二极管及整流电路练习题
一、填空
1、纯净的半导体称为，它的导电能力很。
在纯净的半导体中掺入少量的价元素，可形成P型半导体，又称型半导体，其中多数载流子为，少数载流子为。
2、在本征半导体中掺入价元素，可形成N型半导体，其中多数载流子为，少数载流子为，它的导电能力比本征半导体
3、如图，这是材料的二极管的____
曲线，在正向电压超过 V
后，二极管开始导通，这个电压称为
电压。
正常导通后，此管的正向压降约
为 V。
当反向电压增大到 V时，
即称为电压。
其中
稳压管一般工作在区。
4、二极管的伏安特性指和关系，当正向电压超过_____后，二极管导通。
正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V,锗管约为 V。
5、二极管的重要特性是，具体指：给二极管加电压，二极管导通；给二极管加电压，二极管截止。
6、PN结的单向导电性指，当反向电压增大到时，反向电流会急剧增大，这种现象称。
7、二极管的主要参数有 ________、_________和，二极管的主要特性是。
8、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻值都较小，则表明二极管内部；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管内部。
两次测的阻值相差越大，则说明二极管的性能越好。
9、整流是指_______________________________________，整流电路分可为：和电路。
将交流电转换成较稳定的直流电，一般要经过以下过程：
___________ →____________ →____________ →____________
10、有一直流负载R L=9Ω，需要直流电压V L=45V,现有2CP21(I FM=3000mA,V RM=100V)和2CP33B(I FM=500mA, V RM=50V) 两种型号的二极管,若采用桥式整流电路，应选用型二极管只。
11、稳压二极管的稳压特性指，动态电阻r Z越大，说明稳压性能越。
12、滤波器的作用是将整流电路输出的中的成分滤去，获得比较的直流电,通常接在电路的后面。
它一般分为、和三类。
13、有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已_______ ，又有一硅二极管正反向电阻均接近于无穷大，表明该二极管已_______ 。
14、如图，V1、V2为理想二极管。
1状态，V2状态。
AB= V
15、如图，V为理想二极管。
状态，
6V
V AB= V
16、图中，V为硅二极管。
与A接通时，
V的状态，V MN= V
与B接通时，
的状态，V MN= V
二、判断题
1、( )将P型半导体和N型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN结。
2、（）P型半导体可通过纯净半导体中掺入五价磷元素获得。
3、（）P型半导体带正电，N型半导体带负电。
4、（）硅二极管门坎电压是，正向压降是。
5、（）硅的导通电压为，锗的导通电压为。
6、（）二极管在使用中必须防止进入电击穿区而烧坏二极管。
7、（）二极管只要加上了正向电压，就一定能导通。
8、（）二极管正向使用时不能稳压。
9、（）变压器中心抽头式全波整流电路，二极管承受的反向峰值电压为2V2。
10、（）电感滤波器一般常用于负载电流较小的场合。
11、（）电容滤波器实质上是在整流电路负载电阻旁串联一个电容器，常选用于负载电流较小的场合。
12、（）稳压二极管一般工作在反向击穿区。
13、（）稳压管的动态电阻越小，稳压性能越好。
14、（）稳压二极管正向使用时，和普通二极管的特性相同。
15、（）单相桥式整流电路属于单相全波整流电路。
16、（）单相桥式整流电路在输入交流电压的每个半周内都有两只二极管导通。
17、（）单相桥式整流电路输出的直流电压平均值是半波整流电路输出的直流电压平均值的2倍。
18、（）直流稳压电源只能在电网电压变化时使输出电压基本不变，而当负载电流变化时不能起稳压作用。
三、单项选择题
1、（）关于晶体二极管的正确叙述是：
A 普通二极管反向击穿后，很大的反向电流使PN结温度迅速升高而烧坏。
B 普通二极管发生热击穿，不发生电击穿。
C 硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿，所以要串接电阻降压。
D 以上说法都不对。
2、（）关于滤波器，正确叙述是：
A 电容滤波器电路的电容量越大，负载越重，输出直流越平滑。
B 电容量越小，负载越重，输出电压越接近脉动电压峰值。
C电感滤波器是利用电感具有反抗电流变化的作用，使负载电流的脉动程度减小，从而使输出电压平滑。
D 电感量越大，产生的自感电动势越大，滤波效果越差。
3、（）如图，电源接通后，正确说法为
A H1、H2、H可能亮。
B H 1、H 2、H 都不亮。
C H 1可能亮，H 2、H 不亮。
D H 1不亮，H 2、H 可能亮。
4、（ ）如图，V 为理想二极管 A V 导通，V AB =0V 。
B V 导通，V AB =15V 。
C V 截止，V AB =12V 。
D V 截止，V AB =3V 。
5、（ ）如图，V 为理想二极管
A V 截止，V A
B =12V 。
B V 导通，V AB =6V 。
C V 导通，V AB =18V 。
D V 截止，V AB =0V 。
6、（ ）二极管两端加上正向电压时
A 一定导通
B 超过死区电压才能导通
B 超过伏才能导通 D 超过伏才能导通
7、（ ）在测量二极管反向电阻时，若用两手把管脚捏紧，电阻值将会：
A 变大
B 变小
C 不变化
D 不能确定
四、分析判断题
1、硅稳压二极管，稳定电压如图所示，当V I 足够大时，计算各V O 值。
6V
o
V I + - o V I + -
V O =________________ V O =_______________
V O =________________ V O =_______________
2、如图，V 1、V 2为理想二极管。
V AB = S 合上时，V P =
S 断开时，V P =
1）在本征半导体中加入 元素可形成N 型半导体，加入 元素可形成P 型半导体。
A. 五价
B. 四价
C. 三价
（2）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
（4）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 a 。
A. 增大
B. 不变
C. 减小
（5）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通
B.反向截止
C.反向击穿
3V B o V I
+
-
o V S
（6）稳压二极管稳压时，其工作在( )，发光二极管发光时，其工作在( )。
A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区。