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二氧化钒对异向介质太赫兹调制特性的研究_余萍_熊狂炜
电谐振 SRRS 典型结构 Chen 等[14]在 nature 上 面的一篇文章有过报导。图 1 是模拟所用的结构单 元: 白色部分代表金属,厚度为 200nm; 灰色部分 为衬底,该衬底在太赫兹波段几乎透明,能量损耗 可以忽略; 缝隙处深褐色部分为插入的 VO2 薄膜。 模拟单元周期为 P = 60μm,金属环长度 a = 40μm, 金属线宽为 w = 3μm,缝隙宽度为 g = 4μm,开口 宽度 d = 8μm。图 2 是模拟结构的透视图,灰色部 分为相对于太赫兹波段透明且能量损耗小的某种介 质衬底,黑色部分为 VO2 ,厚度可以改变,白色部 分就是金属开口环。对此结构进行模拟,说明 VO2 对异向介质太赫兹调制特性。
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第 12 期
宜春学院学报
第 35 卷
件下的透过率曲线 S21,来说明 VO2 对异向介质的 太赫兹调制特性。当 VO2 呈绝缘相时,有 LC 谐振 和偶极子谐振,而当 VO2 呈金属相时,LC 谐振消 失,仅有偶极子谐振,并且频率向减小方向漂移。 进一步文章中还说明插入缝隙的 VO2 薄膜厚度对 透过率曲线的影响。 1 设计和模拟
振,高频的偶极子谐振向频率减少方向移动,这是 由于等效的 L 变长带来的结果。这样利用 VO2 的 相变从而达到主动调制的目的,而且通过对不同厚 度的透 过 率 进 行 模 拟 时 还 发 现 VO2 薄 膜 厚 度 在 0. 1μm 以上能够达到更好的调制效果。
参考文献: [1] J. W. Fleming. High resolution submillimeter - wave Fou-
第 12 期
余 萍,熊狂炜: 二氧化钒对异向介质太赫兹调制特性的研究
第 35 卷
( a) 绝缘相; ( b) 金属相 图 3 电场方向平行开口方向时的调制曲线图
为了进一步说明 VO2 调制特性,还研究了厚 度对透过率的影响。如图 4 和 5 是电场方向垂直开 口时不同厚度下的 CST 仿真软件的透过率曲线图。 图 4 中可以发现 VO2 为绝缘相时厚度不同对透过 率几乎没有影响,不同厚度下的透过率曲线几乎是 重合的。而当 VO2 为金属相时,不同厚度情况下 透过率还是有差别。从图 5 中可以很明显看到,随 着厚度的增加透过率在逐渐减小,频率向减小方向 移动。厚度为 0. 01 和 0. 02μm 时,谐振频率处的 透过率 在 25% 以 上,达 到 0. 1μm 时,透 过 率 在 10% 。这可能是因为 VO2 太薄时,能量可能没有 在 VO2 层 完 全 衰 减,所 以 电 磁 波 还 能 穿 透 金 属, 随着厚度加 大, 能 量 损 耗 越 来 越 严 重, 最 后 达 到 10% 以下,所以至少选用 0. 1μm 以上的厚度可以 达到更好的调制深度。
太赫兹波是一种介于微波与红外波之间的电磁 波,早在 20 世纪 70 年代就已经引起科学家们的关 注[1],但当时 对 太 赫 兹 波 各 方 面 特 性 的 研 究 和 了 解非常 有 限, 因 此 形 成 所 谓 的 “太 赫 兹 空 白 ” ( Terahertz Gap) 。太赫兹技术在短距离无线通信、 生物传感、医疗诊断、材料特性光谱检测等方面均 具有潜在的应用[2 - 4],近年来,随着量子级联激光 器[5]、自由电 子 激 光 器[6] 的 制 作 成 功 能 产 生 连 续 太赫兹波,因此太赫兹技术成为当今国际上的一个 研究热点。
钒的氧化物一直是人们关注的焦点,VO2 由于 其相变温 度 最 接 近 常 温 而 得 到 更 大 关 注[7]。 研 究 者们发现 68℃ 左右,VO2 能发生从绝缘相到金属
相的转变,而且这种转变是可逆的。在转变的过程 中还伴有电学、磁学、光学性能的突变。研究者们 进一步发现 VO2 薄膜具有皮秒量级的绝缘 - 金属 相变特性,如果利用光激发方式,相变速度还可达 飞秒量级[8]。因此 VO2 在太赫兹功能器件方面的 潜在应用引起了大家的关注,而时域太赫兹光谱也 表明 VO2 相变时透过率有很大的改变,价 值[9], 通过 VO2 薄膜与异向介质的组合,研究者们已经 成功研制出了太赫兹开关和调制器[10 - 12]。
异向介质通常由能发生电磁谐振的金属结构单 元组成,金属开口谐振环 ( SRRS) 是其中的一种, 于 1999 年时由 Pendry[13]提出。SRRS 中金属环和 开口环分别为电容和电感,在外电场或外磁场作用 下产生 LC 谐振,其共振频率 。现有的太赫兹异向 介质器件很多利用电谐振结构,这种电谐振 SRRS 结构对称,各个环路激发的 LC 振荡方向相反,所 以磁场响应相互抵消,仅对电场有响应。另外,异 向介质结构单元的形状和尺寸一旦固定,其谐振频 率再很难改变。如果想要得到主动调控,可以在掺 杂的半导体基底上或者将半导体载流子引入电磁结 构中,结合电或光激励来实现,Chen 等[14]在异向 介质太赫兹调制方向做出了创新性的贡献。
文章运用 CST 仿真软件得到异向介质不同条
①收稿日期: 2013 - 11 - 01 基金项目: 国家自然科学基金 ( 11047115) ,华东交通大学校立科研基金资助 ( 12JC02) 。 作者简介: 余萍 ( 1978 - ) ,女,江西临川人,讲师,硕士,主要研究方向: 光电子材料与器件, Email: yping@ ecjtu. jx. cn。