第6章 模拟电子技术Multisim仿真实验
4．实验步骤 (1) 测量变压器的输出波形。变压器后的电路暂不要连 接，用示波器测量变压器的输入、输出波形，输出波形与输 入波形完全相同，只是幅度不同，如图6-5所示。 (2) 将电路按图6-4所示电路进行连接，先将J1断开， 用示波器同时观察输入波形和桥式整流输出波形，波形如图
第6章 模拟电子技术Multisim仿真实验 图6-3 温度扫描的结果
第6章 模拟电子技术Multisim仿真实验 5．结论 随着温度的升高，二极管的正向压降减少，PN结具有
负的温度特性。
第6章 模拟电子技术Multisim仿真实验
6.2 单相整流滤波电路仿真实验
1．实验要求与目的 (1) 连接一个单相桥式整流滤波电路，掌握电路的结构 形式。 (2) 测量电路中各电压波形，掌握整流滤波电路的工作 原理。 2．实验原理 (1) 利用二极管的单向导电性，将正负变化的交流电变 成单一方向的脉动电。常见的电路形式有半波整流、全波整 流和桥式整流。 (2) 利用电容的“通交隔直”的特性，将整流后脉动电 压中的交流成分滤除，得到较平滑的电压波形。
第6章 模拟电子技术Multisim仿真实验
3．实验电路 单向整流滤波实验电路如图6-4所示，将电路中XMM1 调到交流电压挡，XMM2调到直流电压挡。当J1开关打开时， 电路是一个桥式整流电路；当J1开关闭合时，电路是一个桥 式整流电容滤波电路。
第6章 模拟电子技术Multisim仿真实验 图6-4 单相整流滤波实验电路
第6章 模拟电子技术Multisim仿真实验
(2) 测量二极管的反向伏安特性。 按图6-2连接电路。改变RW的百分比，启动仿真开关， 将测量的结果依次填入表6-2中。
第6章 模拟电子技术Multisim仿真实验 表6-2 反向伏安特性测试结果
RW
UD/V
ID/A
RD=
UD ID
/
10%
40%
60%
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(3) 研究温度对二极管参数的影响。 对图6-1所示电路进行温度扫描分析，RW调到70%，启 动分析菜单中的Temperature Sweep选项，在参数设置对话框 中的Sweep Variation Type栏选择List，在Value栏输入扫描的 温度0、27和100，选择节点6为分析变量，点击Simulate按 钮，仿真结果如图6-3所示。
第6章 模拟电子技术Multisim仿真实验 表6-1 正向伏安特性测试结果
RW
UD/V
ID/mA
RD=
UD ID
/
10%
20%
30%
50%
70%
90%
100%
0.3
0.548
0.591
0.619
0.642
0.685
0.765
0
0.153
0.744
1.854
3.513
8.572
22
∞
3582
794
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6.1 二极管特性仿真实验
1．实验要求与目的 (1) 测量二极管的伏安特性，掌握二极管各工作区的特 点。 (2) 掌握二极管正向电阻、反向电阻的特性。 (3) 用温度扫描的方法测试二极管电压及电流随温度变 化的情况，了解温度对二极管的影响。
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第6章 模拟电子技术Multisim仿真实验 (2) 测试二极管反向伏安特性电路，如图6-2所示。
图6-2 测试二极管反向伏安特性电路
第6章 模拟电子技术Multisim仿真实验
4．实验步骤 (1) 测量二极管的正向伏安特性。 按图6-1连接电路，按a键或Shift+a键改变电位器的大小， 先将电位器的百分数调为0%，再逐渐增加百分数，从而可 改变加在二极管两端正向电压的大小。启动仿真开关，将测 量的结果依次填入表6-1中。
80%
85%
90%
100%
12.5
50.001 75.001 100.002 100.747 100.894 101.670
0
0
0
0
0.019
0.049
0.233
∞
∞
∞Leabharlann ∞5.3k2k
436
第6章 模拟电子技术Multisim仿真实验
结论：由表6-2所示的测试结果可知，二极管加上反向 电压时，电阻很大，电流几乎为0。比较表6-1和表6-2，二 极管反偏电阻大、而正偏电阻小，说明二极管具有单向导电 性。但若加在二极管上的反向电压太大时，二极管进入反向 击穿区，反向电流急剧增大，而电压值变化很小。
334
183
80
35
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结论：从表6-1中RD的值可以看出，二极管的电阻值不 是一个固定值。当在二极管两端加正向电压时，若正向电压 比较小，则二极管呈现很大的正向电阻，正向电流非常小， 称为“死区”。当二极管两端的电压达到0.6 V左右时，电 流急剧增大，电阻减小到只有几十欧姆，而两端的电压几乎 不变，此时二极管工作在“正向导通区”。
第6章 模拟电子技术Multisim仿真实验
第6章 模拟电子技术Multisim仿真实验
6.1 二极管特性仿真实验 6.2 单相整流滤波电路仿真实验 6.3 单管共发射极放大电路仿真实验 6.4 射极跟随器仿真实验 6.5 差动放大电路仿真实验 6.6 负反馈放大电路仿真实验 6.7 正弦波振荡电路仿真实验 6.8 集成运放线性应用仿真实验 6.9 电压比较器仿真实验 6.10 有源滤波电路仿真实验 6.11 功率放大电路仿真实验 6.12 串联稳压电路仿真实验
2．实验原理 半导体二极管主要是由一个PN结构成的，为非线性元 件，具有单向导电性。一般二极管的伏安特性可划分成4个 区：死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区。
第6章 模拟电子技术Multisim仿真实验 3．实验电路 (1) 测试二极管正向伏安特性电路，如图6-1所示。
图6-1 测试二极管正向伏安特性电路
6-6所示。同时打开万用表读取数据，U1≈21.972 V，
U2≈18.468 V。
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(3) 将J1闭合，用示波器再次同时观察输入波形和整流 滤波后的输出波形，波形如图6-7所示。同时读取万用表的 数据，U1≈21.972 V，U2≈27.474 V。