66
67
光刻技术定出孔洞，以溅射法或 真空蒸发法，依次沉积钛+氮化钛+ 铝+氮化钛等多层金属。(其中还会 考虑到铝的表面氧化和氯化物的影 响)。由于铝硅固相反应，特别对浅 的PN结难以形成漏电流 (leak current) 小而稳定的接触，为此使用TiN等材 料，以抑制铝硅界面反应，并有良 好的欧姆，这种材料也称为势垒金 属(barrier metal)。
61
在表面重新氧化生成二氧化硅层， LPCVD沉积 氮化硅层，以光阻定出下一 步的field oxide区域。
62
在上述多晶硅层外围，氧化二氧化 硅层以作为保护。涂布光阻，以便利用 光刻技术进行下一步的工序。
63
形成NMOS，以砷离子进行植入形成源漏 极。 此工序在约1000℃中完成，不能采用铝栅 极工艺，因铝不能耐高温，此工艺也称为自对 准工艺。砷离子的植入也降低了多晶硅的电阻 率(块约为30欧姆)。还采用在多晶硅上沉积高 熔点金属材料的硅化物(MoSi2、WSi2、TiSi2等)， 形成多层结构
N阱
36
蒸铝、光刻7，刻铝、 光刻8，刻钝化孔
（图中展示的是刻铝后的图形）
Vin
VSS
NMOS管硅栅
磷硅玻璃
PMOS管硅栅 Vo
VDD
硼注入
P-SUB
N阱
磷注入
37
离子注入的应用
38
39
N阱硅栅CMOS工艺流程
40
3) 双阱CMOS集成电路的工艺设计
磷31P+
–砷75As+
P sub. 〈100〉来自掩膜版 氮化硅光刻2，刻有源区掩膜版
N阱
9
去除氮化硅
光刻3，刻多晶硅掩膜版
FOX N阱
10
重新生长二氧化硅（栅氧）
场氧
光刻3，刻多晶硅掩膜版
栅氧
N阱
11
生长多晶硅
多晶硅 N阱
光刻3，刻多晶硅掩膜版
12
刻蚀多晶硅
掩膜版
光刻3，刻多晶硅掩膜版
N阱
13
刻蚀多晶硅
多晶硅 N阱
光刻3，刻多晶硅掩膜版
Deposit and pattern poly-silicon layer Implant source and drain regions, substrate contacts Create contact windows, deposit and pattern metal layers
77
N-well, Active Region, Gate Oxide
Metal
Polysilicon
Metal
n-well
Top View VSS S
n+
Metal
p+
nMOSFET GD
pMOSFET DG
VDD S
Cross Section
78
Poly-silicon Layer
Top View
47
形成N管源漏区
– 光刻6，利用光刻胶将PMOS区保护起来 – 离子注入磷或砷，形成N管源漏区
形成P管源漏区
– 光刻7，利用光刻胶将NMOS区保护起来 – 离子注入硼，形成P管源漏区
48
形成接触孔
– 化学气相淀积BPTEOS硼磷硅玻璃层 – 退火和致密 – 光刻8，接触孔版 – 反应离子刻蚀磷硅玻璃，形成接触孔
Cross-Section
79
N+ and P+ Regions
Top View
Cross-Section
Ohmic contacts
80
SiO2 Upon Device & Contact Etching
Top View
Cross-Section
81
Metal Layer – by Metal Evaporation
70
71
2. 典型N阱CMOS工艺的剖面图
硅栅
薄氧化层
漏
金属
源
低氧
场氧化层 （FOX）
n-衬底
p-阱
72
CMOS process
p+
p+
p-
73
Process (Inverter)p-sub
In
GND
VDD
SGD
DGS
图例
低氧
场氧
Legend of each layer
N-well
p+
P-diffusion
形成N阱
– 初始氧化，形成缓冲层，淀积氮化硅层
– 光刻1，定义出N阱
– 反应离子刻蚀氮化硅层 – N阱离子注入，先注磷31P+ ，后注砷75As+
41
N阱 P sub. 〈100〉
形成P阱
– 在N阱区生长厚氧化层，其它区域被氮化硅 层保护而不会被氧化
– 去掉光刻胶及氮化硅层 – P阱离子注入，注硼
甘油
甘油
55
然后在表面氧化二氧化硅膜以减小后 一步氮化硅对晶圆的表面应力。
