE =32 I C(3)求输出电压的最大不失真幅度由交流负载线与输出特性的交点可知, 在输入信号的正半周,输 出电压V CE 从3V 到0.8V ,变化范围为2.2V ;在输入信号的负半周, 输出电压V CE 从 3V 到4.6V ,变化范围为1.6V 。

综合起来考虑,输出 电压的最大不失真幅度为1.6V 。

=• 300 k 11图题3.3.6-73(4) 基极正弦电流的最大幅值是20 ^A.439 单管放大电路如图题342所示,已知BJT 的电流放大 系数B =50。

( 1)估算Q 点;(2)画出简化H 参数小信号等效电路; (3)估算BJT 的输入电阻r be ; (4)如输出端接入4k Q 的电阻负载, 计算 A vN /V i及 A vs/V s。

解:(1 )估算Q 点V CC cI B 一 = 40I c : F l B = 2mAV CE =V CC - I C R^ 4VR b(2)简化的H 参数小信号等效电路如图解3.4.2所示。

(4)4.3.11 电路如图题3.4.4所示,已知BJT 的p =100, V B E=-0.7V(3)be「be= 200 1 一(1 •:)26 mV200 门-(1 - 50)26 mV 2 mAA v:(R // R L )-116V irberbe(5) 求AvsV iR i R b ||「be vsV iR iR s (R b ll 「be )图题3.4.2图解3.4.2(1)试估算该电路的Q 点;(2)画出简化的H 参数小信号等效电路;(3)求该电路的电压增益A ,输入电阻R 、输出电阻R ); (4)若V o 中的交流成分出现图题3.4.4b 所示的失真现象,问是截止失真还是 饱和失真?为消除此失真,应调整电路中的哪个元件?如何调整?•■■儿C 1 厂Ta- Ar D-Y图解3.4.4(3) 求 A v、R 、R 。

BJT 的输入电阻26 mV* 二 200 门-(1100 )857 门4 mA-^(Rc HRL )A v155 .6r beR i 二 R b || 5e :“ 仏=857 '-1 R o : R c解:(1)估算Q 点I B : V ^ 二 40R b(2)简化的H 参数小信号等效电路如图解--1 B 二 4mAV CE二 V cc - I c R c = 4V 3.4.4所示。

&(4) 因图题3.4.4a中的BJT是PNP管,故图题3.4.4b中出现的V o 失真是截止失真;应调整 R D ,使之减小,可消除此失真。

4.4 . 3射极偏置电路和BJT 的输出特性曲线如图题3. 5 .3所 示,已知B =60。

(1) 分别用估算公式和图解法求 Q 点;(2)求输入电阻r b e ; (3) 用小信号模型分析法求电压增益 A V; (4)求输出电压最大不失真幅 度;(5)若电路其他参数不变,如果要使 V CE =4V,问上偏流电阻为多 大?V CE =V cc -l c (2ki 」■ 3k'T) =7.75V图解法求Q 点:3小20 X10 Q3(20 - 60) 10 门 16V = 4VVB V BER e=1 .65 mA解:(1 )估算法求Q 点:由VCE =VC C - i c (R C +R e )作直流负载线 MN 由纵轴I c =1.65mA 处作水 平线与MN 交于Q 点,贝S V c P 7.8V , I B 〜28U A 。

(2)(3)V B =V E V BE =l c R eV BE -5.5V上偏流电阻4.5 .2 在图题3.6.2所示电路中,已知Rb=260k Q ,Re 二RL=51kQ , Rs=500Q , V EE=12V, p =50,试求:(1)电路的 Q 点;(2)电压 增益A v、输入电阻Ri 及输出电阻Ro; (3)若Vs=200mv 求V。

「be=r bb * (1」26 mV :-1.2kl 】I EA v■R L-100(4) 其中3X6R L 二 R c || R L- 2k-J3+6由交流负载线M‘ N‘与输出特性曲线的交点可知,输出电 压的最大不失真幅度 Mm〜11.1V-7.8V=3.3V(5) 当 V CE =4V 时V cc -V CE R cR e=2.4mAR b1V CC - V BV BR b2 :38.2k 」图题3.6.24.5.5 电路如图题3. 6. 4a 所示。

