四、一半导体存在两种掺杂杂质，施主杂质浓度和受主杂质浓度分别为 ND，NA，并且ND＞NA，试求出在低温下和本征情形下费米能级在禁 带中的位置和随温度变化的趋势。
五、有一突变型PN结，结两边掺杂浓度为N0。
（1）在耗尽近似下，试求出在反向偏置电压VR下PN结势垒电容；
（2）在正向电压V下求出PN结边界处的载流子浓度；
目 录
2007年北京大学半导体物理考研真题
2008年北京大学半导体物理考研真题
2009年北京大学半导体物理考研真题 （回忆版）
2010年北京大学半导体物理考研真题 （回忆版）
2011年北京大学半导体物理考研真题 （回忆版）
2012年北京大学半导体物理考研真题 （回忆版）
2013年北京大学半导体物理考研真题 （回忆版）
三、金属和p型半导体构成的M/S结构，金属和P型半导体的功能函数分
别为 ， ，且满足
。
（1）试画出在平衡状态下的能带图；
（2）假如在金属和半导体接触的界面处存在很高的界面密度，它使得 半导体一侧肖特基势垒高度被钉扎在 值，试画出平衡状态下的能带 图；
（3）在耗尽层近似的条件下，试求解在第（2）问中的肖特基势垒的厚 度W。
（3）如果在M/S界面 禁带距价带顶 处存在无穷大界面态，画出该 情形下M/S结构的平衡能带图及其I-V特性曲线。
五、（30分）设Nmos（p- 衬底）结构的栅氧化层厚度为 ，氧化层的
介电常数为 ，金属栅和半导体功函数相同，即
， 的费米势
其中 和 分别为 的费米能级和本征费米能级。 （1）画出该MOS结构的C-V曲线；
2014年北京大学半导体物理考研真题 （回忆版）
2015年北京大学半导体物理考研真题 （回忆版）
2007年北京大学半导体物理考研真题
2008年北京大学半导体物理考研真题 一、名词解释（30分，每题5分） 1．共价键 2．有效质量 3．过剩载流子 4．迁移率 5．PN结自建势 6．间接禁带半导体 二、简答题（30分，每题15分） （1）载流子产生和复合与过剩载流子的产生和复合有何不同？简述过 剩载流子的复合与载流子产生和复合间的关系。
（3）当掺杂由Na变成2Na时，高频C-V曲线与（2）情形做比较。 六、金半接触 （1）画出正向偏置与反向偏置时的能带图。 （2）利用泊松方程求解C-V关系，并说明掺杂浓度，金属功函数，禁 带宽度对电容的影响。 （3）当半导体禁带中央存在很大界面态时，求此情况的电流表达式。
2012年北京大学半导体物理考研真题（回忆版） 说明：以下试题均来自网络的回忆版，仅供借鉴参考！ 一、名词解释 1．电导率 2．扩散电流 3．受主电离能 4．间接复合 5．平带电压 6．pn结的扩散电容 二、给出E-K关系的表达式求： （1）电子运动速度； （2）能带底的有效质量（原题）。 三、给出半导体掺杂浓度ND，引入能级ED（第三大题是这样的，这道 题不好答，结果比较开放，题目给的条件太少） （1）费米能级EF与温度的关系； （2）估算达到本征激发时的温度。 四、给出过剩载流子的寿命 ，描述了光导电产生的过程。（超纲） （1）写出光电导随时间的衰变规律； （2）掺杂浓度增加对电导率测量的影响。 五、给出N＋P结半导体，P型半导体掺杂浓度为Na，外加正向偏压 Va（常规题）。度（n）和空穴浓度 （p）乘机np的表达式。
四、（30分）金属M的功函数为 ， 的禁带宽度为 ，亲和势为 ，
功函数为 ，其中
，
。
（1）画出理想的金属/半导体（M/S）接触的平衡能带图（要求标出各 物理量的位置和相互关系）；
（2）指出该M/S接触多数载流子的类型并画出其电流-电压关系（I-V特 性）；
（2）假设在 与氧化层界面存在呈均匀分布分界面态（态密度为 ），其中在本征费米能级以上为类受主界面态， 以下为类施主界面 态，给出平带电压 的表达式，示意画出平带时的能带图；
（3）如果 在与氧化层界面存在均匀分布分界面态的同时，在氧化层
中距 界面 处存在负的固定电荷 ，给出平带电压 的表达式，并 示意画出高频C-V曲线，并与理想情形的C-V曲线比较。
（2）试求出平带电压的表达式；
（3）若在扫描时存在两种方式，即从负电压到正电压扫描和从正电压 向负电压扫描，试比较在这两种情形下的C-V曲线图。
2011年北京大学半导体物理考研真题（回忆版） 说明：以下试题均来自网络的回忆版，仅供借鉴参考！ 一、名词解释 1．半导体截流子 2．爱因斯坦 3．弛豫时间近似 4．准费米能级 5．齐纳击穿 6．超晶格 二、给定非均匀掺杂的N型半导体，要求： （1）画出平衡时的能带图； （2）求当x＝X处的载流子浓度。 三、解释半导体的电阻率随温度的变化曲线关系（刘恩科版书上的那个 图）。 四、给出p-i-N结，写出泊松方程表达式等（主要是利用泊松方程求解相 关问题，一共四问）。 五、mos结构 （1）平带电压（包括功函数差，固定电荷，界面态电荷），求解平带 电容。 （2）当平带电压Vfb＝0时，画出高频C-V特性曲线并与理想情形比 较，并说明变化原因。
（2）假设N型 的掺杂浓度为 ，写出该半导体的电中性条件表达式。 在热平衡和完全电离条件下，分别写出电子和空穴浓度的表达式。
三、（30分）已知N型半导体和P型半导体均为非简并半导体，其掺杂 浓度分别是 和 。
（1）在完全电离条件下，写出平衡PN结的自建势表达式；
（2）在突变结耗尽近似条件下，推导出PN结耗尽电容的C-V关系；
（3）如果在PN结势垒区中存在很高的复合中心，试问在正向电压下会 对正向偏置电流有什么影响。
六、金属和p型半导体构成的MIS结构，其中金属和半导体的功能函数
分别为 ， ，且满足
。在氧化层中存在陷阱，当外加栅压为
负或者由负变正时，陷阱能束缚一个电子而使得陷阱电荷为负值；否
则，氧化层中陷阱不带电荷。
（1）试画出MIS结构在平带，积累和强反型情性下的能带图；
2009年北京大学半导体物理考研真题（回忆版）
2010年北京大学半导体物理考研真题（回忆版）
说明：以下试题均来自网络的回忆版，仅供借鉴参考！
一、名词解释
1．有效质量近似
2．E-K关系
3．迁移率
4．过剩载流子
5．简并半导体
6．异质结
二、有一非均匀掺杂的N型半导体，其掺杂浓度随距表面的深度满足关 系式为：N(x)＝N0x/L，其中L为半导体的厚度。试画出该半导体在平衡 状态下的能带图，并求该半导体的形成的自建势。