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成功的晶圆代工主要优势分为三方面：客户关系、先进技术、 及优越的制造能力。稳懋半导体从1999年创立以来就朝著成为 砷化镓晶圆代工产业的龙头自许，虚心向矽晶圆代工的成功商 业模式学习。稳懋从客户观点，解决了IC设计公司在选择代工 厂时最关切的核心技术外流问题。IC设计公司将订单发给IDM 公司生产时，IC设计公司最担心产品设计被抄袭，而专业代工 厂没有自己的产品，对IC设计公司来说是极大的诱因。在先进 技术方面，代工厂必须持续开发新的制造技术，以最短时间内 将客户的需求产品化。在制造方面，代工厂必须持续缩短制造 工时、提升产品良率、扩大产能规模、降低制造成本，以期能 与设计公司联合与国际IDM大厂相抗衡。 进入二十一世纪，消费者追求的是个性化与独特性的产品。尤 其在面对强调「多样」、「少量」和「Time to Market」三大 特色的通讯与消费性市场时，如何满足客户客制化需求及降低 生产成本，成为各家设计公司必须面对的当务之急。此时若能 与具有高度制程弹性与生产规模和高良率优势的代工厂合作， 以上问题均将迎刃而
2008砷化镓年复合年成长率(CAGR)=6%
砷化镓工艺
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类似矽制程技术中的BJT与CMOS，砷化镓制程技 术主要区分为HBT(异质接面双极性晶体管)与 pHEMT(异质接面高电子迁移率晶体管)两大主轴， 并被广泛应用于商用与先进无线通讯中的关键零组 件。以下针对砷化镓的制程技术作一深入浅出的剖 析。

相较于过去被应用在功率放大器的矽元件，例如BJT 与LDMOS等，HBT具有极佳功率特性、线性度、 温度稳定性与可靠度。尤其随者操作频率由900MHz 的GSM通讯系统，进步到超过2GHz的3G、4G或 Wi-Fi通讯系统。
砷化镓制程技术与应用范畴
HBT几乎完全独占此领域的放大器元件市场。藉由优越 的材料特性，2或3微米线宽制程的HBT已展现绝佳的良 率与极具优势的性能与价格比。例如GSM的应用需求上， 可以满足超过20:1的强韧度(Ruggedness)需求，在输出 功率特性上，4瓦的功率输出配合大于55%的功率附加效 率(PAE)，亦是矽元件无法轻易达到的特性。而3G应用 需求上，HBT亦可轻易达到输出功率28dBm时，邻近通 道功率比(ACPR)可小于-42dBc的线性度要求。同时WiFi应用上，在线性输出功率0.1瓦下，其误差矢量幅度 (EVM)仅有3%。元件可靠度测试方面，HBT元件皆可通 过高温125度下持续运行连续1000小时的严苛测试，换算 为在室温操作下的平均存活时间(Mean time to failure) 可达一亿小时以上。除了无线通讯放大器应用外，1微米 线宽制程的HBT配合其65GHz的高截止频率，随著光通 讯系统与毫米波系统日渐普及亦被广泛设计于更高频率的 光通讯放大器与毫米波端的压控振荡器(VCO)