电 子 线 路
三极管
发射区基区
集电区
外加电压方向从N到P为正偏，反则为反片偏
发射极开路时集电极对基极的电流称为反向饱和电流ICBO 集极开路时的集电极对发射极的
三极管的电流分配关系
三极管的基极与发射极门坎电压或者称为截止电压（硅管0。

5伏，锗管0。

2伏）三极管的基极与发射极导通电压值（硅管0。

7伏，锗管0。

3伏）
三极管的输入特性曲线如下图入它特性曲线是固定的VBE值时，测出IB与对应VBE的关系，（
锗管0。

2
硅管0。

4
三极管的输出特性曲线如下图
IC/MA
1。

截止区IB=0但IC不一定为0称为察透电流ICEO
当发射结的电压（集电极对发射极的电压）为0时，三极管的必定截止
2。

饱和区：当VCE较小时VCE小于CBE，此时IC不随IB的变化而变化时称为饱和状态。

三极管饱和时的VCE硅管为0。

1伏，锗管为0。

3伏。

三极管的发射结和集电正偏时处于饱3。

放大区：IB一定时，IC不随VCE而变化，即IC保持恒定，这种现象称为恒流特性，放大时发
硅锗管的判别方法
测量发射结的正向电压降一般硅管为0。

6————0。

8伏。

为0。

1---0。

3伏。

放大器的放大倍数（电流，电压，功率放大）
AV（电压放大倍数）/倍
0.0010.010.10.2
0.707GV（叫着增益）/DB分贝-60-40-20
-14-3
GP（功率增益）=10LGAP（功率放大倍数）（DB）GI（电流增益）=20LGAI（电流放大倍数）（DB）
放大器的静态工作点
A
B
上图中A，短路时，则为无信号输入时的状态，称为静态
VG-VBEQ
RB
ICQ=IBQ×放大倍数
电压放大倍数A GV（电压增益）=20LGAV（电压放大倍数）（DB） IBQ=
VCEQ=VG-ICQ×RC
输入的交流信号幅度要小于静态工作电流IBQ的幅度，否则信号会出现削定失真。

图解法分析静态工作点
VCE=VG-ICRC
1短路电流点 M VCE=0则IC=VG/RC
A求静态工作点步骤
1求出点M 2求出点N 3连MN线得到线1 4由静态工作点电流IBQ求出点Q,从Q点找到对应的V
用图解法分析输出端带负载时的放大倍数(即求输入交流信号时的最大和最
B交流时的负载电阻示意图见上面的等效图其等效电阻为RL和RC的等效电阻=
1.求出直流负载线MN,并且确定静态工作点Q
2.在IC 轴上确定IC=VG/RL辅助点D的位置,并且DN线
3.通过静态工作点Q做出辅助线DN线的平行线AB线即交流负载线
若输入信号的幅度为VIM，则放大倍数AV=VOM（VOM=VCEMAX-VCEQ）
VIM
射极输出器特性：电压放大倍数约小于1，电压跟随特性好，输入阻抗高，输出阻抗低，有一定的电流和做输入级阻抗高可降低入信号的电流。

做输出时提高带负载的能力。

可做阻抗变换器达到阻抗匹配。

做隔离级时，减小后级对前级的影响。

无输出变压器放大器（OTL）
无输出电容放大器（OCL）
加速电容的作用
一般对于工作频率在100KHZ以下的电路，CS值可取3
工作频率在100KHZ到10MHZ范围的
10MHZ以上的，可取10到100PF的电容。

集极开路时的集电极对发射极的电流称穿透电流ICEO
5伏，锗管0。

2伏）
时，测出IB与对应VBE的关系，（和二极管的伏安特性像）
称为饱和状态。

和集电结都正偏时处于饱和状态。

这种现象称为恒流特性，放大时发射结正偏，集电反偏。

-0。

3伏。

倍数AV和增益分贝数的换算表
12310100100010000
069.520406080
交流信号
号会出现削定失真。

RL IBMAX(输入信号最大值)
信号波形最大最小范围及波形
流IBQ求出点Q,从Q点找到对应的VCE和IC
大和最小的VCE及IB(即动态范围)
C的等效电阻=RCRL
RC+RL
高，输出阻抗低，有一定的电流和功率放大能力，做阻抗变换器达到阻抗匹配。

在100KHZ以下的电路，CS值可取300至1000PF；
到10MHZ范围的电路，可取20到300PF；10到100PF的电容。