四、实验报告要求
1.写出所测参数的定义及其物理意义。 2.用坐标纸定量描绘特性曲线，正确标明相应
坐标。
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五、下次预习要求
（P147实验4.14）
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iB
IB1
VCE=1V
IB2
VCE=10V
o
v v ON BE
vBE
2.共射输出特性曲线
以输入口电流iB为参变量，反映输出口iC与vCE的函 数关系曲线。
iC f (vCE ) IB 常数
iC
iB5 iB4
iB3
iB2 iB1
O
uCE
3.三极管输出特性测试电路
图示仪面板主要包括
测试台部分
VCE =5V
vCE

2．晶体管输入特性的测量
（1）正确设置图示仪有关控制旋钮，测绘晶体管输入特性曲线。
iB f (VBE ) VCE 10V
（2）求出导通电压Von。
（3）根据曲线求线性变化区的输入电阻 ： rbe

VBE I B
VCE C
iB
设置功耗电阻为250Ω～1k Ω
ΔIB
o
一.实验目的
1. 进一步熟悉晶体管图示仪的面板旋钮。 2. 掌握晶体管输入输出特性的图测方法。 3. 掌握用晶体管特性曲线球参数的方法。
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二、实验原理
1.共射输入特性曲线
以输出口电压vCE为参变量，反映iB和vBE的函数关 系。
iB f (vBE ) |vCE C
（4）测量 IC
、 IC
。
I B VCE 5V
IB VCE 5V
设VCE =5V，适当选择和记录IBQ
ebc
1008：NPN型
IC
I B VCE 5V
IC
IB VCE 5V
iC
△IC IC
IB 10 A IB 8 A
IB 4 A
IB 2 A
现代电子技术实验
4.13、三极管输入、输出特性曲线 的测试
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现代电子技术实验
预习情况检查
1.半导体管特性图示仪的基本原理与应用。 2．晶体三极管的伏安特性曲线的特点及其主要
参数定义。
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v ΔVBE
VON
BE

3．场效应管输出特性的测量（选做）
（1）调节图示仪有关控制旋钮，测绘输出特性曲线。 （2）在曲线上标出可变电阻区、饱和区和击穿区。 （3）测量击穿电压BVDS（功耗电阻5K左右) （4）测量跨导gm。
设VDS=10V，选择适当IDSS，计算
gm

I DS VGS
VDS 10V
Y轴作用部分 X轴作用部分
阶梯信号部分
集电极扫描信号部分
晶体管输出特性的动态测量
半 导 体 特 性 图
示 集电 仪 极电 操源
作 面 板
测试台
Y轴
X轴 阶梯电
源

三、实验内容
1．晶体管输出特性的测量
（1）调节图示仪有关控制旋钮，测绘输出特性曲线。
（2）在曲线上标出饱和区、截止区和放大区。
（3）