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sdram知识讲解_华清远见

sdram知识讲解本篇文章为大家带来sdram知识讲解,sdram如何裸奔,希望看完对大家的学习之路有所帮助。

一、sdram的介绍SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory),同步动态随机存储器,同步是指 Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准;动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失;随机是指数据不是线性依次存储,而是自由指定地址进行数据读写。

二、s3c2410内部存储器上面的图是我个人对存储器的理解。

我们知道,市面上内存的类型很多,那一款cpu是如何来识别如此多的RAM呢?这一切都是内存控制器来做的,我们就需要对内存控制器进行配置。

当然内存控制器支持的 RAM类型也是有限的。

其实cpu在取数据的时候,只是执行一条指令,例如:ldr r0,[r2];关于数据怎么来,cpu并不关心。

整个数据的读取和写入全部由内存控制器完成。

三、s3c2410的地址空间s3c2410的"存储控制器"提供了访问外部设备所需的信号,它有如下特性:A.支持小字节、大字节序(通过软件选择)B.每个BANK的地址空间为128M,总共1GB(8BANKS)C.可编程控制的总线位宽(8/16/32-bit),不过BANK0只能选择两种位宽(16/32-bit)D.总共8个BANK,BANK0-BANK5可以支持外接ROM,SRAM等,BANK6-BANK7 除可以支持ROM、SRAM外,还支持SDRAM等E.BANK0-BANK6共7个BANK的起始地址是固定的F.BANK7的起始地址可编程选择G.BANK6、BANK7的地址空间大小是可编程控制的H.每个BANK的访问周期均可编程控制I.可以通过外部的"wait"信号延长总线的访问周期 <J.在外接SDRAM时,支持自刷新(self-refresh)和省电模式(power down mode)S3C2410对外引出的27根地址线ADDR0-ADDR26的访问范围只有128MB,那么如何达到上面所说的1GB 的访问空间呢?CPU对外还引出了8根片选信号nGCS0-nGCS7,对应于BANK0-BANK7,当访问BANKx的地址空间时,nGCSx引脚输出低电平用来选中外接的设备。

这样,每个nGCSx对应128MB地址空间,8个nGCSx信号总共就对应了1GB的地址空间。

8个BANK如下图所示:如上图所示,左边对应不使用NAND FLASH作为启动设备,右边对应使用NAND FLASH作为启动设备在fs2410上,BANK0接了NOR FLASH,也就说它既支持从NOR FALSH启动,也支持从NAND FLASH 启动。

接线如下注意:把跳线帽拔了是从NOR FLASH启动,此时零地址在NOR FLASH上,S3C2410片内的4k SRAM被映射到高地址0x40000000。

把跳线帽插上是NAND FLASH启动,此时SRAM被映射到零地址。

此时,硬件上会自动把NAND FLASH前4k拷贝到SRAM中去。

S3C2410作为32位的CPU,可以使用的地址范围理论上可以达到4G。

除了上述用于连接外设的1GB地址空间外,还有一部分是cpu内部寄存器的地址,剩下的地址空间没有使用。

四、SDRAM的工作原理SDRAM的内部是一个存储阵列。

阵列就如同表格一样,将数据"填"进去。

在数据读写时和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),我们就可以准确地找到所需要的单元格,这就是内存芯片寻址的基本原理。

先来看看fs2410上面内存的接线原理图内存的芯片是:K4S561632D-TC75关键特性如下:1.4M x 16bit x 4BANK = 32 M2.64ms refresh period (8K Cycle)(一个bank刷新完所需时间64ms,总共8 k = 8192个行,每一行刷新的间隔时间为64ms / 8192 = 7.8125us)3.MAX 主频133MHz(CL=3)注意:CL,就是在CAS发出之后,仍要经过一定的时间才能有数据输出,从CAS与读取命令发出到第一笔数据输出的这段时间,被定义为CL(CAS Latency,CAS潜伏期)。

这里只是简单罗列了一些重要特性,其他特性读者可以查看其datasheet。

引脚功能:下面我们再来看看sdram 是如何寻址1.通过ADDR24,ADDR25,确定bank地址2.通过RA0~RA12,确定行地址(8192个行)3.通过CA0~CA8,确定列地址(512个列)选定bank后,通过行地址和列地址就可以定位在那个单元格,在结合原理图我们知道,fs2310接了两个sdram,地址线复用,数据线分开。

这样一个4字节的数据,前两个字节存放在第一个sdram,后两个字节存放在第二个sdram。

注意:先发bank地址,在发行地址,在发列地址此时你也许有一个疑问,如果按照上面的描述,对于一个给定的地址进行读写都是4byte,但是有我们知道,有些时候我们读取或写入只是某一个字节。

对于1byte的读写是通过LDQM、UDQM。

分别称为低字节屏蔽、高字节屏蔽。

在来看看sdram的时序图Trp(Row precharge time):行预充电时间(min : 20 ns)Trcd(/RAS to /CAS delay):行无效到列有效的时间(min : 20 ns)呵呵,要想得到这样的时序,我们只需要配置内存控制器就可以了。

我们接的是nGCS627、26都是对于SRAM 的,我们是SDRAM使用默认的就可以.[25:24] 10,有人也许会问,我们的sdram 不是16bit的吗?不要忘记了我们接了2块sdram,用了32根数据线。

