负载短路检测延迟时间
过冲电流检测延迟时间
符号
测试条件
最小值 典型值 最大值 单 位
IOPE IDDQ
VDD=3.5V VM 管脚悬空
VDD=2.0V VM 管脚悬空
1.0
2.0
3.0
µA
0.7
2.0
4.0
0.1
µA
0.1
RVMD RVMS
VDD=3.5V VM=1.0V
VDD=2.0V VM=1.0V
0.8
tDL
P/N:
115
144
173
mS
CR6001A
/B/D/E/F
80
144
245
tODC1
VDD=3.5V
P/N: CR6001A
7.2
9.0
11
mS
/B/D/E/F
5.0
9.0
15
tODC2
VDD=3.5V
P/N: CR6001A
3.6
4.48
5.4
mS
/B/D/E/F
2.4
4.48
7.6
最小值 0
VDD -10.0 -55
最大值 8.0 10.0 125 500
单位 V V oC
mW
注：各项参数若超出“绝对最大值”的范围，将有可能对芯片造成永久性损伤。以上给出的仅是极限范围，在这样的 极限条件下工作，芯片的技术指标将得不到保证。长期工作在“绝对最大值”附近，会影响到芯片的可靠性。
推荐工作条件
V
VHD
VHD
VHD
-0.050
+0.050
VDD
VDD
VDD
+0.07 +0.12
+0.2
V
VDD +0.02
VDD +0.12
VDD +0.25
IOCC
VDD=3.5V
P/N: CR6001A
2.1
3.0
3.9
A
/B/D/E/F
1.9
3.0
4.1
IODC VDL=2.0V to 3.0V, 步长 : 12.5mV 过放回滞电压 VHD=0.0V to 0.7V, 步长 : 12.5mV
充电器检测电压
检测电流 过充检测电流
过放电流 1 检测电流
过放电流 2 检测电流
负载短路检测电压
符号
测试条件
最小值 典型值 最大值 单 位
VCU VHC
VDL VHD VCHA
t>tODC or
VDD>VDL & VVM<VSHORT & t>tSHORT
过放电流 (停止放电)
休眠状态 (停止放电，且 IDD<=IDDQ)
VDD<VDL & t>tDL
VDD>=VDL
检测到充电器， 且 VDD<VDL
通过二极管充电状态
注 : Ichr: 充电条件下的充电电流
图 3. CR6001 的工作状态图
VM VM
1
2
3
4
图 1. CR6001 的管脚图
I/O
功能
I
正电源输入端
I
正电源输入端
I
内部电路供电端
I
接地端
悬空或者接 GND
悬空或者接 GND
I/O
充电器正端输入， 过电流检测端
I/O
充电器正端输入， 过电流检测端
2006.7 V1.5
2
科圆半导体
TinyShieldTM 内置 MOSFET 的锂电池保护芯片
3.0A 3.0A 3.0A 3.0A 3.0A
6.0A 6.0A 6.0A 6.0A 9.0A
1200ms 1200ms 500ms 1200ms 1200ms
绝对最大额定值
参数 供电电压 (VDD 和 GND 间电压 ) 充电器输入电压 (VM 和 GND 间电压 ) 存贮温度范围 功率损耗
符号 VDD VM TSTG PMAX
4
科圆半导体
TinyShieldTM 内置 MOSFET 的锂电池保护芯片 AZ6002
产品系列
数据手册 CR6001
过充检测电 过充回滞电 过放检测电 过放回滞电 过放电流 1 过放电流 2 过充电压检测
产 品 型 号 压 (VCU)
压 (VHC)
压 (VDL)
压 (VHD)
(IODC1)
(IODC2) 延迟时间 (tCU)
VCU
VCU
VCU
-0.025
+0.025
V
VCU
VCU
VCU
-0.055
+0.040
VHC
VHC
VHC
-0.025
+0.025
V
VHC
VHC
VHC
-0.025
+0.025
VDL
VDL
VDL
-0.025
+0.025
V
VDL
