太阳能电池片建设项目环境影响报告Word文档下载可编辑
一、项目简况
项目名称：太阳能电池片200MW建设项目
建设单位：某某阳光电力科技有限公司
建设规模：年产太阳能电池片200MW
建设性质：外商独资扩建
建设地点：某某省苏州某某区鹿山路199某某区二期厂房预留车间内（一楼）
投资总额9980万美元
占地面积：总占地66660m2（本项目车间5000m2），总绿化面积19205m2（不变）
二、现有项目情况
1、现有建设项目主体工程及产品方案
现有建设项目主体工程及产品方案
*现有一期项目申报并通过审批的100MW/a太阳能电池组件组装项目目前尚未建设、生产，并将取消该项目，今后也不再建设、生产；
2、现有项目公用配套工程
3、现有（一期）项目生产工艺流程简述及产污环节
（1）一期项目工艺流程
现有项目生产工艺流程图（一期项目）
一期项目主要工序流程简述：
1.硅片腐蚀(制绒)、清洗:
P型单晶硅薄片，经碱腐蚀清洗烘干，制绒主要是使用碱性溶液
腐蚀硅表面形成绒面。

清洗主要是处理制绒后的硅片表面，使其净化，用氢氟酸清洗残留的碱性物质，接着用盐酸去除表面残留的物质，最后再用纯水清洗。

此过程有废气产生，废气中含有HCl、HF、H2；此工序还有碱性废水、酸性废水产生，碱性废水中主要含有氢氧化钠，酸性废水中主要含盐酸、氢氟酸；另外在碱腐蚀过程还会有碱性废液产生，其中含有较高浓度的异丙醇。

碱腐蚀的反应方程式为：2NaOH+Si+H2O=NaSiO3+2H2
2.硅片扩散：
硅片扩散也称磷扩散，是在氧气存在的条件下，磷源分解在硅中扩散而形成P-N结，POCl3为电子级纯度，在过程中所起作用是为扩散提供磷源，各反应化学式如下：
5POCl3=3PCl5+P2O5
2P2O5+O2+6Si=4P+6SiO2
4PCl5+5O2=2P2O5+10Cl2
4POCl3+3O2=2P2O5+6Cl2
因而硅片扩散工序,有废气产生，该废气成分有P2O5、Cl2等。

3.刻蚀：
主要是去除边缘的N型硅，此工序为干法刻蚀，主要是利用四氟化碳和硅以及氧气的反应来去除边缘硅，其化学反应式为：
CF4+Si+O2=SiF4↑+CO2↑
因而此工序有未反应完全的四氟化碳和反应生成的四氟化硅气体逸出。

4.去硅玻璃（PSG）：
主要是用氢氟酸腐蚀硅片表面的氧化层，即清除硅片表面的SiO2层，反应生成为微量的SiF4和[H2SiF6]2-少量的络合物，其一起进入酸性废水处理。

因而此工序会有少量的氢氟酸和四氟化硅挥发。

5.加减反射膜：
利用硅烷、氨气之间的反应在硅片表面形成一层加减反射膜，N2不发生反应，作为保护气体，此工序会有少量的氨气和硅烷挥发。

6.丝网印刷(即在硅片上印刷铝浆、银浆、银铝浆)：
使用浆料印刷电极，使之形成良好接触,收集电流。

主要是使用银浆，铝浆，银铝浆，一般由金属粉末和有机溶剂以及固体树脂构成，经过烧结后有机溶剂和固体树脂都被挥发，剩余金属与硅形成合金层。

7．烧结
烧结工序主要是将印刷好银浆、铝浆、银铝浆的电极放入烧结炉中，使浆料中的水分、树脂及某些有机物挥发出来。

烧结自然冷却后即为成品单晶硅太阳能电池片。

（2）二期扩建项目工艺流程。