第3章自激式开关电源的原理与应用自激式开关电源利用调整管、变压器辅助绕组构成正反馈通路,实现自激振荡,再借助反馈信号稳定电压输出。
由于调整管兼作振荡管,所以无须专设振荡器,故所用的元器件较少,电路简单、成本低,在一定程度上简化了电路。
由于自激式开关电源经济实用,目前仍有较多的电子设备采用自激式开关电源,比如手机充电器、打印机、自动化仪器仪表、电视机和显示器等。
本章拟在讲述自激式开关电源基本电路的基础上,以几种变压器耦合型自激式开关电源的电路实例为载体,配合关键点的测试波形,剖析它们的工作原理,希望引领读者进入开关电源的万千世界。
3-1 自激式开关电源的工作原理3.1.1 自激式开关电源的特点1.自激式开关电源现在所有由市电供电的AC-DC设备,几乎全部采用变压器耦合型开关电源,也称为隔离型开关电源。
功率管周期性通断,控制开关变压器初级绕组存储输入电源的能量,通过次级绕组进行能量释放。
显然,开关电源的输入与输出是通过变压器的磁耦合传递能量的。
由于变压器绕组之间是绝缘的,因此初次级绕组完全隔离,即“热地”和“冷地”是绝缘的,且绝缘电阻和抗电强度均可达到很高,这一特点对用电安全尤为重要。
若开关管的激励脉冲是由变压器辅助绕组与开关管构成的正反馈环路自激振荡产生的,称为自激式开关电源。
由于自激式开关电源的调整管兼作振荡管,因此无须专设振荡器。
除非特别说明,本书讲述的自激式开关电源均是指自激式变压器耦合型开关电源,下面就介绍这方面的知识。
2.自激式开关电源的特点(1)自激式开关电源结构简单,生产制造成本低廉。
(2)自激式开关电源的脉冲信号是自激振荡产生的,是一种非固定频率的变换电路,随输入电压和负载变化而变化,轻载时开关频率较高或间歇振荡,满载时频率会自动降低。
(3)自激式开关电源在占空比D 发生改变时,开关管的C I 与CE U 相对值发生变化,因此D 变化范围较小,一般小于50%。
(4)自激式开关电源具备一定的自保护功能,一旦负载过重,必然破坏反馈条件,振荡将因损耗过大而减少或和间歇振荡,因此保护电路比较简单,这是自激式开关电源的一大优点。
(5)自激式开关电源的电流峰值高、纹波电流大,由于工作频率随输入电压和负载电流变化而变化,在高功率、大电流工作时稳定性差,故仅适宜60W 以下的小功率场合。
由于许多办公设备、手机充电器和仪器仪表等在这个功率范围之下,故自激式开关电源的使用相当普遍。
3.1.2 自激式开关电源的工作原理①如图3-1所示为自激式开关电源的基本电路。
U是输入交流电压经I整流的直流电压;C是整流电压的滤波电容;'B R是启动电阻;VT是功率I开关管;R、B C与变压器辅助绕组构成VT的振荡电路;T是开关变压器,B初绕绕组用于储能及初、次级组能量耦合,辅助绕组产生正反馈信号;整流二极管VD和C组成整流滤波电路,输出平滑的直流电压O U给负载OR供电。
L图3-1 自激式开关电源的基本电路初始上电时,电阻'R给VT提供在启动电流开始导通。
VT一旦导通,B变压器T初级绕组因有电流流过而发生自感,自感电动势的方向阻止电流的增大;另一方面,初级绕组同时与次级绕组、辅助绕组发生互感,次级绕组感应动势的方向使二极管VD反偏,辅助绕组感应动势的方向加速VT导通。
当VT趋向于截止时,初级绕组因电流减小而发生自感,自感电动势的方向阻止电流的减小(此时初级绕组与电源电压U顺向叠I加),次级绕组感应动势的方向使二极管VD正偏,辅助绕组感应动势的方向加速VT截止。
电压和电路波形如图3-2所示。