VDL
VDL
-0.050
+0.050
VHD
VHD
VHD
-0.025
+0.025
数据手册
TinyShieldTM 内置 MOSFET 的锂电池保护芯片
AZ6002 概述
CR6001
CR6001 是科圆半导体 TinyShieldTM 电池保护芯片家族 中的一员。它应用公司正在申请的美国和中国专利技术 : 智能开关技术，实现了片上集成 MOSFET，从而大大降 低了制造成本并提高产品的可靠性。该芯片可用于单节 锂离子和锂聚合物可充电电池组的过充，过放以及过电 流保护。
10. 低电流损耗 · 工作模式 : 典型值 2.0µA; 最大值 4.0µA · 休眠模式 : 最大值 0.1µA
11. MSOP-8 的小型封装形式
该芯片不仅为手机设计，也适用于一切需要锂离子或锂 聚合物可充电电池长时间供电的各种信息产品的应用场 合。
12. 符合欧洲 "ROHS" 标准的无铅产品
订货信息
AZ6002
CR6001
芯片类型
扩展码
数据手册 CR6001
X: 卷带包装 空白 : 管装 封装类型 K: MSOP-8
封装 MSOP-8 MSOP-8 MSOP-8 MSOP-8 MSOP-8
温度范围
-40 to 85oC -40 to 85oC -40 to 85oC -40 to 85oC -40 to 85oC
原理图
AZ6002
VDD
智能开关
数据手册 CR6001
VM
晶振
充电器检测
VCC
GND
2006.7 V1.5
逻辑控制电路 分压电路
过充电压比较器
过放电流1比较器
过放电压比较器
过放电流2比较器
过充电流比较器
短路电流比较器
过温保护
上电复位电路
带隙基准源
图 2. 原理图
3
科圆半导体
TinyShieldTM 内置 MOSFET 的锂电池保护芯片
/B/D/E/F
1.15
1.25
1.35
2006.7 V1.5
6
科圆半导体
数据手册
TinyShieldTM 内置 MOSFET 的锂电池保护芯片
CR6001
电 气 特 性(续)
AZ6002
除非特殊说明，普通字体列出的指标指工作温度为 TA = 25oC ；黑体列出的指标指工作温度为 TA= -40oC to 85oC。
6. 充电器检测功能
Battery
C1 0.1uF
CR6001
VCC
GND
Load
DC Charger
7. 过充电流检测功能
8. 高精度电压检测 · 过充检测电压 : 3.9V~4.4V; 步长 : 12.5mV; 精度 :
± 25mV · 过充回滞电压 : 0.0V~0.4V; 精度 : ± 25mV · 过放检测电压 : 2.0V~3.0V; 步长 : 12.5mV; 精度 : ±
电气特性
AZ6002
CR6001
除非特殊说明，普通字体列出的指标指工作温度为 TA = 25oC ；黑体列出的指标指工作温度为 TA= -40oC to 85oC。
参数 检测电压 过充检测电压 VCU=3.9V to 4.4V 步长 : 12.5mV
过充回滞电压 VHC=0V to 0.4V 步长 : 12.5mV
tSHORT
VDD=3.5V
P/N: CR6001A
220
320
380
µS
/B/D/E/F
150
320
540
tOCC
VDD=3.5V
P/N: CR6001A
7.2
9.0
11
mS
/B/D/E/F
5.9
9.0
15
2006.7 V1.5
7
科圆半导体
TinyShieldTM 内置 MOSFET 的锂电池保护芯片
CR6001A CR6001B CR6001D CR6001E CR6001F
4.275V 4.275V 4.325V 4.325V 4.275V
0.25V 0.25V 0.175V 0.175V 0.20V
2.5V 2.9V 2.5V 2.5V 2.5V
0.4V 0.4V 0.4V 0.4V 0.4V
3.9
CR6001A
/B/D/E/F
1.9
3.0
4.1
A