我们的sdram,[16:15] 使用11Trcd的值 datasheet给出的最少是20ns,默认是10 = 4 clocks 对于 100MHZ,也就是40ns,个人觉得此处可以使用默认值SCAN 10=9bit刷新控制器配置如下:REFEN : 1TREFMD : 0Trp : 00Trc : [datasheet: min 65ns]这里我们选择10 = 6clocksRefresh Counter我在板子上设置HCLK = 101.4MHZ,Refresh count = 2^11 + 1 - 101.4 x 7.8125 = 1256这里我们主要关注BK76MAP,其他的使用默认值BANK6/7对应的地址空间与BANK0-5不同。

BANK0~5的地址空间大小都是固定的128MB,地址范围是(x * 128M)到(x +1 )*128M -1,x表示0到5。

BANK6/7的大小是可以边的,以保持这两个空间的地址连续,即BANK7的起始地址会随他们的大小变化。

<fs2410BANK6接的是2块32M sdram,大小为64M,BANK7没用,所以[2:0] 000=64MB/64MB这里我们只需要设置CL就可以,其他都是fixed(固定),不需要设置。

CL : 011 = 3clocks.SMRDATA:.word (2 << 24) + (1 << 26) @BWSCON.word 0x0700 @BANKCON0.word 0x700 @BANKCON1.word 0x700 @BANKCON2.word 0x700 @BANKCON3.word 0x700 @BANKCON4.word 0x700 @BANKCON5.word (3 << 15) + (1 << 0) @BANKCON6.word 0x18001 @BANKCON7.word (1 << 23) + (2 << 18) + ( 1256 << 0) @REFRESH.word (1 << 7) + (1 << 0) @BANKSIZE.word (3 << 4) @MRSRB6.word (3 << 4) @MRSRB7案例:从 nand 启动,然后将 sram的代码拷贝到sdram,然后跳到sdram中去执行代码start.S.extern main.text.global _start_start:#define pWTCON 0x53000000#define CLKDIVN 0x4c000014#define MPLLCON 0x4c000004#define MEMBASE 0x48000000bl disable_watchdogbl init_sys_clockbl init_sdrmbl copy_sram_to_sdramldr pc,=on_sdram @pc指针指向内存执行代码on_sdram:@此时内存已经初始化好,设置栈指针ldr sp,=0x33000000bl mainmainloop:b mainloopdisable_watchdog:@关看门狗,不然cpu会不断重启ldr r0,=pWTCONmov r1,#0str r1,[r0]mov pc,lr init_sys_clock:@目前为止,cpu工作在12MHZ频率下@提升cpu工作频率FCLK:HCLK:PCLK=1:2:4ldr r0,=CLKDIVNmov r1,#3str r1,[r0] @ifHDIVN=1,must asynchronous buf mode mrc p15,0,r0,c1,c0,0orr r0,r0,#0xc0000000mcr p15,0,r0,c1,c0,0@设置MPLL,使cpu工作在202.80MHZldr r0,=MPLLCONldr r1,=0x000a1031str r1,[r0]mov pc,lrcopy_sram_to_sdram:@将sram的4k数据全部复制到sdram中去@sram的起始地址为0x00000000,sdram中的起始地址为0x30000000 mov r1,#0ldr r2,=0x30000000mov r3,#4096 @4 * 10241:ldr r4,[r1],#4str r4,[r2],#4cmp r1,r3bne 1bmov pc,lrinit_sdrm:@初始化sdramldr r0,=MEMBASE @13个寄存器的首地址adrl r1,SMRDATA @13个寄存器值存放的地址mov r2,#52 @13 * 4 = 52 add r2,r2,r11:ldr r3,[r1],#4str r3,[r0],#4cmp r1,r2bne 1b /*every thing is fine now*/mov pc,lr @ .ltorg @声明一个数据缓冲池的开始SMRDATA:.word (2 << 24) + (1 << 26) @BWSCON.word 0x0700 @BANKCON0.word 0x700 @BANKCON1.word 0x700 @BANKCON2.word 0x700 @BANKCON3.word 0x700 @BANKCON4.word 0x700 @BANKCON5.word (3 << 15) + (1 << 0) @BANKCON6.word 0x18001 @BANKCON7.word (1 << 23) + (2 << 18) + (1256 << 0) @REFRESH .word (1 << 7) + (1 << 0) @BANKSIZE.word (3 << 4) @MRSRB6.word (3 << 4) @MRSRB7led.c#include "s3c2410.h"//初始化int led_init(){//GPFCON -> [8:15]清零GPFCON &= ~(0xff << 8);//GPF4 GPF5 GPF6 GPF7设为输出模式GPFCON |= 0x55 << 8;//输出高低平,关闭四路LED灯GPFDAT |= 0xf << 4;return 0;}//关闭LEDint led_off(){GPFDAT |= 0xf << 4; return 0;}//延时函数int delay_time(int time){int i,j; //让两个for循环作为延时for(i = 0;i < time;i ++)for(j = 0;j < time;j ++);return 0;}//流水灯int run_water_led(int count) {int i = 0; while(count --){led_off();delay_time(1000);for(i = 4;i < 8;i ++){GPFDAT &= ~(0x1 << i);delay_time(1000);}}return 0;}int main(){int i;led_init(); run_water_led(5);led_off();return 0;}Makefile:led.bin:start.S led.carm-none-linux-gnueabi-gcc -c -g start.S -o start.o&nbnbsp; arm-none-linux-gnueabi-gcc -c -g led.c -o led.o# arm-none-linux-gnueabi-ld -Ttext 0x00000000 start.o led.o -o led_elfarm-none-linux-gnueabi-ld -Ttext 0x30000000 start.o led.o -o led_elfarm-none-linux-gnueabi-objcopy -O binary -S led_elf led.bincp led.bin /tftpbootclean:rm -rf *.o led_elf led.bin以上就是sdram如何裸奔,由华清远见为大家带来的sdram知识讲解。

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