涂覆光阻(完整过程包括，甩胶→预 烘→曝光→显影→后烘→腐蚀→去除光 刻胶)。其中二氧化硅以氧化形成，氮化 硅LPCVD沉积形成(以氨、硅烷、乙硅烷 反应生成)。
56
光刻技术去除不想要的部分，此步骤为定 出P型阱区域。 (所谓光刻胶就是对光或电子束 敏感且耐腐蚀能力强的材料，常用的光阻液有 S1813,AZ5214等)。光刻胶的去除可以用臭氧烧 除也可用专用剥离液。氮化硅用180℃的磷酸去 除或含CF4气体的等离子刻蚀(RIE)。
CMOS工艺流程与MOS电路版图举例
1. CMOS工艺流程 1) 简化N阱CMOS工艺演示flash 2) 清华工艺录像：N阱硅栅CMOS工艺流程 3) 双阱CMOS集成电路的工艺设计 4) 图解双阱硅栅CMOS制作流程 2. 典型N阱CMOS工艺的剖面图 3. Simplified CMOS Process Flow 4. MOS电路版图举例
64
以类似的方法，形成PMOS，植入硼(+3) 离子。 (后序中的PSG或BPSG能很好的稳定 能动钠离子，以保证MOS电压稳定)。
65
后序中的二氧化硅层皆是化学反应沉 积而成，其中加入PH3形成PSG (phosphosilicate-glass)，加入B2H6形成BPSG (borophospho-silicate-glass)以平坦表面。所谓 PECVD (plasma enhanced CVD) 在普通 CVD反应空间导入电浆(等离子)，使气体活 化以降低反应温度)。
Top View
Cross-Section
82
A Complete CMOS Inverter
Top View
Cross-Section
83
FET
57
在P阱区域植入硼(+3)离子，因硅为+4价， 所以形成空洞，呈正电荷状态。(离子植入时与 法线成7度角，以防止发生沟道效应，即离子 不与原子碰撞而直接打入)。每次离子植入后必 须进行退火处理，以恢复晶格的完整性。(但高 温也影响到已完成工序所形成的格局)。
58
LOCOS (local oxidation of silicon)选择性氧化： 湿法氧化二氧化硅层，因以氮化硅为掩模会出现 鸟嘴现象， 影响尺寸的控制。二氧化硅层在向上 生成的同时也向下移动，为膜厚的0.44倍，所以 在去除二氧化硅层后，出现表面台阶现象。湿法 氧化快于干法氧化，因OH基在硅中的扩散速度高 于O2。硅膜越厚所需时间越长。
49
形成第一层金属
– 淀积金属钨(W)，形成钨塞
50
形成第一层金属
– 淀积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等 – 光刻9，第一层金属版，定义出连线图形 – 反应离子刻蚀金属层，形成互连图形
51
正硅酸乙脂（TEOS）分解 650～750℃
形成穿通接触孔
– 化学气相淀积PETEOS, 等离子增强正硅酸四乙酯热分解
68
RIE刻蚀出布线格局。以类似的方法 沉积第二层金属，以二氧化硅绝缘层和 介电层作为层间保 护和平坦表面作用。
69
为满足欧姆接触要求，布线工艺是在含 有5~10%氢的氮气中，在400~500℃温度下 热处理15~30分钟(也称成形forming)，以使 铝和硅合金化。最后还要定出PAD接触窗， 以便进行bonding工作。 (上述形成的薄膜 厚度的计算可采用光学衍射、倾斜研磨、 四探针法等方法测得)。
14
P+离子注入
P+
掩膜版
光刻4，刻P+离子注入掩膜版
N阱
15
N+离子注入
N+ 光刻5，刻N+离子注入掩膜版
N阱
16
生长磷硅玻璃PSG
PSG
N阱
17
光刻接触孔
光刻6，刻接触孔掩膜版
N阱
N+
P+
18
刻铝
光刻7，刻Al掩膜版 Al
N阱
19
刻铝
VSS
Vo
VDD
N阱
20
钝化层 N阱
光刻8，刻压焊孔掩膜版
42
P阱
N阱
推阱
– 退火驱入，双阱深度约1.8μm – 去掉N阱区的氧化层
43
形成场隔离区
– 生长一层薄氧化层 – 淀积一层氮化硅
– 光刻2场隔离区，非隔离区被光刻胶保护起来
– 反应离子刻蚀氮化硅 – 场区硼离子注入以防止场开启 – 热生长厚的场氧化层 – 去掉氮化硅层
44
光刻胶
31P+
11B+
Metal contact
Top View or Layout VDD