PN结型光电二极管工作原理

由于光电流是光生载流子参与导电形成的，而光 生载流子的数目又直接取决于光照强度。因此， 光电流必定随入射光的强度变化而变化。这表明， 加有反向电压的光电二极管能把光信号变成电信 号电流。

PN结在热平衡状态下无光照时在结区 （耗尽区）存在着接触电势差。与发光 时相反，如果在PN结上加适当的反向电 压，则PN结的结区将被拉宽，并同时在 电路中产生一个反向漏电流。一般PN结 的反向漏电流很小，称为光电二极管的 暗电流。
特点

将光强的空间分布转换成相应与光强成正比的、大小不等的电荷 包空间分布；CCD以电荷为信号，其基本功能是信号引起电荷的 产生、存储和转移；国内CCD的驱动电压一般为15伏。
(六）谐振腔增强型(RCE)光探测器

产生的原因： 随着社会的发展,人们对信息的需求量日 益增加，高速、宽带、大容量的光纤通信网络 将在未来社会生活中发挥极其重要的作用。波 分复用(WDM)技术及密集波分复用(DWDM)技 术作为未来光纤通信系统的支撑技术，成为当 前光纤通信系统研究与应用的热点。在WDM 和DWDM技术中，如何实现可调谐窄线宽的光 探测器是其关键课题之一。1991年,首次提出的 谐振腔增强型(RCE)光探测器结构为解决该课 题提供了一条大有潜力的途径。
（3）光电流
光电流主要受光照强度的影响，它与光
照度的关系为
I ∝ Ev
式中，E为光的照度，v=1±0.05。 光电流基本上随照度增强而线性增大。 一般来说，光电二极管的光电流越大越 好，商品化硅光二极管的光电流为几十 微安
（4）光谱响应特性
光电二极管对光的响应存在 最长波长极限，称为长波限。 硅光电二极管的长波限约为 1.1µ m。 光波长越短，光子能量越大。 但对光电二极管，入射波长 短，管心表面的反射损耗大， 从而使管心实际上得到的能 量减少。所以光电二极管存 在入射光的短波限。 一般硅光电二极管的短波限 为 0.4µ 。 硅 光 电 二 极 管 的 m 峰 值 波 长 为 0.9µ ， 与 光 纤 m 的短波长窗口相适应。


无光照时，它同一般二 极管一样。 受光照时，光电二极管 的伏安特性曲线将沿电 流轴向下平移，平移的 幅度与光照强度的变化 成正比。此特性表明， 反向电流随入射光照度 增强而增大。 光电二极管作为光探测 器时，应工作在第三象 限。 在入射光照度一定的条 件下，光电二极管相当 于一个恒电源。
（2）暗电流 光电二极管的暗电流为反向饱和电流、 复合电流、表面漏电流和热电流之和。 暗电流小的管子性能稳定，噪声低，检 测弱信号能力强。因此，管子的暗电流 越小越好。 PN结型光电二极管在50V反向电压下，暗 电流小于100nA； PIN型和雪崩型光电二极管在15V反向电 压下，暗电流小于10nA。
（四）光电倍增管

具有外光电效应的器件，具有很高的内增益。因此，其光电转换 分为光电发射和电子倍增两个过程。
光子能量 逸出
光电发射材料的电子吸收
电子 阴极
高速电子打击金属表面
二次电子发射
发射的光电流被阳极收集
真空二极管的输出
特 点
光电倍增管具有很高的灵敏度，能探测10-10W的
微弱信号，常用做高灵敏度、低噪声的光探测器。 在瞬间或在短期强光照射下，灵敏度会下降，但 存放一段时间后可以获得恢复，这称为疲劳现象。 在长期工作或短期强光照射后，使灵敏度下降而 不能恢复，这称为衰老。在使用光电倍增管时， 应特别注意防止强光照射，因为严重时将会损坏 管子。 需要高压直流电源，管子体积大、价格高又经不 起机械冲击，限制了它的使用范围。
光电二极管与光电三极管的主要差别
1）光电流的差别 光电二极管的光电流一般只有几微安到几百微安。 光电三级管的光电流一般都在几毫安以上，至少也有几百微安。 光电二极管和光电三级管两者的暗电流则相差不大，而且一般都 不超过1μA，大多都在0.5μA以下。 2）响应时间的差别 光电二极管的响应时间在100ns以下，PIN结型和雪崩型的还要小。 光电三极管的响应时间长达5~10μS。 3）输出特性的差别 光电二极管在很宽的入射光照度范围内（10-3~10-101x）都具有线 性的光电流-照度特性； 光电三级管输出特性的线性度却较差。
PN结光电效应
Light
P
_
－ － － － － － － －+ + Nhomakorabea +
+ + + +
N +
通常，一个反偏PN结由一个称为耗尽区的区域组成。当有 光照时，产生了光生载流子，并在外加反向电压的作用下， 耗尽区内产生的电子-空穴分别向相反的方向加速，漂移到 N侧和P侧，产生了比例于照射光功率的电流流动。
PIN光电管
Picture of PIN Photodiode PIN光电管照片
三、雪崩型光电二极管--APD

