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模拟集成电路分析与设计复习题

1. MOSFET 跨导g m 是如何定义的。

在不考虑沟道长度调制时,写出MOSFET 在饱和区的g m 与
V GS −V TH 、√D 和1V GS −V TH 的关系表示式。

画出它们各自的变化曲线。

2. MOSFET 的跨导g m 是如何定义的。

在考虑沟道长度调制时,写出MOSFET 在饱和区的g m 与
V GS −V TH 、√D 和1
V GS −V TH 的关系表示式。

画出它们各自的变化曲线。

3. 画出考虑体效应和沟道长度调制效应后的MOSFET 小信号等效电路。

写出r o 和g mb 的定
义,并由此定义推出r o 和g mb 表示式。

4. 画出由NMOS 和PMOS 二极管作负载的MOSFET 共源级电路图。

对其中NMOS 二极管负载共
源级电路,推出忽略沟道长度调制效应后的增益表示式,分析说明器件尺寸和偏置电流对增益的影响。

对PMOS 二极管负载的共源级电路,对其增益表示式作出与上同样的分析。

5. 画出MOS 共源共栅级电路的电路图和其对应的小信号等效电路图。

并推出此共源共栅
级电路的电压增益和输出电阻表示式。

6. 画出带源极负反馈电阻的以电阻作负载的MOS 共源级电路的电路图和其对应的小信号
等效电路图。

写出此电路的等效跨导定义式,并由此推出在不考虑沟道长度调制和体效应情况下的小信号电压增益表示式。

画出其漏电流和跨导随V in 的变化曲线图。

7. 画出带源极负反馈电阻的以电阻作负载的MOS 共源级电路的电路图和其对应的小信号
等效电路图。

写出此电路的等效跨导定义式,并由此推出考虑沟道长度调制和体效应情 况下的小信号电压增益表示式。

画出其漏电流和跨导随V in 的变化曲线图。

8. 画出以二极管连接的MOS 为负载的差动对和以电流源为负载的差动对的电路图。

并求
出这两种电路的小信号增益。

9.下图给出一个电阻负载共源级放大器的高频模型。

画出其小信号等效电路。

并由此等效
电路推出其传输函数。

就此传输函数,简要说明电路的零极点分布情况。

10.对如下图所示的共源级电路,画出其含有噪声的电路模型。

并根据此模型图写出其输出
噪声电压V n ,out 2̅̅̅̅̅̅̅̅̅和输入噪声电压V n ,in 2̅̅̅̅̅̅̅̅。

11.下图是一个电路系统的环路增益波特图,由图分析此系统的极点和零点情况。

指出系统的稳定性,写出系统的开环和闭环传输函数,并由此求出闭环系统的极点公式来。

12.下图给出了一个采用共源共栅的两级运放电路。

分析指出其极点位置,画出其环路增益的波特图。

如要对此电路进行密勒补偿,补偿电容加在哪里,其值应等于多少?
13.下图所示的电路,在忽略体效应的情况下,分析写出I out的表示式。

并就此表示式进行简要的分析说明。

14.对下图所示的有反馈的共栅级电路,忽略沟道长度调制,分析给出其开环和闭环输入阻抗表示式。

并作简要分析说明。

15.对下图(a)所示的电路,简要分析并明其功能。

根据图(b)的简化等效电路,推出V out/V in的关系表达式。

图(a)图(b)。

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