6.3.9震荡器
A.震荡器使用电容方式测试
6.3.10电感
A.电感使用Jump方式测试,MODE0,Delay30
6.3.11二极管
A.二极管,误差范围+30%-30%,一般使用MODE1,当量测值小于0.3V时须加Delay30
B.二极管需加测一反向STEP,标准值及实际值设1.5V,误差范围–1–50%,MODE1
K.PMOS-FET电压测试Step2(D→S→G)Act=5V,Std=0.3V,误差范围+30%-1%Delay=50MODE=3隔离点=G
L.PMOS-FET电压测试Step2(D→S)若并联Diode时,误差改为+15%-1%
M.ALLMOS-FET于STEP后加入N型orP型<Example:Q12-2-3(N)
H.NMOS-FET电压测试Step2(S→D→G)Act=5V,Std=0.3V,误差范围+30%-1%Delay=50MODE=4隔离点=G
I.NMOS-FET电压测试Step2(S→D→G)若并联Diode时,误差改为+15%-1%
J.PMOS-FET电压测试Step1(D→S)Act/Std=0.7V,误差范围+30%-30%MODE=1
H.电解电容(CE)若有并联(CE),误差范围+30%-10%,开启一个STEP即可
I.电解电容(CE)若无并联(CE),误差范围+30%-30%
J.其它电容误差范围+80%-60%
K.小电容并联大电容时,小电容之测试STEP要Skip
L.当SMT电容与DIP电容有并联时,合理优化下限以提高程序对零件缺件的可卡性.
MODE=1
E.一般晶体管(PNP型),使用电压测试Step2(E→B)Act/Std=0.7V,误差范围+50%-50%,Type=Q
MODE=1
F.一般晶体管(PNP型),使用电压测试Step3(E→C→B)Act=5V,Std=0.3V,误差范围+30%-1%,隔离点=B,MODE=3
G.NMOS-FET电压测试Step1(S→D)Act/Std=0.7V,误差范围+30%-30%MODE=1
．目录．
文件修订履历表2
1.目的3
2.适用范围3
3.权责3
4.相关参考文件3
5.名词定义3
6．标准3
序号
版次
文件编号
制／修订内容说明
制/修订日期
作成
审查
核准
1
1.0
首次设定
.02.15
林凡义
1.
1.1
2.
2.1
3.
3.1
3.2
3.3
4.
无
5.
无
6.
6.1测试参数
6.1.1程序命名方式板号+小管号.
6.1.2自动存盘功能设定10片.
6.2.1若GND与VCC为同一个ShortGroup时,在MDA程序加阻抗测试,期望阻值依机板阻值而订,误差范围-1%,-10%;一般使用MODE2,GNDpin一般置于Hi-pin,VCCpin一般置于Low-pin.
6.3测试数据编辑
6.3.1程序需对照BOM表确认是否有漏(错)KEY或SKIP错误之现象
6.3.7电阻
A.按照零件值排序(零件名称前不加J)
B.电阻值0Ω~10Ω(不包含10Ω)使用Jump方式测试
C.电阻在10Ω~1KΩ(不包含1KΩ)误差范围+40%,-40%
D.排阻的阻抗低于1KΩ(不包含1KΩ)误差范围+40%,-20%
E.电阻值≧1KΩ误差范围+10%,-10%
F.当电阻并联D,Q,IC时,必须使用MODE1或MODE2
G.电阻值≧1MΩ时,一般使用MODE2误差范围+40%-60%
H.热敏电阻, 一般使用MODE1, 误差范围+40%-90%
I.蜂鸣器(BUZZER)以阻抗方式测试,期望值42Ω,误差范围+40%,-40%
6.3.8电容
A.按照零件值排序
B.电容值<33P时,全部SKIP,并注明/BP(example:C315/BP)
C.容值≦P时,需将此VCC或GND至于Hi-Pin,且需用MODE2,不加隔离点
D.40uF(含)以上之电解电容,一般使用MODE8测试
E.电容1uF与0.1uF误差范围+80%-60%
F.电容1uF与0.1uF有并联情况时,误差范围+80%-60%
G.电容2.2uF&0.01uF之间的其它电容,误差范围+80%-60%
大(中)型MOSFET加测一个电容STEPG-S脚(1-2)orG-D脚(1-3),标准值设定值为3000PF,用MODE2测试,误差范围-1–30%,RepeatD(Hilowpin不可change)
6.3.2确认不良零件区块(横行/纵行)之设定是否与点图相符.
6.3.3BoardView显示零件面并调整与M/B方向一致
6.3.4零件SKIP时,需注明原因,/NC;/NP;/C;/R;/Q;/BP;/M;等
6.3.5所有零件按照J→R→C→X→L→F→D→Q→U排序
6.3.6零件位置上已layout短路线,若BOM无零件,则不外加测试(零件名称前不加J)
6.1.3重测次数设为3次.
6.1.4Firstpin为1,Lastpin设定为SWB(256)的整数倍并大
于下针盘的最后一针点数.
6.1.5OPS档设定原则为2(155585),”短路RawTest-1”字段
打勾,但可视情况调整.
6.1.6测试不良报表打印最大行数设为20,打印方式为按F12打印
6.2Open/ShortLearning
MODE=1
B.一般晶体管(NPN型),使用电压测试Step2(B→E)Act/Std=0.7V,误差范围+50%-50%,Type=Q
MODE=1
C.一般晶体管(NPN型),使用电压测试Step3(C→E→B)Act=5V,Std=0.3V,误差范围+30%-1%,隔离点=B,MODE=4
D.一般晶体管(PNP型),使用电压测试Step1(C→B)Act/Std=0.7V,误差范围+50%-50%,Type=Q
C.ZD加测反向崩溃电压(约3.9V以上),误差范围+50%-30%,MODE1,Delay30
D.LED参数为Act/Std=2.3V,误差范围+30%-30%,Mode=1,Delay=30
6.3.12晶体管
A.一般晶体管(NPN型),使用电压测试Step1(B→C)Act/Std=0.7V,误差范围+50%-50%,Type=Q