1.2 晶体三极管共射放大器实验
1.2.1 实验目的 • 1. 熟悉常用电子仪器的使用方法，熟悉基本电子
元器件的作用。 • 2. 学会并熟悉 “先静态后动态”的电子线路的基
本调试方法。 • 3. 分析静态工作点对放大器性能的影响，学会调
试放大器的静态工作点。 • 4. 掌握放大器电压放大倍数、输入电阻、输出电
第1章 低频小信号放大电路实验
1.1 基础知识 1.2 晶体三极管共射放大器实验 1.3 晶体管共射放大电路设计 1.4 场效应管共源极放大器实验 1.5 射极跟随器实验 1.6 差动放大器实验 1.7 典型差动放大器电路设计 1.8 晶体管阻容耦合两级放大器实验 1.9 多级低频小信号放大电路设计
R1
ui
R2
R W 11
R B11 RB1
+Vcc Rc
+
+ C1
C2
T
RL
uo
RB2 RE
+ CE
图1.2.1 共射极放大器实验电路
在放大器的输入端输入交流低频小信号ui，则在 放大器的输出端可以得到一个与ui相位相反，幅值 被放大了的交流输出信号uo，从而实现了低频小信 号的电压放大。
推荐的图1.2.1的元器件规格见表1.2.1。
金属膜电阻RJ0.25W，2kΩ～5.1kΩ，误差不大于20%
金属膜电阻RJ0.25W，200Ω～2kΩ，误差不大于20%
金属膜电阻RJ0.25W，2kΩ～5.1kΩ，误差不大于20%
电解电容器，CD4.7μF～47μF，耐压不小于16V
电解电容器，CD 4.7μF～47μF，耐压不小于16V
电解电容器，CD 10μF～220μF，耐压不小于16V
差，则要根据三极管的静态电流和万用电表流过的实际 电流来分析，如MF-47型万用表的直流电压挡需要的测 量电流为1V/20kΩ=50μA，静态工作点为1mA则误差约 为0.05，当静态工作点过小或万用表分流过大时，用万 用表测量UC值产生的误差也不容忽略，因此我们一般 只用万用电表去测量UE的值，而用示波器(内阻非
阻及最大不失真输出电压的测试方法。
1.2.2 基本电路及指标调试
• 1. 基本电路图1.2.1 共射极放大器实验电路
图1.2.1为最常用的一种工作点稳定的电阻分压式 共发射极三极管单管放大器电路，它实质上就是 表1.1.1中相应的基本电路。只不过使基本电路的 发射极反馈电阻RF=0，并使基极上偏流电阻RB1 由电位器RW11和固定电阻RB11串联组成。用电 位器作基极上偏流电阻能很方便地对静态工作点 进行调节，串联一个固定电阻是防止当电位器阻 值调到很小时损坏三极管。在图1.2.1电路的输入 端还接进了由R1和R2组成的分压网络，这样可以 减低对信号源的信噪比的要求。
3 静态工作点的调试
2 静态工作点的理论估算和测量
图1.2.1电路的静态工作点可用表1.1.1中的公 式估算，计算UB时要求流过偏置电阻RB1和RB2 的直流电流远大于晶体管T的基极电流IB：一般对 于硅管，要求流过偏置电阻RB1和RB2的直流电 流是晶体管基极电流IB的5到10倍，在此条件下， 图1.2.1的电路具有相当好的温度稳定性，由于晶 体管T的基极电流为101μA数量级，因此流过偏置 电阻RB1和RB2的电流只要等于或大于102μA数 量级即可。
51Ω
说明 NPN型小功率三极管均可，β=50～150。
8V～15V均可，建议使用稳压电源。
金属膜电阻RJ0.25W，误差不大于10%，此部分为得到 高信噪比的微弱信号源而设置，信号源合适也可省略。
10kΩ 47kΩ 3kΩ 5.1kΩ 1kΩ 2.4kΩ 10μF 10μF 100μF
固定电阻采用金属膜电阻RJ0.25W，误差不大于20%， 电位器可用任意种类，能用多圈电位器更好。 此部分作用是配合分压，以决定基极电位和静态工作 点。
编号 T
VCC R1
R2
RB11 RW11 RB2 RC RE RL C1 C2 CE
方案1 9013 12V 5.1kΩ
51Ω
51kΩ 680kΩ 24kΩ 5.1kΩ 1.8kΩ 5.1kΩ 10μF 10μF 10μF
表1.2.1 共射单级放大电路元器件规格及说明
方案2 8050 12V 5.1kΩ
IC
IE
UE RE
在实验中，用万用表测量UE的值，其误差不会太大： 例如用MF-47型万用表的直流10V挡测量UE，此时万用 表的等效电阻为20kΩ/V×10V=200kΩ，相对于阻值为1 kΩ~2 kΩ的发射极电阻RE来说影响不大；但如果用万 用表的直流电压挡去测量UB的值，则由于万用表和图 1.2.1中的RB2并联，如果RB2较大，则一般会产生较大 的误差；至于用万用表的直流电压挡测量UCUB的值，然后 可以算出UBE =UB-UE，UCE =UC-UE。这样可 以得到较准确的直流工作点的值。
很多时候我们只需要得到静态工作点的大致
数值，比如我们只要知道集电结和发射结的正反 偏情况就能判断三极管所处的工作状态，这时我 们也可以用万用表的直流电压挡直接测量三极管 电路的UBE 和UCB，这时测量出来的值（尤其是 测UBE）会与实际情况有一定差异，但在实用的 范围内能够说明问题。
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低频模拟电路实验
主编：沈小丰、余琼蓉 课件：沈钰、柯艳林
第1章 低频小信号放大电路实验 第2章 反馈电路实验 第3章 集成运放及信号处理电路实验 第4章 可编程模拟电路实验 第5章 低频功率放大器实验 第6章 电源电路实验 第7章 低频模拟电路综合应用
高频模拟电路实验
第8章 高频谐振放大与振荡电路 第9章 信号频谱变换 第10章 高频电路综合应用
表1.1.1各公式中，UBE为三极管基极和发射 极之间的电压，一般对硅管可以估计为0.7V，对 锗管估计为0.3V。
测量放大器的静态工作点，应在输入信号 Ui=0的情况下进行，即将放大器输入端与地端短 接，然后选用合适的方法，分别测量晶体管的集 电极电流IC以及各PN结的电压。
考虑图1.2.1放大电路的静态工作点：我们首 先考虑用万用电表的直流电压挡测量UE，这样可 以通过计算的方法得到IE和IC的值：