耦合电容：C1、C2 ; 输入电压：ui ;
输出电压：uo
负载电阻：RL
信号放大过程各点波形
iC
+EC
t
RB
RC
C1 iB
iC C2
ui
ui
iB
uC uC
t
uo
uo
t
t
t
1.无输入信号(ui = 0)时，三极管各电极都是恒定的电压和电流:IB、
UBE和 IC、UCE (静态工作点)。
uBE
iB
iC
三极管及放大电路ppt课件
§1 基本结构
NPN型
集电极
发射极
C NP N E
基极 B
PNP型
集电极
发射极
PN P
C
E
基极
B
符号：
C IC B
IB E
IE
NPN型三极管
C IC B
IB E
IE
PNP型三极管
1. 输入特性 特点:非线性
IB(A) 80 60 40
20 O 0.4
UCE1V 0.8 UBE(V)
6.3.2 晶体管动态分析
模型简化法
3.4.2用模型分析共射极基本放大电路 等效电路
断开
RB
C1 +
RS +
+ ui
es –
–
+UCC
RC +C2 断开
iB iC + + TuCE + uB–E – RL uo
iE
–
+UCC
RB
RC IB IC
+
U+B–ETU–CE
直流通路
IE
直流通路用来计算静态工作点Q ( IB 、 IC 、 UCE )
对交流信号(有输入信号ui时的交流分量)
1. 电流放大系数
当晶体管接成发射极电路时，
直流电流放大系数
注意：
___
IC IB
交流电流放大系数
ΔΔIICB
和 的含义不同，但在特性曲线近于平行等
距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。
常用晶体管的 值在20 ~ 200之间。
基本放大电路
基本放大电路一般是指由一个三极管与相应元件组成 放大电路。
6.3 共射极放大电路
RC +C2
RS +
es –
C1 +
+
ui + ––
iB iC + + TuCE
RBuB–E – RL
EB
iE
+ uo –
+ EC
– RS
+ es
–
RB C1
+ + ui
–
RC
+UCC +C2
iB iC + + TuCE + uB–E – RL uo
iE
–
共发射极基本电路 单电源供电时常用的画法
正常工作时发射结电压： NPN型硅管
UBE 0.7V PNP型锗管
UBE -0.3V
2. 输出特性
输出特性曲线通常分三个工作区：
IC(mA ) 4 3
2 放大区
1 O3 6 9
(1) 放大区
100A 80A
在放大区有 IC= IB ， 也称为线性区，具有恒
60A 流特性。
40A
在放大区，发射结处
20A 于正向偏置、集电结处 IB=0 于反向偏置，晶体管工 12 UCE(V) 作于放大状态。
（2）截止区
IB < 0 以下区域为截止区，有 IC 0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反
向偏置，晶体管工作于截止状态。
IC(mA )
饱4 和 区3
2
100A
80A 60A 40A
（3）饱和区
基本放大电路时，测量三个电极对地的电位VB、VE和VC即
可确定三极管的静态工作状态。
实现放大的条件
(1) 晶体管必须工作在放大区。发射结正偏，集 电结反偏。
(2) 正确设置静态工作点，使晶体管工作于放大 区。
(3) 输入回路将变化的电压转化成变化的基极电 流。
(4) 输出回路将变化的集电极电流转化成变化的 集电极电压，经电容耦合只输出交流信号。
O
tO
tO
tO
t
结论：
直流分量 交流分量
iC 集电极电流 iC
iC
+O
ic
t
IC
O
t
O
t
静态分析
动态分析
将电流和电压的直流分量和交流分量分开加以分析： ●对直流量用直流通路：求静态工作点Q ●对交流量用交流通路：求电压放大倍数、输入输出电阻等
直流通路与交流通路
例：画出下图放大电路的直流通路
对直流信号电容 C 可看作开路（即将电容断开）
ui –
RB
+ RC RL uO
–
6.3.1放大电路静态分析法
(1) 估算工作点: (Q点) [ 用直流通路】
硅:VBE=0.7V 锗:VBE=0.2V
Rb
RC
+VCC
IBVCC R bVBEV R C bC ICβIB
V CE V C CIC R c
IB、IC和VCE 是静态工作状态的三个量，用Q表示。在测试
+UCC
RB
RC
+C2
XC 0，C 可看作 对地短路 短路。忽略电源的
RS +
es –
C1 +
iB
+ 短路
ui
iC + uB–E
+ TuCE
–
iE
RL
短路
+ uo –
–
内阻，电源的端电 压恒定，直流电源 对交流可看作短路。
交流通路
用来计算电压 放大倍数、输入 电阻、输出电阻 等动态参数。
+
RS
es+ –
uCE
uo = 0
UBE
O
tO
IB tO
IC tO
UCE
uBE = UBE uCE = UCE
t
2.有输入信号(ui ≠ 0)时，各电流和电压均直 流量的基础上叠加了一个交流量。
iC
uo 0
uBE = UBE+ ui
uCE = UCE+ uo
uCE
uo
ui
uBE
iB
O
t
O
t
UBE
IB
？ IC
UCE
当UCE UBE时，晶体 管工作于饱和状态。 发射结处于正向偏置， 集电结也处于正偏。
1
20A
IB=0
O 3 6 9 12 UCE(V)
截止区
输出特性三个区域的特点:
(1) 放大区
BE结正偏，BC结反偏， IC=IB , 且
IB
(2)
饱和区
IC =
BE结正偏，BC结正偏 ，即UCEUBE ， IB>IC
(3) 截止区 UBE< 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0
例： 测量三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工
作状态。
-
+
正偏 + - 反偏
放大Vc>Vb>Ve
+-Fra bibliotek正偏 - + 反偏
放大Vc<Vb<Ve
放大
截止
饱和
3 主要参数
表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体 管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。