我们称vBC = 0的解称为"正向" 解：
而vBE = 0 则是"反向" 解：
Clif Fonstad, 9/03
第9讲- 幻灯片6
BJT模型: 埃伯斯－莫尔模型，继续 定性的, 正向和反向部分如下: 正向:
反向:
二者结合则组成了完整的埃伯斯-莫尔模型
Clif Fonstad, 9/03
第9讲- 幻灯片7
npn型BJT BF 对IC 图表
Jesus Del Alamo图象. 经过允许. Clif Fonstad, 9/03 第9讲- 幻灯片11
6.012 –微电子器件与电路 第9 讲– 双极晶体管模型– 摘要 BJT 的工作原理和优化 最佳设计: NDE >> NAB 使δE 减小 wB 减小δB 从而减小 NAB >> NDC 使wB* 不受VCE影响 npn与pnp首选npn因为De >Dh,µe >µh 在F.A.R.中的器件和模型 大信号FAR模型: βF = αF/(1-αF) IBS = (1 -αF)IES =IES /(βF + 1) 埃伯斯－莫尔模型
缺陷: 射极缺陷， (理想状态应是<<1) 基极缺损, äB = (wB 基极缺陷， 集电极缺陷， (通常可以忽略) (可能很大)
Clif Fonstad, 10/03
第9讲- 幻灯片12
BJT特性(npn)
输入曲线 BJT模型
输出曲线族
Clif Fonstad, 9/03
第9讲- 幻灯片8
npn型BJT输出IV 特性曲线
Jesus Del Alamo图象. 经过允许. Clif Fonstad, 9/03 第9讲- 幻灯片9
npn型BJT根梅尔图表
Jesus Del Alamo图象. 经过允许. Clif Fonstad, 9/03 第9讲- 幻灯片10
表明:
Clif Fonstad, 9/03
第9讲- 幻灯片3
npn型BJT 复习:，继续.: 对F.A.R.模型进行更多的观察 我们有:
我们也可以说Biblioteka :产生这个特性的电路模型如下:
说明: iF =-iE.
Clif Fonstad, 9/03
第9讲- 幻灯片4
npn型BJT: FAR模型结构设计
过剩载流子：p', n'
Clif Fonstad, 10/03
第9讲- 幻灯片1
npn型BJT: 与6.002中与n沟道MOSFET作对比 简单的特性，简单的用途.
Clif Fonstad, 9/03
第9讲- 幻灯片2
npn型BJT 复习: 在正向工作区的iE(VBE,VBC)和 iC(VBE, VBC), VBE >0, VBC <0
电流：
Clif Fonstad, 9/03
第9讲- 幻灯片5
BJT模型: 埃伯斯－莫尔模型 我们的F.A.R.结论是重要的普通模型的一种特殊例子 它描述了BJT在所有工作区域的工作情况， 这就是 "埃伯斯－莫尔" 模型。 我们已经能够解决普通的漂移问题和得到BJT特性的 一个大致表达式，继续下列步骤我们 通常观察F.A.R.模型。 但是在埃伯斯－莫尔模型中我们利用 叠加原理来解决每一个独立的应用"激励"问题。 然后整合结果：
6.012 – 微电子器件与电路 第9 讲– 双极型晶体管模型– 概述 •公告 分发概述和摘要的讲稿 第一次测验– 10月8日, 下午7:30-9:30; p-n结二极管, PS #4 •BJT 工作原理和最佳化: 复习FAR模型 工作区域: 1. 正向工作区，2. 截止区， 3. 饱和区，4.反向工作区 设计晶体管结构：性能取舍，设计规则 射极二极管模型,βF 模型, αF 模型 •BJT的埃伯斯－莫尔模型(用npn作为例子) 建模目的: 电路结构一定，求iE (VBE , VBC) 和iC (VBE , VBC) 。 步骤: 用叠加法分成几个步骤解决 iE(VBE ,VBC)= iE(VBE, 0) + iE (0, VBC) iC(VBE ,VBC)= iC(VBE, 0) + iC (0, VBC) (正向) (反向) 正向(VBE, 0) 和反向(0, VBC) 的解决方案: 缺点(d's), 完整的模型： •FAR模型的局限性 基区宽度调制, 厄利效应 β 随电流的变化: EB SCL 复合., HLI, 和IR 下降