VT导通(t)期间,变压器T初级ON①有些文献称之为RCC变换器,RCC指Ringing Choke Converter,即阻尼振荡变换器。
绕组从电源电压I U 蓄积能量;在VT 截止(OFF t )期间,变压器T 蓄积的能量释放给负载。
在VT 从导通到截止转换瞬间,变压器初次级绕组依次出现峰值电流P I 1、P I 2②,见图3-2(a )、(b )所示。
初、次级绕组均为脉冲电压,且相位相反,见图3-2(c )、(d )所示。
F U 为整流二极管导通压降,2U 是2u 的正脉冲,等于输出直流O U 与二极管导通电压F U 的叠加。
OFF t 结束时,变压器初级绕组感应电动势1u 自由振荡返回到零。
VT 基极连接的辅助绕组也称正反馈绕组,因变压器互感产生正反馈信号控制VT 的通断,即所谓自激振荡。
由上述工作原理可知,自激式开关电源是以功率管和变压器为主要元件组成的开关变换电路,通过自激振荡将直流电变成初级侧的脉冲电压,通过变压器耦合到次级侧,再经二极管整流与电容滤波送往负载电路。
在这种电路中,由于功率管起着开关及振荡的双重作用,省去了控制电路,因此电路比较简单。
图3-2 电压和电流波形③图3-3 自激式②图中I 1P 、I 2P 是i 1、i 2的峰值电流,下标P 为peak 首字母。
③一般来说,开关电源的初级绕组电压高、电流小,次级绕组电压低、电流大,而辅助绕组主要起正反馈控制作用,电压与电流均比较小。
(a )ON t 期间(b )OFF t 期间开关电源的等效电路图3-3所示为自激式开关电源的分时等效电路,L、2L分别为初、1次级绕组的电感。
图(a)t期间开关管VT导通,T初级绕组两端所加ON电压为U,次级侧滤波电容O C放电、电压降低,供给负载输出电流O i。
I这期间,变压器T初级绕组从直流电源U吸收能量、电感励磁;整流二I极管VD中无电流,故变压器初、次级绕组无相互作用。
图(b)t期间开关管VT截止,T初级绕组没有电流,故图中未画OFF出。
这期间,初级绕组吸收的能量耦合到次级侧,整流二极管VD导通,一边给电容C充电、电压升高,一边给负载供电,变压器初级绕组释能、O电感消磁。
3.1.3 自激式开关电源简易电路自激式开关电源的简易电路如图3-4所示。
它由电源输入滤波、整流滤波、启动及主开关、浪涌电压吸收、次级侧整流滤波和稳压检测等电路组成。
关于电源输入滤波和整流滤波,在《第二章》中已经作了详细阐述,下面着重介绍主开关和各种保护电路。
图3-4 自激式开关电源的简易电路1.主开关电路主开关电路是保证输出电压稳定而通断整流平滑的直流电路,它是开关电源的重要组成部分。
对于自激振荡开关电源来说,功率管VT 1的集电极峰值电流CP i 是决定电源输出功率之值,它由开关管的基极电流B i 与晶体管基区电荷存储效应时间stg t ④决定。
为了方便讲述,这里把基极驱动电路单独画出来,如图3-5所示。
辅助绕组a N 产生的正反馈电压,使晶体管VT 1的基极电流按1C R B 时间常数衰减,这期间B i 等于1B i ,VT 1的集电极电流C i 从零线性增加⑤。
当1C 两端电压达到二极管VD 2的正向压降时,电流2B i 经VD 2流通,这之后因二极④ 存储时间对应晶体管接收到关断信号到集电极电流下降到90%的时间,也就是饱和时基区的超量存储电荷的消散时间。
存储时间与导通时的饱和深度有关,同时也跟关断电压和d v/d t 有关。
饱和度越深存储时间越长。
⑤VT 1的集电极电流C i 就是变压器主绕组的电流,电感电流不能突变,要从零线性增加。
