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《微电子器件》第三版习题讲解

部分习题解答
部分物理常数:
q 1.6 1019 C, kT q 0.026V (T 300k),
S (Si) 11.8 8.854 1014 1.0451012 F cm ,
EG (Si) 1.09eV, ni (Si) 1.5 1010 cm3,
S (Ge) 16 8.854 1014 1.417 1012 F cm ,
2
1
1
1.1251011(s)
8、以 NPN 管为例,当基区与发射区都是非均匀掺杂时, 由式(3-33a)和式(3-33b),
JnE
qDBni2
WB 0
NBdx
exp
qVBE kT
1
AE q 2 DBni2 QBO
exp
qVBE kT
1
JpE
qDE ni2
WE 0
NEdx
exp
式中,
1
1 2
WB LB
2
1
WB2
2DB B
0.9986
将 AE 104 μm2 , 0.9986, q 1.6 1019 C,
DB 18cm2 s1, ni 1.51010 cm3, WB 0.7 104 cm,
NB 1017 cm3,
VBE 0.7 V,
kT 0.026 V 之值代入, q
WB dWB dVCE
式中,dWB dxdB , VCE VCB VBE

VBE
保持不变,所以 dVCE
dVCB ,
于是:VA
WB dxdB dVCB
1
xdB
2s N
qNB
C
(
(Vbi VCB ) NC NB)
2
1
dxdB dVCB
2qNB
(NC
s NC
NB )(Vbi
2
VCB
得:IC 4.55 (mA)
0.9936,
1
155,
IB
IC
0.029 (mA)
10、
(1)
1
DEWB NB
DB
WE 0
NEdx
1
DE ABqWB NB
DB ABq
WE 0
NEdx
1 QBO DE QEO DB
式中,QBO ABqWB NB 3.2 1011C, QEO 1.28109 C,
E1
E3
xi1 xn xi1 0 xi2
x
xi2 xp

x
xi1 处,E1
Emax
q
s
ND xn ,
由此得:xn
s Emax
qND

x
xi2 处,E3
Emax
q
s
NA xp
,
由此得:xp
s Emax
qNA
(2) 对于无 I 型区的PN结:
xi1 0,
xi2 0,
E1
q
s
ND (x
xn ),
Vcm-1
(2)
xp
S
qNA
Em
Emax
5.67 106 cm
1
xd
xp
xn
S
qN0
Emax
2Vbi Emax
2SVbi
qN0
2
3.40105 cm
4、
1
1
1
1
xd
2S
qN0
Vbi
V
2
2S
qN0
Vbi
V
2
Vbi Vbi
2
xd0
DE 2cm2s1, DB 18cm2s1, 代入 中,得: 0.9972
(2) 1 WB2 0.9999 2DB B
(3) 0.9971, 344 1
(4) 当由基区输运造成的亏损非常小时,可假设 1,这时
可用 ' QEODB 来代替 。
QBO DE
' QEODB 360, 误差为: | e | | ' | 4.7%
qV kT
1
Jdp Ln Dp NA Ln p NA 1 Jdn Lp Dn ND Lp n ND
24、 PN 结的正向扩散电流为
I
I0
exp
qV kT
式中的 I0 因含 ni2 而与温度关系密切,因此正向扩散电流可表为
I
C1ni2
exp
qV kT
C2
exp
EG kT
qV
于是 PN 结正向扩散电流的温度系数与相对温度系数分别为
EG (Ge) 0.66eV, ni (Ge) 2.4 1013cm3,
OX 3.98.854 1014 3.4531013 F cm
第2章
1 、在 N 区耗尽区中,高斯定理为:
Ñ r
E
r gdA
q
A
s
V NDdv
取一个圆柱形体积,底面在 PN 结的冶金结面(即原点)处,
面积为一个单位面积,顶面位于 x 处。则由高斯定理可得:
100
6、

J nE
qDBnB (0) , WB
可得:nB (0)
J nEWB qDB
,

JnE 0.1Acm2 , WB 2 104 cm, q 1.6 1019 C, DB 15cm2 s1
之值代入,得: nB (0) 8.331012 cm3
又由
nB (0)
np0
exp
qVBE kT
ni2 NB
exp
qVBE kT

得:VBE
kT q
ln nB (0)NB , ni2

kT q
、nB
(0)、NB
及 ni
之值代入,
得:VBE 0.55V
已知:
1
1 2
WB LB
2
1 WB2
2DB n
,
将n
106 s 及 WB 、DB
之值代入,得: 0.9987。
7、
b
WB2 2DB
ND1 Edx
ND2
kT q
ln n | ND1
ND2
kT q
ln
N D1 ND2
将 kT q
0.026V ,
ND1 11020 cm3,
ND2 11016 cm3
代入,得:Vbi 0.026 ln(104 ) 0.24 V
7、由第 6 题:
E kT 1 dn kT 1 dN (x) q n dx q N (x) dx
xi
0,得:Emax
2qN0Vbi
s
2
当 xi 增大时,Emax 减小, 当 xi 时,Emax 0
20、
已知: 由于
因此
p qp NA p NA 1 n qn ND n ND
J dp
qDp ni2 Lp ND
exp
qV kT
1
J dn
qDn ni2 Ln NA
exp
exp
qVBE kT
1
1
ro
IC VCE
VBE
AE qDB ni 2
exp
qVBE kT
1
NB
(WB
)
dWB dVCE
WB 0
NBdx
2
IC
NB (WB )
WB
dWB dVCE
0 NBdx
IC VA
WB
VA 0 NBdx
N
B
(WB
)
dWB dVCE
对均匀基区,VA
CT
10
3.6 0.4
10
9 30 (pF)
39、
IF
I0
exp
qV kT
gD
dI F dV
qI F kT
当 T 300K 时,
kT q
0.026 V,
对于 IF 10 mA 0.01 A,
gD
10 26
0.385 s,
rD
1 gD
2.6
在 100C 时,kT 0.026 373 0.0323V,
1
xdB W xdB
2
144
1
9
3 9
2
80V
34、
已知对于单边突变结,
1
CT
A
s qN
2(Vbi
0
V
)
2
Vbi
K V
1
2
当 Vbi 0.6 V,
V 3V 时, CT
K 10 pF , 由此可得 3.6
K 10 3.6, 因此当 V 0.2 V时,
WB2 2L2B
2
1
1
这时
β0 与 β 也有类似的关系 。
Vbi Vbi
V
2
当 V 3Vbi 时,xd 2 xd0 当 V 8Vbi 时,xd 3 xd0
6、
ND2
ND1
由平衡时多子电流为零
Jn
qDn
dn dx
qnnE
0
得: E Dn 1 dn kT 1 dn kT d ln n
n n dx
q n dx
q dx
Vbi
q 1.61019 C, S 1.0451012 F cm ,
代入 | Emax |中,得:| Emax | 1.52 104 V cm
8、(1)
N
I
P
xi1 xn xi1 0 xi2
xi2 xp
在 N型区,
dE1 dx
q
s
ND
,
E1
q
s
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