由于普通光电二极管产生的电流微弱，进行放大和处理 时将引入放大器噪声。为了克服这种缺点，有必要加大 光电管的输出电流，由此产生了雪崩型光电二极管。
工作原理 光电二极管中的光生载流子在强电场（大于105v/cm） 作用下高速通过耗尽区向两极移动。在移动过程中，由 于碰撞游离而产生更多的新载流子，形成雪崩现象，从 而使流过二极管的光电流成百倍的增加。

基本工作原理 当光照到半导体PN结上时，被吸收的光 能转变成电能。这一转变过程是一个吸 收过程，与前述发光二极管的自然辐射 过程和激光二极管辐射过程相反。通常， 吸收过程和受激辐射过程是同时存在并 互相竞争的。在光电二极管中，吸收过 程占绝对优势；而在发光器件中，则辐 射过程占绝对优势。

吸收过程占优势的器件有两种工作情况： 当二极管上加有反向电压时，管中的反向 电流将随光照强度和光波长的改变而改变。 据此，可以把该器件用作光电导器件，一 般说的光电二极管属于这种半导体器件；

APD 使原信号光电流发生倍增；提高接收机灵敏度。 需要较高的偏置电压；需要温度补偿电路。 从简化接收机电路考虑，一般情况下多采用PIN 光电二极管。
半导体光电管的性能
光电二极管的主要参数和性能包括： 伏安特性、暗电流、光电流、光谱 响应特性、光电灵敏度、噪声特性 等。

（1）伏安特性


光电三极管分三大类：
有两个PN结，外形与光电二
极管相似，称为光电双二极 管，这种管子应用最广； 和普通三极管一样具有三个 极，容易实现温度补偿，能 以电信号与光电信号混合工 作形式进行增益控制，工作 点稳定，响应时间缩短，可 以用做记忆元件； 复合型光电三极管。提高了 光电转换的灵敏度，增大输 出光电流。但在环境温度高 时，光电流与暗电流的比值 将反而减小，同时，这种管 子的响应速度也慢。
（6）噪声特性


PN结型和PIN结型光电二极管的主要噪声源是暗电 流所引起的散粒噪声。 雪崩型光电二极管的主要噪声源是光电流所引起 的散粒噪声，它的噪声比较大。 表征光电二极管噪声水平的主要参数是信噪 比（S/N）和噪声当量(NEP)
信噪比：输出电流中有用的信号成分与噪声成 分之比。越大越好。 噪声当量功率：当光照射到器件上时，并使器 件的信噪比为1时的入射光功率。越小越好。 硅雪崩管的NEP值约为10-13W/sqrt(Hz)； PIN结型管为10-11W/ sqrt(Hz)；PN型管为 10-9W/ sqrt(Hz)；
（二）光电池


二极管上不加电压，利用PN结在受光照时 产生正向电压的原理，把光电二极管用作 光致发电器件，这种器件称为光电池。 光电池是一种把光能转换成电能的器件。 制造光电池的材料有硅、硒、硫化镉、砷 化镓和碘化铟等，其中硅光电池的转换效 率最高，最大转换效率达到17%，这与理 论上的最大转换效率21.6%已经接近。
RL 为外界负载电阻；
I
为光电流；ID为二极
管电流；I为外电流。 当光电流流过负载电阻RL 时，在RL 上产生电压 降V，此电压为PN结二极管的正向电压降。在电 压V的作用下，产生二极管电流ID，所以流过电 压负载的外电流为 I I I D
（三）光电三极管

是用Ge或Si单晶制成的晶体管，分NPN 和PNP两种结构形式。它不仅能和光电 二极管一样，把入射光信号变成光电流 信号输出，同时还把光电流放大。

光探测器实现光电信息转换基于光电效应。所谓光电效 应，是物质在光作用下释放出电子的物理现象。 对半导体器件，PN结受光照吸收光能后产生载流子，出 现PN结的光电效应。利用这些物理现象制成了许多光探 测器。在光纤传感系统中使用的有半导体光电二极管、 光电池、光电三级管、光电倍增管和电荷耦合阵列。
（一）半导体光电二极管
二极管上不加电压，利用PN结在受光照时 产生正向电压的原理，把光电二极管用作 光致发电器件，这种器件称为光电池。 光纤传感器中这两类器件都得到应用。

半导体光电二极管有三种类型
PN结型光电二极管（PD）
PIN结型光电二极管（PIN）
雪崩型光电二极管（APD）
一．PN结型光电二极管
基本概念： 当PN结受能量大于禁带宽度Eg的光照射时，其价 带中的电子在吸收光能后将跃迁到导带成为自由 电子；同时，在价带中留下自由空穴。这些由光 照产生的自由电子和自由空穴统称为光生载流子。 在反向电压的作用下，光生载流子参与导电，从 而形成电流。此电流是反向电流，但比无光照的 暗电流要大的多。通常，把光照下流过光电二极 管的反向电流称为光电二极管的光电流。
缺 点

倍增为随机性的，放大电流的随机性或 不可预测性限制了管子的灵敏度，所以， 在设计雪崩管时应注意尽量减小随机性。
硅雪崩型光电二极管管心的结构图
硅雪崩型光电二极管管心的结构图
Picture of APD
雪崩光电二极管图片