管VD 2的箝位作用,1B i 为零,B i 等于2B i ,VT 1的集电极电流C i 继续增加。
(a )基极驱动电路 (b )电流波形图图3-5 基极驱动电路及电流波形图当VT 1的集电极电流C i 增加到FE B h i •之后,在VT 1存储电荷stg t 期间,Ci 还会继续增加,若增加接近CP i (=()stg P I FE B t L U h i •+•/)时,在VT 1基极施加反偏电流,则VT 1转为截止。
CP i 的大小与B R 有关,B R 越小CP i 就越大。
若这样确定B R 以后,则当输入电压升高或输出电流减小时,有必要使VT 1基极电流不需要的分量流经其它电路,VT 2的其中一个作用就是为此而设(另一个用途是过流保护),这样就能保持输出电压稳定。
电路中,辅助绕组a N 经VD 3、2C 整流滤波后给光电耦合器(简称光耦)供电,输出端的电压变化经光耦反馈到输入侧,控制VT2分流VT1基极电流。
当输出电压稍稍升高时,光耦中的LED光通量增加,光电管的集电极电流增大,导致VT2的基极电压升高,集电极电流增大,形成使VT1基极电流i减小的负反馈闭环路。
VT1基极电流B i一旦减小,集电极峰值电B流i也减小,ON t变短,占空比减小,输出电压下降。
CP另一方面,t随输入电压升高、输出电流的减小而变短,因此输入ON电压最高,输出电流最小时t最短。
若输入电压升高、输出电流又下降ON某一极限值时,电路就不能维持正常振荡,产生如图3-6所示的间歇振荡,这时开关变压器会出现振动噪声。
为了避免出现间歇振荡,必要时在输出端接假负载。
图3-6 间歇振荡2.过流保护电路在电源接通瞬间或输出短路时,光电耦合器停止工作,VT2为截止状态,此时正反馈电流全部流经VT1的基极。
当输入电压较高时,基极电流与输入电压成比例增大,开关管集电极电流也成比例增大,这样,变压器就可能会达致磁饱和状态,VT 1将因过流而损坏。
为了保护VT 1始终工作于安全工作区,有必要设置过流保护电路,防止开关管集电极无节制地增大。
如图3-7所示是几种过流保护电路实例。
最常见的是图(a )所示电路,采用专用的过流保护晶体管;图(b )所示电路用两只二极管替代晶体管,保护效果不如前者。
在图(a )中,若过流检测电阻E R 压降接近VT 2的BE U 时,VT 2开始导通,分流VT 1的基极电流,防止VT 1电流过大。
显然,电阻E R 阻值愈小、检测的动作电流愈大。
在许多自激式开关电源中,该电阻取值为几欧姆以下,功率为1~2W 。
即便如此,一旦发生短路等严重故障,E R 被烧毁的现象仍然非常普遍。
在图(b )中,当VT 1基极电压大于两只二极管的串联死区压降时二极管导通,分流VT 1的基极电流,防止VT 1电流过大。
(a )晶体管保护 (b )二极管保护图3-7 过电流保护电路实例自激式开关电源简易电路的过流保护采用图3-7(a )方案,如图3-8所示。
(a )过流保护电路 (b )工作波形图3-8 过流保护电路及工作波形当开关管VT 1的集电极电流增加时,若过流检测电阻E R 两端电压接近VT 2的BE U (VT 2的CE U 达到1.2V 以上),则VT 1的基极电流被VT 2分流,从而限制了VT 1的集电极电流C i 的增加,达到保护的目的。
VT 2的CE U 在数值上等于VT 1的BE U 与E R 的压降之和,VT 1的BE U 基本为常数,E R 的压降是VT 1发射极电流E i 在E R 上作用的结果。