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第4章《自测题、习题》参考答案

第4章 多级放大电路与频率响应自测题填空题1.在三级放大电路中,已知u1||=50A ,u2||=80A ,u3||=25A ,则其总电压放大倍数u ||=A ,折合为 dB 。

2.一个三级放大电路,若第一级和第二级的电压增益为30dB ,第三级的电压增益为20dB ,则其总电压增益为 dB ,折合为 倍。

3.在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的 ,而前级的输出电阻则也可视为后级的 。

4.在多级直接耦合放大电路中,对电路零点漂移影响最严重的一级是 ,零点漂移最大的一级是 。

5.集成运放的两个输入端分别为 和 输入端,前者输入信号的极性与输出端极性 ,后者输入信号的极性与输出端极性 。

6.某单级共射放大电路的对数幅频响应如题4.1.6图所示,则该放大电路的us1A 频率响应表达式为 ,ush A 频率响应表达式为 。

,7.在题4.1.7图所示放大电路中,空载时,若增大电容1C 的容量,则中频电压放大倍数usm A 将 ,L f 将 ,H f 将 ;当b R 减小时,L f 将 。

当带上负载后,L f 将 。

8.多级放大电路与单级放大电路相比,总的通频带一定比它的任何一级都 ;级数越多则上限频率H f 越 。

9.已知RC 耦合放大电路在L f 处放大倍数为100,则在H f 处放大倍数为 ,中频区放大倍数为 。

答案:1.105,100。

2.80,104。

3.负载电阻,信号源内阻。

4.输入级,输出级。

5.同相,反相,相同,相反。

6.usl 1001j(100)A f -=-/;ush 51001j(10)A f -=+/。

7.不变,下降,不变,增大,增大。

8.窄,低。

9.100,141。

选择题1.一个由相同类型管子组成的两级阻容耦合共射放大电路,前级和后级的静态工作点均偏低,当前级输入信号幅度足够大时,后级输出电压波形将 。

A .削顶失真;B .削底失真;C .双向失真。

2.两个相同的单级共射放大电路,空载时电压放大倍数均为30,现将它们级联后组成一个两级放大电路,则总的电压放大倍数 。

A .等于60;B .等于900;C .小于900;D .大于900。

$3.阻容耦合与直接耦合多级放大电路之间的主要不同是 。

A .所放大的信号不同;B .交流通路不同;C .直流通路不同。

4.一个放大电路的对数幅频响应如题4.1.6图所示。

(1)中频放大倍数usm ||A 为 dB 。

A .20;B .40;C .100。

(2)上限频率为 。

A .<100 kHz ;B .>100 kHz ;C .100 kHz 。

(3)下限频率为 。

A .<100 Hz ;B .>100 Hz ;C .100 Hz 。

(4)当信号频率恰好为上限频率或下限频率时,实际的电压增益为 dB 。

)A .40;B .37;C .3。

5.在题 4.1.7图所示阻容耦合共射放大电路中,已知晶体管的100β=,be 1k Ωr =,负载开路。

试求:(1)若i ||10mV U =,且信号频率L f f = ,则o ||U 的数值约为 。

A .1V ;B .2V ;C .;D .700mV 。

(2)当L f f =时,o U 与i U 的相位关系为 。

A .o 45;B .o 45-;C .o 225-;D .o 135-。

(3)高频信号输入时放大倍数下降,主要的原因是 。

A .1C 和2C ;B .晶体管的非线性;C .晶体管的极间电容和分布电容。

6.在考虑放大电路的频率失真时,若输入信号为正弦波,则输出信号 。

A .会产生线性失真;B .会产生非线性失真;;C .为非正弦波;D .为正弦波。

7.如图2.4.4(a )所示的分压式工作点稳定共射基本放大电路,当射极旁路电容为47µF ,晶体管的结电容为12pF 时,测得下限频率为50Hz ,上限频率为20kHz 。

