总结
加入一定量的低熔点的 V2O5/MoO3掺杂剂均能降低 NiCuZn 铁氧体的烧结温度
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加入适量的 V2O5/MoO3可以得到较好的磁性能
通过掺杂可以解决低温烧结和高磁导率的矛盾，并 且具有良好的综合电磁性能，尤其具有比较高的磁 导率

三氧化钼-五氧化二钒
不同 V2O5/MoO3含量样品的微观结构
三氧化钼-五氧化二钒
样品磁导率与V2O5/MoO3掺杂量的关系
三氧化钼-五氧化二钒
样品品质因数与V2O5/MoO3掺杂量的关系
三氧化钼-五氧化二钒
样品的饱和磁感应强度与 V2O5/MoO3掺杂量的关 系
三氧化钼-五氧化二钒
材料的矫顽力与 V2O5/MoO3掺杂量的关系
三氧化钼-五氧化二钒
900℃烧结样品密度随 V2O5 -MoO3掺杂量的变化
三氧化钼-五氧化二钒
没有掺入低熔点物质 的 样 品 密 度 只 %MoO3的样品密度随掺 杂量的增多而增大；掺杂量超过 0.25wt%V2O5/0.5wt%Mo3 时，样品密度几乎保持恒定。 当加入低熔点的物质 V2O5/ MoO3（V2O5熔点为 690℃， MoO3熔点为 795℃），样品在 900℃烧结时，V2O5/ MoO3 在晶界处形成液相，促进样品烧结； 掺杂过多，晶粒生长过快，气孔没有全部排出，所以密度略 有 下降。
镍铜锌铁氧体
复合添加剂
复合添加剂种类
1
三氧化钼-五氧化二钒
2
三氧化二铋-五氧化二钒
3
三氧化二铋-氧化亚铅
Hot Tip
• 使用复合添加剂的目的
– 降低烧结温度 – 提高初始磁导率
三氧化钼-五氧化二钒
• NiCuZn 铁氧体的低温烧结本是以牺牲起始 磁导率为代价的 • 进行V2O5和 MoO3复合掺杂，利用 V2O5 来降低 NiCuZn 铁氧体的烧结温度，利用 掺杂 MoO3来促进晶粒在较低烧结温度时 的晶粒生长及致密化降低 NiCuZn 铁氧体 的烧结温度