BJT 的电流放大系数为(3 , 输入电阻为r be ,略去了偏置电路。

试求下列三种情况下的电压增益 Av 、输入电阻R 和输出电阻R :①V s2=0,从集电极输出;②V s1=0, 从集电极输出;③V s2 = 0,从发射极输出。

并指出上述①、②两种情况 的相位关系能否用图b 来表示?符号“ +”表示同相输入端,即v c 与 V e 同相。

而符号“-”表示反相输入端,即V c 与V b 反相。

图题3.6.4解:(1 )求Q 点VEER b (1 J R el c=1.15mAV CE - -(V EE _l c R e ) : -6.13V(2)求 A v、R 、艮rbe… 26 mV=尙(1 • -)1.35 2A v R i I E(1」(R e || R L )= ---------------- ■: --------------- & 0.99「be* (1」(R e|| R L)二 R bll[r be- (1」(R eII R L)]、87.3k 」 R o二 R e||上:、36「1 + p(3)V S 二 200 mV 时V o =A v V i= A vR i R SRV S : 197 mV<b)(a)A v叭R =仏* (1R e R。

:、R c % + (1 + P ) R e R i②A vPR c R「be-R e R。

:R c1 + p%([亠.■R i③A v (1-)R e R i- 「be =「be * (1 * -)R e R。

=R e || -1 + P-「be ■ (1 ■ - ) R e①、②两种情况的相位关系能用图b表示,即将V s1加于“-”端, V s2加于“ +”第五章部分习题解答5.1 . 1图题431所示为MOSFE的转移特性,请分别说明各属于何沟道?如是增强型,说明它的开启电压V T二?如是耗尽型,说明它的夹断电压V P=?(图中i D的假定正向为流进漏极图题4.3.1解:由图题431可见:图a为N沟道耗尽型MOSFET其V P=-3V;图b为P沟道耗尽型MOSFET其V P=2V;图c为P沟道增强型MOSFET其V T=-4V。

5.1.2 —个MOSFET勺转移特性如图题433所示(其中漏极电流i D的方向是它的实际方向)。

试问:(1)该管是耗尽型还是增强型?(2)是N沟道还是P沟道FET?(3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压V P还是开启电图题4.3.3解:由图题433可见,它是P 沟道增强型MOSFET 其V T = — 4V 。

535 四个FET 的转移特性分别如图题4.3.4a 、b 、c 、d 所示,其 中漏极电流i D 的方向是它的实际方向。

试问它们各是哪种类型的 FET ?图题4.3.4解:由图题434可见:图a 为P 沟道JFET ;图b 为N 沟道耗尽型MOSFET 图c 为P 沟道耗尽型MOSFET 图d 为N 沟道增强型 MOSFET 5.2.9 已知电路参数如图题 444 所示,FET 工作点上的互导g m =1mS 设(1)画出小信号等效电路;(2)求电压增益cv ; (3) 求放大电路的输入电阻R 。

解:(1)画小信号等效电路图题4.4.4 图解4.4.4忽略r d ,可画出图题444的小信号等效电路,如图解444所(3)R i - R g3 (R g1 II R g2): 2075 k-5. 的电流放大系数为(3,输入电阻为「be 。

求电路的电压增益 C 、输入电阻R 及输出电阻R 的表达式。

解:(1) T i 、T 2的组态T i 为源极输出器, (2) 求 CT,图题4.5.4A v19m r be1(R c II R L )rbeA V =A V 1 A V 2gm ' ( R c1 gm r beII R L )(2) 求CV- V A V =V i19m R 1~9mRd 」,一3.31 1 2电路如图题4.5.4所示,设FET 的互导为g m , r d 很大;BJT 试说明「、T 2各属什么组态, 5. 4 T 2为共射极电路。

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