现将射极旁路电容换为100µF ,管子换为结电容为5pF 的晶体管,此时的下限频率将 50Hz ,上限频率将 20kHz 。

A .大于;B .等于;C .小于。

8.具有相同参数的两级放大电路,在组成其各个单管的截止频率处,幅值下降 。

A .3dB ; B .6dB ;C .20dB ;D .9dB 。

9.多级放大电路放大倍数的波特图是 。

A .各级波特图的叠加;B .各级波特图的乘积;C .各级波特图中通频带最窄者;D .各级波特图中通频带最宽者。

答案:1.C 。

2.C 。

3.A 、C 。

4.(1)B ;(2)C ;(3)C ;(4)B 。

5.(1)C ;(2)D ;(3)C 。

6.D 。

7.C 、A 。

8.B 。

9.A 。

判断题,1.在多级直流放大电路中,减小每一级的零点漂移都具有同等的意义。

( )2.阻容耦合放大电路只能放大交流信号,不能放大直流信号。

( )3.直接耦合放大电路的温漂很小,所以应用很广泛。

( )4.晶体管的共射截止频率βf 、特征频率f T 、共基截止频率αf 三者满足βT αf f f >>。

( )5.在集成电路中制造大电容很困难,因此阻容耦合方式在线性集成电路中几乎无法采用。

( )6.阻容耦合放大电路中的耦合电容、旁路电容越多,低频特性越差,下限频率越高。

( )7.阻容耦合放大电路的电路参数确定后,其电压放大倍数是不随频率变化的固定值。

( )8.在要求L f 很低的场合,可以采用直接耦合方式。

( )9.对题4.1.7图所示的基本放大电路,增大电容C 1、C 2将有利于高频信号通过,即可提高上限频率H f 。

( )答案:2、5、6、8对;1、3、4、7、9错。

|习题在题图所示的两级放大电路中,已知BE 0.7V U =,50β=,bb 100Ωr '=,CC 15V V =,e15k ΩR =,b1133k ΩR =,b1220k ΩR =,c15k ΩR =,b2200k ΩR =,e2L 2k ΩR R ==。

(1)求两级的静态工作点;(2)计算输入电阻i R 和输出电阻o R ;(3)计算中频电压放大倍数um A 。

解:(1)第一级共基放大电路的Q 点参数为: b12B1CC b11b122015 5.66V 3320R U V R R ≈=⨯≈++, B1BEQCQ1EQ1e1 5.660.70.99mA 5U U I I R --≈==≈,CQ1BQ110.99mA 19.8A 50I I β≈==μ, CEQ1CC CQ1c1e1()150.99(55) 5.1V U V I R R ≈-+=-⨯+=。

第二级共集放大电路的Q 点参数为:CC BEQBQ2b22e2150.747.35A (1)200512V U I R βR --==≈μ+++⨯, CQ22BQ2500.04735 2.37mA I βI ≈=⨯≈,CEQ2CC CQ2e215 2.37210.26V U V I R ≈-=-⨯=。

`(2)be12610051 1.44k Ω0.99r =+⨯≈,be226100510.66k Ω2.37r =+⨯≈, be1i e11 1.44//5//27.84Ω1+51r R R β==≈be2b2c1o e22//0.66200//5//2//104.27Ω1+51r R R R R β++==≈ (3)i2b2be22e2L //[(1+)(//)]200//[0.6651(2//2)]41.06k ΩR R r βR R =+=+⨯≈c1i2um11be1//5//41.0650154.761.44R R A βr ==⨯≈ 2e2L um2be22e2L (1)(//)51(2//2)0.99(1)(//)0.6651(2//2)βR R A r βR R +⨯==≈+++⨯ um um1um2154.760.99153.21A A A =⨯=⨯≈在题图所示的两级放大电路中,已知场效应管的跨导m 1mS g =,DSS 2mA I =;晶体管的60β=,be 0.5k Ωr =,BE 0.7V U =;并且1 5.1M ΩR =,25k ΩR =,320k ΩR =,45k ΩR =,50.7k ΩR =,60.62k ΩR =,L 10k ΩR =,DD 28V V =。

试求(1)两级的静态工作点;(2)中频电压放大倍数um A 、输入电阻i R 和输出电阻o R 。

解:(1)因为T 1管的GS 0V U =,所以DQ DSS 2mA I I ==—DSQ DD DQ 2282518V U V I R =-=-⨯=4B2DD 34528 5.6V 205R U V R R ≈=⨯=++ B2BEQCQ EQ 6 5.60.77.9mA 0.62U U I I R --≈==≈ CQBQ 7.90.13mA 60I I β≈=≈ CE DD CQ 56()287.9(0.70.62)17.57V U V I R R ≈-+=-⨯+≈(2)um1m Lm 234be2(//////)A g R g R R R r '=-=- 33110(5//20//5//0.5)100.41-=-⨯⨯⨯≈-5L um2be2(//)60(0.7//10)78.50.5βR R A r ⨯=-=-≈- um um1um20.41(78.5)32.19A A A =⋅=-⨯-≈i 1 5.1M ΩR R =={o 50.7k ΩR R ≈=两级放大电路如题图所示,已知1T 管的m 0.6mA V g =/,2T 管的be 1k Ωr =,100β=;s 10k ΩR =,g 1M ΩR =,g1g2200k ΩR R ==,d110k ΩR =,f 1k ΩR =,c 2k ΩR =,L 20k ΩR =。

试求(1)电路的i R 和o R ;(2)中频电压放大倍数um A 及源电压放大倍数usm A 。

解:(1)3i g g1g2//110200//200 1.1M ΩR R R R =+=⨯+=;o c 2k ΩR R ≈=(2)m d1be um1m f (//)0.6(10//1)0.341+10.61g R r A g R ⨯=-=-≈-+⨯ c L um2be (//)100(2//20)181.821βR R A r ⨯=-=-≈- um um1um20.34(181.82)61.82A A A =⋅=-⨯-≈i usm um 3i s 1.161.8261.261.11010R A A R R -==⨯≈++⨯¥ 两级放大电路如题图所示,已知两只晶体的80β=,bb 200Ωr '=,BE10.7V U =,BE20.2V U =-;b140k ΩR =,b220k ΩR =,c12k ΩR =,e1 3.3k ΩR =,e21k ΩR =,c23k ΩR =,L 6k ΩR =,CC 12V V =。

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