实验三共射放大电路计算、仿真、测试分析报告（请在本文件中录入结果并进行各类分析，实验结束后，提交电子文档报告）实验目的：掌握共射电路静态工作点的计算、仿真、测试方法；掌握电路主要参数的计算、中频时输入、输出波形的相位关系、失真的类型及产生的原因；掌握获得波特图的测试、仿真方法；掌握负反馈对增益、上下限截频的影响，了解输入输出间的电容对上限截频的影响等。
实验设备及器件：笔记本电脑（预装所需软件环境）AD2口袋仪器电容：100pF、0.01μF、10μF、100μF电阻：51Ω*2、300Ω、1kΩ、2kΩ、10kΩ*2、24kΩ面包板、晶体管、2N5551、连接线等实验内容：电路如图3-1所示（搭建电路时应注意电容的极性）。
图3-1实验电路1.静态工作点（1）用万用表的β测试功能，获取晶体管的β值，并设晶体管的V BEQ=0.64V，r bb’=10Ω（源于Multisim模型中的参数）。
准确计算晶体管的静态工作点（I BQ、I EQ、V CEQ，并填入表3-1）（静态工作点的仿真及测量工作在C4为100pF完成）；主要计算公式及结果：V BB=V cc R2R1+R2=5∗1024+10≈1.47V R B=R1⋅R2R1+k2=24⋅1024+10≈7.06kΩI BQ=V BB−V BQR B+(1+β)(R3+R4)= 1.47−0,647.06+176∗0.351mA≈12.058μA I cQ=βI BQ=2.110mA I EQ=(1+β)I BQ=2.122mA V CEQ=Vcc−βI BQ R5−I EQ(R3+R4)≈2.145V晶体管为2N5551C，用万用表测试放大倍数β（不同的晶体管放大倍数不同，计算时使用实测数据，并调用和修改Multisim中2N5551模型相关参数，计算静态工作点时，V BEQ=0.64V）。
静态工作点计算：（2）通过Multisim仿真获取静态工作点（依据获取的β值，修改仿真元件中晶体管模型的参数，修改方法见附录。
使用修改后的模型参数仿真I BQ、I EQ、V CEQ，并填入表3-1）；（3）搭建电路测试获取工作点（测试发射极对地电源之差获得I EQ，测试集电极与发射极电压差获取V CEQ，通过β计算I BQ，并填入表3-1）；主要测试数据：V EQ=770.2mV v CEQ=2.883VI EQ=V EQR3+R4=770.2351mA≈2.194mAI BQ=I EQ1+β≈12.433μA I cQ=βI BQ=2.178mA4（4）对比分析计算、仿真、测试结果之间的差异。
分析：可以发现，这三组数据基本吻合，测试值均高于计算值和仿真值，而仿真值比较接近计算值。
产生误差得原因可能是实测中在数据的读取时出现读数误差。
2.波形及增益（1）计算电路的交流电压增益，若输入1kHz 50mV（峰值）正弦信号，计算正负半周的峰值并填入表3-2中（低频电路的仿真及测量工作在C4为100pF完成）；主要计算公式和结果：r be=r b′b+(1+β)V TI EQ =10+176∗262.194kΩ≈2.095kΩA v=v0 v i =−175(R5R6)r be+(1+β)R3≈−175 ∗ 0.9092.095+8.976≈−14.37Av≈23.14输入峰值为50mV的正弦交流信号时，输出电压峰值为：v op+=14.37∗50=718.5mV vop=14.37∗50=718.5mV（2）Multisim仿真：输入1kHz 50mV（峰值）正弦信号，观察输入、输出波形（波形屏幕拷贝贴于下方，标出输出正负半周的峰值，将输出的峰值填入表3-2中）；（3）实际电路测试：输入1kHz 50mV（峰值）正弦信号，观察输入、输出波形（波形屏幕拷贝贴于下方，标出输出正负半周的峰值，将输出的峰值填入表3-2）。
（信号源输出小信号时，由于基础噪声的原因，其信噪比比较小，导致信号波形不好，可让信号源输出一个较大幅值的信号，通过电阻分压得到所需50mV峰值的信号建议使用51Ω和2kΩ分压）表3-2 波形数据（C4为100pF）输入输出正半周峰值输出负半周峰值输出正半周峰值与输入峰值比输出负半周峰值与输入峰值比计算50mV 718.5mV -718.5mV 14.37 -14.37 仿真50mV 694.7mV -714.8mV 13.894 -12.296 测试50mV 675.3mV -711.8mV 13.506 -14.236 （（a）仿真与测试的波形有无明显饱和、截止失真；答：有失真，但是不是很明显，负半周相对失真严重些。
（b）仿真与测试波形正负半周峰值有差异的原因；答：因为存在非线性失真。
（c）输出与输入的相位关系:答：反相；（d）计算、仿真、测试的电压增益误差及原因；答：主要还是读数的处理上存在误差，也有可能是元器件在实际插电路时存在接触电阻等引起误差（猜测）。
（e）其他……。
3.大信号波形失真（1）Multisim仿真：输入1kHz 130mV（峰值）正弦信号，观察输入、输出波形（波形屏幕拷贝贴于下方）（低频大信号的仿真及测量工作在C4为100pF完成）；（2）实际电路测试：输入1kHz 130mV（峰值）正弦信号，观察输入、输出波形（波形屏幕拷贝贴于下方）；（3）分析对比仿真与测试的波形，判断是饱和失真还是截止失真。
分析:我的晶体管在130mV输入峰值电压时并未出现明显失真，但是负半周峰值绝对值和正半周的峰值相差增大。
后来调大输入峰值，比如50V，输出的波形类似脉冲波，出现严重截止失真。
4.频率特性分析4.1 C为100pF时电路的频率特性分析4（1）Multisim仿真频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表3-3）（2）利用AD2的网络分析功能实际测试频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表3-3）（3）对比分析仿真与测试的频率特性：表3-3 100pF电路频率特性增益（dB）下限截频上限截频计算23.1仿真23.1 31.459 Hz 1.696 MHz测试22.816 33.761Hz 1.034MHz对比分析：4.2 C为0.01μF时电路的频率特性分析4（1）Multisim仿真频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表3-4）（2）利用AD2的网络分析功能实际测试频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表3-4）（3）对比分析仿真与测试的频率特性：表3-4 0.01μF电路频率特性增益（dB）下限截频上限截频计算仿真22.943 51.718Hz 13.881kHz测试22.730 32.475Hz 30.936kHz对比分析：电容不同时电路的频率特性分析与比较4.3 C4思考扩展：在本实验中，三极管2N5551C的基极与集电极之间存在电容C4，在实验中，C4在电路中起着什么作用，其电容大小是否会对电路造成影响，造成了什么影响？表3-5 电路频率特性比较增益（dB）下限截频上限截频计算仿真（100pF）23.1 31.459Hz 1.696MHz仿真（0.01μF）22.943 51.718Hz 13.881kHz测试（100pF）22.816 33.761Hz 1.034MHz测试（0.01μF）22.730 32.475Hz 30.936kHz5.深度负反馈频率特性分析将发射极电阻R3和R4对调位置（即：改变交流负反馈深度，但静态工作点不变）。
计算中频增益：为100pF时深度负反馈电路的频率特性分析5.1 C4（1）电路中C4为100pF时，Multisim仿真频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表3-5）（2）利用AD2的网络分析功能实际测试频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表3-5）（3）对比分析仿真与测试的频率特性（含R3和R4未对调前的数据）：表3-5 100pF电路加深反馈前、后的频率特性对比增益（dB）下限截频上限截频计算（浅负反馈）23.1仿真（浅负反馈）23.1 31.459Hz 1.696MHz测试（浅负反馈）22.816 33.761Hz 1.034MHz计算（深负反馈）9.23仿真（深负反馈）9.232 8.018Hz 1.842MHz测试（深负反馈）9.153 4.056Hz 1.115MHz分析加深负反馈前后仿真与测试的指标差别，包括前后增益的变化、前后上下限截止频滤的变化等。
5.2 C为0.01uF时深度负反馈电路的频率特性分析4（1）电路中C4为0.01uF时，Multisim仿真频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表3-6）（2）利用AD2的网络分析功能实际测试频率特性，给出波特图（波特图屏幕拷贝贴于下方，标定中频增益、上限截频、下限截频，并将数值填入表3-6）（3）对比分析仿真与测试的频率特性（含R3和R4未对调前的数据）：表3-6 0.增益（dB）下限截频上限截频计算（浅负反馈）23.1仿真（浅负反馈）22.943 51.718Hz 13.881kHz测试（浅负反馈）22.730 32.745Hz 30.936kHz计算（深负反馈）9.23仿真（深负反馈）9.128 7.692Hz 18.551kHz滤的变化等。
6.计算、仿真、测试共射放大电路过程中的体会。
体会：1、实验中出现问题时，应该结合所学理论知识，静下来分析原因。
比如电路的搭建过程中，电路未接通，需要仔细检查每条通路。
2、学会使用AD2了，体验到熟能生巧的奇妙感觉，AD2在实验过程中用得次数多了，慢慢就从生疏变得熟练了。
3、感觉将所学的课本知识运用到具体的实验操作过程中很好。
就是还不能很好的将理论和实际进行灵活转化，需要多进行实验以训练相应能力。
附录：Multisim中晶体管模型参数修改表：调用2N5551晶体管模型，修改晶体管的相关参数（见下表，除表中各项需要修改外，其他不变）。